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北 京 大 学 2013 暑 期 班<br />
微 光 刻 与 电 子 束 光 刻 技 术<br />
Micro-Lithography and E-Beam Lithography Technologies<br />
走 近 半 导 体 和 微 电 子 世 界 , 了 解 沙 子 如 何 变 成 金 — 集 成 电 路 芯 片 , 集 成 电 路 芯 片 里 的<br />
特 征 尺 寸 是 怎 样 从 几 十 微 米 缩 小 到 几 十 个 纳 米 , 甚 至 几 个 纳 米 的 。<br />
虽 然 就 这 十 来 个 字 , 我 们 整 整 干 了 四 十 多 年 , 我 这 一 辈 子 就 干 两 件 事 , 一 是 微 光 刻 , 二 是 微 纳 米 加 工 ,<br />
或 者 说 一 是 光 掩 模 制 造 , 二 是 电 子 束 光 刻 , 也 就 是 从 微 米 到 纳 米 。 既 有 一 些 比 较 漂 亮 的 工 作 , 也 有 不 少 刚 刚<br />
涉 足 的 领 域 , 有 我 们 和 我 们 的 研 究 生 们 这 些 年 中 努 力 的 成 果 , 还 有 我 们 正 在 开 展 的 研 究 工 作 。 本 讲 座 的 相 应<br />
文 字 内 容 ( 约 八 万 字 ) 已 作 为 基 金 委 组 织 编 写 “ 半 导 体 科 学 与 技 术 ” 一 书 的 第 九 章 , 由 科 学 出 版 社 出 版 。 并<br />
于 《 微 纳 电 子 技 术 》 2011 年 第 1、2、6 期 “ 技 术 论 坛 ” 中 做 了 有 关 新 进 展 的 综 述 , 供 参 考 。 本 讲 座 的 内 容 随<br />
着 时 间 的 推 移 , 也 会 在 不 断 地 更 新 、 拓 展 中 , 谢 谢 大 家 关 注 。<br />
( 本 报 告 已 先 后 在 北 京 大 学 等 几 十 所 高 等 院 校 和 科 研 院 所 研 究 生 做 过 讲 座 , 有 兴 趣 也 可 以 在 网 上 百 度 或<br />
者 Google “ 微 光 刻 与 微 纳 米 加 工 技 术 ; 电 子 束 光 刻 技 术 ; 中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所 ; 陈 宝 钦 ” 了 解 情 况 。 我<br />
的 学 生 还 在 新 浪 博 客 上 发 现 我 有 一 位 “ 粉 丝 ” 叫 “ 涛 声 依 旧 ” 发 表 “ 听 陈 宝 钦 老 师 的 讲 座 有 感 ”, 我 现 在 还<br />
不 知 道 这 位 同 学 是 哪 一 位 ? 谢 谢 您 !)。<br />
本 讲 座 同 时 兼 顾 给 同 学 们 谈 谈 人 生 感 言 : 如 何 做 事 , 如 何 做 人 , 然 后 如 何 做 学 问 。<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
微 细 加 工 与 纳 米 技 术 研 究 室<br />
电 子 束 光 刻 技 术 实 验 室<br />
陈 宝 钦<br />
010-82995580;13661034296; 13661034296 chenbq@ime.ac.cn<br />
cn<br />
IMECAS<br />
赵 珉 吴 璇 王 琴 朱 效 立 史 丽 娜 李 海 亮 杜 宇 禅 于 明 岩 柳 江 李 金 儒 汤 耀 科 薛 丽 君 王 德 强 任 黎 明 胡 勇<br />
王 云 翔 龙 世 兵 陆 晶 杨 清 华 张 立 辉 范 东 升 牛 洁 斌 李 新 涛 徐 秋 霞 谢 常 青 刘 明 段 辉 高
传 承<br />
前 辈 奉 献 精 神<br />
四 十 年 前 后<br />
五 十 载 结 缘<br />
七 十 季 春 秋<br />
责 任<br />
敬 业 负 责 担 当<br />
积 累 厚 重 人 生<br />
沉 淀<br />
学 工 - 做 过 一 种 最 髒 工 作 的 经 历<br />
学 农 - 做 过 一 种 最 苦 工 作 的 经 历<br />
学 兵 – 做 过 一 种 最 累 工 作 的 经 历<br />
干 了 一 辈 子 最 有 意 思 的 工 作 :<br />
微 电 子 、 微 光 刻 、 微 纳 米 加 工<br />
从 微 米 到 纳 米 、 从 光 学 到 电 子 束 、<br />
从 指 导 学 生 到 科 普 教 育<br />
毅 力 信 心 不 懈<br />
坚 持<br />
1942 1949 1955 1958 1960 1966 1968 1970 1985 2003 2007 2010<br />
出 生 农 民 小 学 初 中 高 中 北 京 大 学 物 理 系 半 导 体 3174 中 国 科 学 院 半 导 体 研 究 所 微 电 子 中 心 微 电 子 所 退 休 发 挥 余 热<br />
晶 体 管 诞 生 集 成 电 路 诞 生 半 导 体 专 门 化 SSI MSI LSI 1K 4K VLSI 16K 64K 1M 超 大 ULSI 特 大 GLSI 巨 大<br />
第 一 个 矿 石 收 音 机 100um 10um 1um 0.5um 0.35nm 0.18um 90nm 22nm 10nm 5nm<br />
手 工 手 术 刀 显 微 镜 照 相 机 1” 劳 动 牌 超 微 粒 干 版 2” 手 摇 半 自 动 铬 版 4” 计 算 机 辅 助 电 子 束 制 版 直 写 8nm。-2nm 电 子 束 斑 18” 无 掩 模
1963 年 与 环 卫 工 人 劳 动 模 范 时 传 祥 一 块 背 粪 便 的 照 片<br />
北 京 青 年 报<br />
刘 少 奇 主 席 对 掏 粪 工 人<br />
时 传 祥 说 :<br />
“ 我 们 只 是 分 工 不 同 ,<br />
都 是 为 人 民 服 务 ”<br />
学 工 做 过 一 种<br />
最 髒 工 作 的 经 历<br />
做 好 每 一 件 简 单 的 事 , 就 是 不 简 单 ; 做 好 每 一 件 平 凡 的 事 , 就 是 不 平 凡 。<br />
社 会 分 工 有 不 同 , 一 个 人 能 力 有 大 小 , 只 要 咱 们 脚 踏 实 地 地 努 力 搞 好 本 职 工 作 ,<br />
就 会 对 国 家 有 贡 献 , 就 会 成 为 社 会 有 用 的 人 才 。
当 年 溜 石 港 大 队 手 绘 地 图 与 现 在 卫 星 地 图 的 对 照<br />
北<br />
崎<br />
岭<br />
96 斤 ±2 斤 /35 年<br />
北 岭 沟<br />
天 湖<br />
三 百 里 沟<br />
西 北 台<br />
学 农 做 过 一 种<br />
最 苦 工 作 的 经 历<br />
青<br />
林<br />
沟<br />
墨<br />
怀<br />
玉<br />
鹰 头 沟<br />
东 北 台<br />
口 子<br />
大<br />
场<br />
后<br />
沟<br />
城 子 南 洼<br />
南 北 台<br />
土 星 沟<br />
沙<br />
岭<br />
沟<br />
坑 石 港 土<br />
星<br />
口<br />
鳌 鱼<br />
道<br />
沟<br />
西 地<br />
麻 地<br />
手 绘 溜 石 港 三 队 农 民 住 宅 分 布 图<br />
窝<br />
峪<br />
梁<br />
在 这 里 吃 了 半 年 杨 树 叶 ;<br />
生 白 面 和 白 糖 太 好 吃 了 ;<br />
为 村 蓄 水 池 冰 层 下 堵 漏 ;<br />
雪 天 山 上 背 石 头 是 险 情 。<br />
营 城<br />
北<br />
窝<br />
峪<br />
沟<br />
切 台<br />
水 涧<br />
手 绘 溜 石 港 大 队 管 辖 的 山 地 范 围<br />
手 绘 溜 石 港 大 队 农 民 住 宅 分 布 图
1968-1969 东 北 海 城 3174 部 队 农 场 劳 动 锻 炼 的 照 片<br />
学 兵 做 过 一 种<br />
正 如 孔 子 所 说 :<br />
最 累 工 作 的 经 历 苦 其 心 志 , 劳 其 筋 骨 , 饿 其 体 肤 , 空 乏 其 身 。<br />
现 在 反 而 没 感 觉 的 是 苦 髒 累 , 而 感 到 的 是 一<br />
生 非 常 充 实 , 是 我 的 人 生 财 富 。<br />
在 这 里 住 的 是 土 坯 房 ; 白 手 起 家 ; 自 己 养 猪 种 菜 , 吃 的 是 三 米 饭 ; 背 的 水 稻 超 体 重 两<br />
倍 ; 还 负 责 放 牛 、 补 鞋 、 针 灸 , 用 补 鞋 线 补 脚 后 跟 ; 冬 天 刨 粪 坑 ; 心 肝 肺 都 出 过 毛 病 。
干 了 一 辈 子 很 有 意 思 的 工 作<br />
微 电 子 、 微 光 刻 、 微 纳 米 加 工 : 从 微 米 到 纳 米 、 从 光 学 到 电 子 束 、 从 指 导 学 生 到 科 普 教 育<br />
1968 1971 1974 1977 1980 1983 1986 1989 1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016<br />
546nm E 60 线 年 --10um 北 京 大 学 物 理 系 、 半 导 体 专 门 化 ;66 年 毕 业 ;68 年 中 国 科 学 院 半 1×10 导 体 所<br />
8.0 um<br />
12<br />
半 自 动 精 缩 机 与 劳 动 牌 光 刻 机 超 微 粒 干 板<br />
光<br />
5.0 um3〞 3<br />
256×10 70 年 436nm 电 子 束 E 蒸 线 发 +G 镀 铬 线 、 10-2.0um<br />
铬 板 0um<br />
超 微 粒 干 板 制 备 、 显 微 镜 、 照 相 机 、 手 工<br />
9<br />
刻 3.0 um<br />
4〞 3〞<br />
自 动 精 缩 机 与 劳 动 牌 光 刻 机 超 微 粒 干 板 + 铬 板<br />
64×10 9<br />
工 2.0 um<br />
76 年 采 436nm 用 半 E 线 +G 线 2.0--0.5um 16G<br />
16×10 9<br />
艺<br />
4〞<br />
自 动 精 缩 机 研 制 2 微 米 1024 位 大 规 模 IC 掩 模 版<br />
13um 1.3 5〞<br />
GCA3600+3696+ASML1500 5〞<br />
投 影 光 刻<br />
9<br />
特<br />
◆<br />
4×10<br />
0.8 um<br />
80 年 采 用 自 动 精 缩 机 研 制 1 微 米 4096 位 大 规 模 IC<br />
征 1980 年 最 细 线 宽 6〞<br />
6〞 1G<br />
1×10 掩 模<br />
365nm I 线 0.08--0.28um<br />
9 版<br />
0.5 um<br />
◆<br />
256×10<br />
尺 1.0um<br />
8〞 ASML5000 投 8〞 影 光 刻 + 电 子 束 制 版<br />
6<br />
86 年 采 用 GCA 研 制 0.5 微 米 16K-64K 超 大 规 模 版<br />
035<br />
寸<br />
0.35um 1986 年 最 细 线 宽<br />
64×10<br />
248nm KrF 0.5--0.13um<br />
6<br />
0.25um 0.5um<br />
16M87 年 移 相 16×10<br />
JBX5000LS 掩 模 实 现 0.18-2.0 电 子 束 光 微 刻 米 曝 光 实 验<br />
6<br />
0.18um<br />
◆<br />
移 相 掩 模 研 究 达<br />
◆<br />
4×10 6<br />
12〞 193nm 12〞 KrF 90--45um<br />
018 0.13um<br />
95 年 6AII+ 投 影 光 刻 0.18 微 1×10 米 电 芯<br />
1M<br />
PSM+OPC+OAI<br />
6 路<br />
0.18 ~0.2um<br />
90 nm<br />
1995 年 最 细 线 宽<br />
256×10 片<br />
MEBES4700S 电 子 束<br />
3<br />
2000 年 研 制 成 功 70nmCMOS<br />
64×10 3 集<br />
65 nm<br />
0.18um<br />
◆<br />
22um<br />
成<br />
45 nm<br />
◆193nm KrF 32--22um<br />
2001<br />
16K<br />
年 研 制 成 功 50nmCMOS<br />
16×10<br />
浸 没 透 2008 镜 Immersion 年 实 现 5-10nm<br />
3<br />
度<br />
32 nm<br />
2004 年 最 细 线 宽<br />
4×10<br />
2002 年 研 制 成 功 30nmCMOS<br />
两 3<br />
22 nm<br />
22~50nm<br />
◆次 成 像 加 Double-Patterning<br />
工 极 限 尺 寸<br />
◆ 1×10 3<br />
2004 年 研 制 成 功 22nmCMOS JBX6300FS 100Kev 纳 米 电 子 束 直 写<br />
1968 1971 1974 1977 1980 1983 1986 1989 1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016<br />
尽 管 设 备 条 件 落 后 , 但 我 们 的 微 纳 加 工 技 术 的 研 发 始 终 紧 紧 咬 住 国 际 先 进 水 平 不 松 口
自 然 界 尺 度 与 微 光 刻 — 长 度<br />
10 32 m 溝<br />
人 类 探 索 太 空 的 尺 度<br />
10 28 m 穰<br />
哈 勃 半 径 10 26 ~10 27 m<br />
尧 米 10 24 m 秭<br />
物 理 学 研 究 对 象 的 空 间 尺 度 跨 越 60 多 个 长 度 尺 寸 的 数 量 级<br />
泽 米 10<br />
21 m<br />
垓<br />
最 近 恒 星 距 离 10 18 m; 银 河 系 10 21 m; 超 星 系 10 24 m; 宇 宙 半 径 10 25 m<br />
艾 米 10 18 m<br />
Em Exametre 秒 差 距 3.0857*10 16 m 天 体 物 理<br />
拍 米 10 15 m<br />
京<br />
光 年 0.94605*10 16 m<br />
Pm Petametre<br />
太 阳 系 10 宏 观 太 空<br />
太 米 10 12 m<br />
12 m<br />
兆<br />
Tm Terametre<br />
天 文 单 位 1.4959787 *10 11 m探 索 领 域<br />
太 阳 地 球 平 均 距 离<br />
吉 米 10<br />
9<br />
m<br />
Gm Gigametr<br />
光 分 距 离 180*10 1.80*10 10 m<br />
亿<br />
光 秒 距 离 0.2997924*10 9 m 大 气 物 理<br />
地 球 物 理<br />
兆 米 10 6 m 百 萬 Mm Megametre 地 球 直 径 1.275628*10 7 m<br />
萬<br />
43m<br />
中 观 人 类<br />
千 米 10 3 萬<br />
m<br />
Km Kilometre 珠 朗 吗 峄 8844.43m<br />
千<br />
hm Hectometre 百<br />
活 动 制 造<br />
dam Decametre<br />
十<br />
人 类 以 人 体 尺 度 为<br />
米 1 m 米 m metre<br />
领 域<br />
dm decimetre 分<br />
长 度 基 本 单 位<br />
cm centimetre<br />
厘<br />
-4 mm millimetre 毛 发 尺 度 10<br />
毫 米 10 -3 m<br />
m<br />
经 典 物 理<br />
毫<br />
丝<br />
细 胞 / 分 子 尺 度 µm-10 µm 生 物 物 理<br />
忽<br />
微 米 10 -6 m<br />
µm micrometre 光 学 显 微 镜 可 分 辨 200nm 微 纳 加 工<br />
微<br />
纤<br />
微 光 刻 技 术 加 工 尺 度<br />
开 发 领 域<br />
沙<br />
纳 米 10 -9 m 尘 nm nanometre 扫 描 电 子 显 微 镜 分 辨 2nm 固 体 物 理<br />
C 10 埃 -10 Å Angstrom<br />
60 0.4-0.7nm<br />
原 子 尺 度 核 外 电 子 分 布 半 径 Å 核 物 理<br />
皮 米 10 -12 渺<br />
m 漠 pm picometre 原 子 力 显 微 镜 可 分 辨 0.01nm 介 观 物 理<br />
逡<br />
扫 描 隧 道 电 子 显 微 镜 分 辨 极 限 0.001nm<br />
微 观 世 界<br />
巡<br />
飞 米 10 -15 m<br />
fm femtometre 经 典 电 子 半 径 2.817938 *10<br />
溟<br />
-15 m研 究 领 域<br />
微 埃 10 -16 清<br />
µ Å micro-Angstrom 激 光 干 涉 引 力 波 测 量 精 度 10 高 能 粒 子 物 理<br />
阿 米 10 -18 须<br />
-19 m<br />
m 净 am attometre 最 短 的 距 离 单 位 : 普 朗 克 量 子 长 度 10 -35 m
中 国 古 代 表 示 数 量 的 单 位<br />
十 进 制 与 萬 进 制<br />
东 汉 时 期 《 数 术 记 遗 》 考<br />
10^0 1 一<br />
10^22 银 河 系 ▼<br />
百 垓<br />
10^4096 平 方 進 制 上 數 載<br />
10^-1 d deci 分<br />
10^21 Z zetta 澤 / 皆 =2^70 10^80 萬 萬 進 制 中 數 載<br />
10^-2 c centi 厘 ( 釐 ) 10^20 垓<br />
10^72 一 萬 个 無 量 / 大 數<br />
10^ -3 m milli 毫 ( 毛 )<br />
10^19 千 京<br />
10^68 唐 朝 时 期 無 量<br />
10^-4 絲<br />
10^18 E exa 百 京 / 艾 =2^60 10^67 千 不 可 思 議<br />
10^-5 忽<br />
10^17 十 京<br />
10^66 百 不 可 思 議<br />
10^-6 µ micro 微 /ppm 10^16 16 光 年 京 / 億 億 / 經 10^65<br />
十 不 可 思 議<br />
10^-7 纖<br />
10^15 P peta 千 兆 / 拍 =2^50 10^64 不 可 思 議<br />
10^-8 沙<br />
10^14 百 兆 / 下 數 載 10^60 那 由 他<br />
10^-9 n nano 塵 / 纳 / 奈 10^13 13 太 阳 系 ▼ 十 兆<br />
10^56<br />
阿 僧 祇<br />
10^-10 Å 埃<br />
10^12 T tera 兆 / 萬 億 / 太 10^52 無 量 寿 经 恒 河 沙<br />
10^-11 渺<br />
10^11 千 億<br />
10^48 無 限 大 極<br />
10^-12 ppico 漠 / 皮 10^10 百 億<br />
10^44 萬 進 制<br />
載<br />
10^-13 逡<br />
10^9 G giga 十 億 / 吉 10^40 正<br />
10^-14 电 子 半 径 巡<br />
10^8 億 / 萬 萬 10^36 澗<br />
10^-15 f femto 溟 / 飞 / 飛 10^7 千 萬 / 下 數 京 10^32 溝<br />
10^-16 µÅ 清 ( 微 埃 )<br />
10^-17 须<br />
10^-18 a atto 净 / 阿<br />
10^-21 z zepto 仄 / 介<br />
10^-24 y yocto 幺 / 攸<br />
10^-35 普 朗 克 量 子 长 度<br />
10^6 M mega 百 萬 / 下 數 兆<br />
10^5 十 萬 / 下 數 億<br />
10^4 萬<br />
10^3 k kilo 千<br />
10^2 h hecta 百<br />
10^1 da deca 十<br />
10^28 穰<br />
10^27 哈 勃 半 径 千 秭 / 四<br />
10^26 百 秭<br />
10^25 宇 宙 半 径 十 秭<br />
10^24 Y yotta 秭 / 杼 / 堯 / 佑<br />
10^23 千 垓
光 刻 技 术 五 十 年<br />
Lithography in 50 years<br />
微 光 刻 Micro-Lithography<br />
光 学 光 刻 Optical Lithography ; PhotoLithography<br />
下 一 代 光 刻 技 术 NGL (Next Generation Lithography)<br />
EUV = extreme ultraviolet<br />
极 紫 外 光 刻<br />
EPL = electron projection lithography 电 子 束 投 影 光 刻<br />
ML2 = maskless lithography<br />
无 掩 模 光 刻<br />
IPL = ion projection lithography<br />
离 子 束 投 影 光 刻<br />
PXL = proximity x-ray lithography 软 X 接 近 式 光 刻<br />
PEL = proximity electron lithography 电 子 接 近 式 光 刻<br />
电 子 束 光 刻 EBL(E-Beam Lithography )<br />
微 纳 米 加 工 技 术 Micro-nanofabrication Technology<br />
纳 米 制 造 技 术<br />
Nano-manufacturing Technology<br />
光 掩 模 PhotoMask<br />
硬 掩 膜 Hard mask (SiO 2 膜 )<br />
掩 模 制 造 Mask making<br />
中 间 掩 模 版 Reticle( Reticule)<br />
主 掩 模 版 master mask<br />
工 作 掩 模 版 working mask<br />
铬 板 Chrome plate<br />
光 致 抗 蚀 剂<br />
曝 光 exposure<br />
刻 蚀 etch<br />
Photoresist<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
微 细 加 工 与 纳 米 技 术 研 究 室<br />
电 子 束 光 刻 技 术 实 验 室<br />
陈 宝 钦<br />
13661034296 010-82995580 chenbq@ime.ac.cn<br />
IMECAS<br />
赵 珉 吴 璇 王 琴 朱 效 立 史 丽 娜 李 海 亮 柳 江 李 金 儒 汤 耀 科 薛 丽 君 王 德 强 任 黎 明<br />
胡 勇 王 云 翔 龙 世 兵 陆 晶 杨 清 华 张 立 辉 范 东 升 牛 洁 斌 李 新 涛 徐 秋 霞 谢 常 青 刘 明
1952 年 世 界 上 第 一 次 提 出 利 用 光 刻 工 艺 制 造 平 面 集 成 电 路 的 设 想<br />
1947 年 贝 尔 实 验 室 发 明<br />
世 界 第 一 只 点 接 触 晶 体 管<br />
达 默 早 在 1952 年 就 指 出 , 由<br />
半 导 体 构 成 的 晶 体 管 , 可 以<br />
把 它 们 组 装 在 一 块 平 板 上 而<br />
去 掉 之 间 的 连 线 。<br />
第 一 个 平 面 集 成 电 路<br />
1961 at Fairchild – Robert Noyce<br />
Bardeen and Walter Brattain; Bell Labs 1947<br />
1959 年 研<br />
制 成 功<br />
1957 at Texas Instruments – Jack Kilby<br />
仙 童 半 导 体 第 一 只 商<br />
品 化 原 始 平 面 晶 体 管<br />
这 才 是 采 用 硅 基 平<br />
面 双 极 型 集 成 电 路<br />
( 不 是 单 个 器 件 )<br />
制 造 中 光 刻 工 艺 技<br />
术 的 开 始 !
五 十 年<br />
历 程<br />
集 成 电 路 设 计 与 光 掩 模 制 造<br />
最 细 线 条 达 到 发 丝 万 分 之 一<br />
制 造 出 成 千 上 亿 个 晶 体 管<br />
切 成 硅 片<br />
光 刻 曝 光<br />
复 杂 的 集 成 电 路 制 造 工 艺<br />
淀 积 溅 射 化 学 生 长 外 延 刻 蚀<br />
硅 片 抛 光<br />
涂 感 光 胶<br />
显 影 腐 蚀<br />
氧 化 扩 散<br />
掺 杂 注 入<br />
刻 孔 镀 铝 刻 导 线<br />
测 试 切 片 压 焊 封 装<br />
二 氧 化 硅 石 英 石 去 杂 去 氧 还 原 成 硅 提 纯 拉 单 晶 硅 切 片 抛 光 457.2mm 304.8mm
半 导 体 材 料 的 硅 占 地 壳 中 所 有 元 素 含 量 的 四 分 之 一<br />
半<br />
导<br />
体<br />
Mg K H Ti<br />
C Na C<br />
Cl<br />
氧 、 硅 、 铝 、 铁 、 钙<br />
五 种 元 素 占 90.03%<br />
O 氧 49.13%<br />
集 Ca<br />
成<br />
Si 硅 26.00%<br />
电<br />
Fe<br />
Al 铝 7.45%<br />
路<br />
Fe 铁 4.20%<br />
工<br />
Al<br />
Ca 钙 3.25%<br />
艺<br />
O<br />
用<br />
Na 钠 2.40%<br />
到<br />
Mg 镁 2.35%<br />
六<br />
K 钾 2.35%<br />
十<br />
Si<br />
四<br />
H 氢 1.00%<br />
种<br />
Ti+C+Cl 1.87%<br />
元<br />
80 种 元 素 0.7%<br />
素<br />
氧 、 硅 、 铝 、 铁 、 钙 、<br />
钠 钾 镁 氢 钛 碳 氯<br />
十 二 种 元 素 占 99.29%<br />
地 球 上 应 该 有 92 种 元 素 、 天 然 产 物 中 有 90 种 、 最 轻 的 是 原 子 序 数 为 1 的 氢 、 最 重 的 是 原 子 序<br />
数 为 92 的 铀 ; 另 外 发 现 超 铀 元 素 :93 鎿 、94 钚 、95 镅 、96 锔 、97 锫 、98 锎 、99 釾 、100 钲
常 用 的 半 导 体 材 料<br />
元 素 半 导 体 : 是 由 单 一 元 素 制 成 的 半 导 体 材 料 。<br />
主 要 有 硅 、 锗 、 硒 、 硼 、 碲 、 锑 等<br />
以 硅 、 锗 应 用 最 广 。<br />
金 刚 石 结 构<br />
闪 锌 矿 的 结 构<br />
化 合 物 半 导 体 :<br />
二 元 系 化 合 物 半 导 体 :<br />
Ⅲ-Ⅴ 族 ( 如 砷 化 镓 、 磷 化 镓 、 磷 化 铟 等 );<br />
Ⅱ-Ⅵ 族 ( 如 硫 化 镉 、 硒 化 镉 、 碲 化 锌 、 硫 化 锌 等 );<br />
Ⅳ-Ⅵ 族 ( 如 硫 化 铅 、 硒 化 铅 等 );<br />
Ⅳ-Ⅳ Ⅳ 族 ( 如 碳 化 硅 ) 化 合 物 。<br />
三 元 系 和 多 元 系 化 合 物 半 导 体 :<br />
最 早 得 到 利 用 的 半 导 体 材 料<br />
都 是 化 合 物 , 例 如 方 铅 矿<br />
(PbS) 很 早 就 用 于 无 线 电 检<br />
波 , 氧 化 亚 铜 (Cu2O) 用 作<br />
固 体 整 流 器 , 闪 锌 矿 (ZnS)<br />
是 熟 知 的 固 体 发 光 材 料 , 碳<br />
化 硅 (SiC) 的 整 流 检 波 作 用<br />
也 较 早 被 利 用 。 硒 (Se) 是 最<br />
早 发 现 并 被 利 用 的 元 素 半 导<br />
体 , 曾 是 固 体 整 流 器 和 光 电<br />
池 的 重 要 材 料 。 元 素 半 导 体<br />
锗 (Ge) 放 大 作 用 的 发 现<br />
开 辟 了 半 导 体 历 史 新 的 一 页<br />
, 从 此 电 子 设 备 开 始 实 现 晶<br />
体 管 化 。<br />
主 要 为 三 元 和 多 元 固 溶 体 :<br />
高 温 宽 带 隙 半 导 体 材 料<br />
如 镓 铝 砷 、 镓 锗 砷 磷 等 固 溶 体 。<br />
碳 化 硅 , 蓝 宝 石 , 金 刚 石<br />
还 有 :Ⅰ-Ⅶ 族 化 合 物 ;Ⅴ-Ⅵ 族 化 合 物 的 温 差 电 材 料 ; 宽 禁 带 、 漂 移 速 度 、 击<br />
第 四 周 期 中 的 B 族 和 过 渡 族 元 素 氧 化 物 , 为 主 要 的 热 敏 电 阻 材 料 ; 穿 电 压 、 热 导 率 、 耐 高<br />
某 些 稀 土 族 元 素 与 Ⅴ 族 N、As 或 Ⅵ 族 S、Se、Te S 形 成 的 化 合 物<br />
温 等 优 良 特 性 , 在 高 温<br />
、 高 压 、 高 频 、 大 功 率<br />
有 机 化 合 物 半 导 体 :<br />
、 光 电 、 抗 辐 射 、 微 波<br />
有 萘 、 蒽 、 聚 丙 烯 腈 、 酞 菁 和 一 些 芳 香 族 化 合 物 等 还 处 于 研<br />
性 等 电 子 应 用 领 域 和 航<br />
究 阶 段 。 此 外 , 还 有 非 晶 态 和 液 态 半 导 体 材 料 , 这 类 半 导 体 与 晶 天 、 军 工 、 核 能 等 极 端<br />
态 半 导 体 的 最 大 区 别 是 不 具 有 严 格 周 期 性 排 列 的 晶 体 结 构 。 环 境 应 用 有 着 不 可 替 代<br />
的 优 势 。
自 从 1958 年 世 界 上 出 现 第 一 块 平 面 集 成<br />
电 路 开 始 算 起 , 在 短 短 的 五 十 年 中 , 微 电 子 技<br />
术 以 令 世 人 震 惊 的 速 度 突 飞 猛 进 地 发 展 , 创 造<br />
了 人 间 奇 迹 。 人 类 社 会 、 世 界 、 科 学 、 未 来 都<br />
离 不 开 微 电 子 。<br />
作 为 微 电 子 技 术 工 艺 基 础 的 微 光 刻 技 术 与<br />
微 纳 米 加 工 技 术 是 人 类 迄 今 为 止 所 能 达 到 的 精<br />
度 最 高 的 加 工 技 术 。<br />
1980 年 左 右 曾 经 有 人 预 言 : 光 刻 线 宽 不 能 小 于 1 微 米<br />
1989 年 曾 经 有 预 言 : 到 1997 年 光 刻 技 术 将 走 到 尽 头<br />
1994 年 也 曾 经 有 比 较 乐 观 的 长 期 预 测 ,2007 年 线 宽 达 到 01 0.1 微<br />
米 ( 保 守 的 预 计 为 0.5 微 米 )<br />
这 些 预 测 都 被 光 刻 技 术 神 话 般 的 进 步 的 步<br />
伐 远 远 抛 在 后 头 !<br />
过 去 的 几 十 年 中 证 明 , 只 要 通 过 光 刻 技 术 的 专 家 们 的 努 力 , 就 有 办 法 实 现 当 时 看<br />
来 已 经 超 过 现 有 光 刻 工 艺 物 理 极 限 的 加 工 精 度 , 不 断 地 编 写 着 新 的 神 话 。
摩 尔 定 律 — 半 导 体 工 业 界 的 信 仰<br />
事 实 上 , 摩 尔 定 律 并 不 是 一 个 物 理 定 律 , 而 是 一 种 预 言 , 一 张 时 间 表 。<br />
它 鞭 策 半 导 体 产 业 界 不 断 进 步 , 并 努 力 去 实 现 它 。<br />
从 根 本 上 讲 , 摩 尔 定 律 是 一 种 产 业 自 我 激 励 的 机 制 , 它 让 人 们 无 法 抗 拒 ,<br />
并 努 力 追 赶 , 谁 跟 不 上 , 谁 就 可 能 被 残 酷 地 淘 汰 。 摩 尔 定 律 已 成 为 一 盏 照 亮<br />
全 球 半 导 体 产 业 前 进 方 向 的 明 灯 。 而 且 , 时 间 表 不 断 地 往 前 提 , 逼 着 所 有 企<br />
业 奔 着 这 时 间 表 赶 !!<br />
CPU 集 成 度 每 两 年 翻 一 番<br />
DRAM 集 成 度 每 18 个 月 翻 一 番<br />
大 约 每 三 年 集 成 度 翻 二 番 (4 倍 );<br />
特 征 尺 寸 缩 小 到 0.7 倍 ( 一 个 技 术 节 点 )<br />
摩<br />
尔<br />
先<br />
生<br />
施<br />
敏<br />
先<br />
生<br />
施 敏 先 生 在 中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所
中 国 微 光 刻 与 微 纳 技 术 历 程 和 发 展 趋 势<br />
1968 1971 1974 1977 1980 1983 1986 1989 1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016<br />
546nm E 线 --10um<br />
8.0 um<br />
世 界 产 业<br />
1×10 12<br />
半 自 动 精 缩 机 与 劳 动 牌 光 刻 机 超 微 粒 干 板<br />
在 中 国 的 产 业<br />
光<br />
5.0 um3〞 3<br />
256×10 436nm E 线 +G 线 10-2.0um<br />
0um<br />
9<br />
刻 3.0 um<br />
4〞 3〞<br />
自 动 精 缩 机 与 劳 动 牌 光 刻 机 超 微 粒 干 板 + 铬 板<br />
64×10 9<br />
工 2.0 um<br />
436nm E 线 +G 线 2.0--0.5um 16G<br />
16×10 9<br />
艺<br />
4〞<br />
13um 1.3 5〞<br />
GCA3600+3696+ASML1500 5〞<br />
投 影 光 刻<br />
9<br />
特<br />
◆<br />
4×10<br />
0.8 um<br />
征 1980 年 最 细 线 宽 6〞<br />
1G<br />
1×10<br />
365nm 6〞 I 线 0.08--0.28um<br />
9<br />
0.5 um<br />
◆<br />
256×10<br />
尺 1.0um<br />
8〞 ASML5000 投 8〞 影 光 刻 + 电 子 束 制 版<br />
6<br />
035<br />
寸<br />
0.35um 1986 年 最 细 线 宽<br />
64×10<br />
248nm KrF 0.5--0.13um<br />
6<br />
0.25um 0.5um<br />
16M<br />
16×10<br />
JBX5000LS 电 子 束 光 刻<br />
6<br />
0.18um<br />
◆<br />
移 相 掩 模 研 究 达<br />
◆<br />
4×10 6<br />
12〞 193nm 12〞<br />
KrF 90--45um<br />
0.13um 0.18 ~0.2um<br />
1×10 芯<br />
1M<br />
PSM+OPC+OAI<br />
6<br />
90 nm<br />
1995 年 最 细 线 宽<br />
256×10 片<br />
MEBES4700S 电 子 束<br />
3<br />
64×10 3 集<br />
65 nm<br />
0.18um<br />
◆<br />
22um<br />
成<br />
45 nm<br />
◆193nm KrF 32--22um<br />
16K<br />
16×10 3<br />
中 国 研 究<br />
浸 没 透 镜 Immersion 度<br />
32 nm<br />
2004 年 最 细 线 宽<br />
4×10<br />
实 验 室<br />
两 3<br />
22 nm<br />
22~50nm<br />
◆次 成 像 Double-Patterning<br />
◆ 1×10 3<br />
JBX6300FS 100Kev 纳 米 电 子 束 直 写<br />
1968 1971 1974 1977 1980 1983 1986 1989 1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016<br />
尽 管 设 备 条 件 落 后 , 但 我 们 的 微 纳 加 工 技 术 的 研 发 始 终 紧 紧 咬 住 国 际 先 进 水 平 不 松 口
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
世 界 第 一 台 机 械 计 算 机<br />
1890<br />
五<br />
发 明 半 导 体 材 料<br />
1900 那 时 的 我 国 制 版 光 刻 还 是 个 空 白<br />
十 我 国 半 导 体 技 术 教 育 和 科 研<br />
世 界 第 一 台 电 子 管 计 算 机 ENIAC 1946<br />
年<br />
还 处 在 起 步 阶 段<br />
贝 尔 实 验 室 发 明 世 界 第 一 只 点 接 触 1947<br />
晶 体 管<br />
代<br />
1956 周 总 理 主 持 制 定 “ 十 年 科 学 技 术<br />
发 明 重 氮 萘 醌 酚 醛 树 脂 系 光 刻 胶 1950<br />
发 展 远 景 规 划 纲 要 ” 半 导 体 科<br />
半<br />
结 型 晶 体 管 诞 生 1950<br />
技 等 列 为 国 家 重 要 科 技 项 目 。<br />
导<br />
奥 耳 发 明 离 子 注 入 工 艺 1950 黄 昆 北 大 复 旦 南 大 厦 大 东 北 人 大 等 五<br />
体<br />
发 明 场 效 应 晶 体 管 1951 谢 希 德 校 在 北 大 成 立 联 合 半 导 体 专 门 化<br />
制<br />
发 表 集 成 电 路 设 想 1952 林 兰 英 中 国 科 学 院 应 用 物 理 所 成 立 半 导<br />
造<br />
制 成 硅 晶 体 管 1954<br />
王 守 武<br />
体 研 究 室<br />
基<br />
开 创 聚 乙 烯 醇 肉 桂 酸 酯 系 光 刻 胶 1954 1956 我 国 研 制 成 功 第 一 只 锗 合 金 晶<br />
富 勒 提 出 扩 散 结 工 艺<br />
1956 本<br />
体 管<br />
世 界 第 一 台 晶 体 管 计 算 机 TX-O<br />
1956 工<br />
1957<br />
艺<br />
我 国 建 立 第 一 条 半 导 体 实 验 线<br />
提 出 光 刻 工 艺 1957<br />
材<br />
研 制 成 功 锗 合 金 晶 体 三 极 管<br />
仙 童 半 导 体 第 一 只 商<br />
1957<br />
料<br />
1958 建 立 109 厂 ( 微 电 子 所 前 身 ) 研<br />
品 化 原 始 平 面 晶 体 管<br />
研<br />
制 的 锗 合 金 晶 体 三 极 管 和 磁 膜<br />
生 产 出 环 化 橡 胶 双 叠 氮 系 光 刻 胶 1958<br />
1958 发 存 贮 器 用 于 109 丙 计 算 机<br />
德 州 仪 器 研 制 成 功 世 界 第 一 块 数 字 集<br />
成 电 路 ( 锗 )<br />
的<br />
仙 童 半 导 体 研 制 世 界<br />
第 一 块 适 用 单 结 构 硅<br />
芯 片 集 成 电 路<br />
1959 十<br />
年
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
研 制 成 功 的 世 界 上 第 一<br />
1959<br />
六<br />
块 平 面 双 极 型 集 成 电 路<br />
• 人 工 为 主 的 制 版 光 刻 技 术 萌 芽 年 代<br />
十 沿 用 古 老 传 统 的 照 相 术 及<br />
卢 耳 发 明 外 延 生 长 工 艺 1960 年 显 微 镜 缩 小 曝 光 , 人 工 光 刻 ,<br />
研 制 出 外 延 平 面 晶 体 管<br />
1960<br />
代<br />
坐 标 纸 + 喷 黑 漆 铜 板 纸 + 手 术 刀 ,<br />
发 明 化 学 气 相 淀 积 技 术 1961<br />
精 度 和 特 征 尺 寸 为 几 十 微 米<br />
研 制 成 功 MOSFET 1962 半<br />
1960<br />
立 导 我 国 成 中 国 科 学 院<br />
MOS IC 制 造 工 艺 研 制 1962<br />
出 12 个 元 件 基 础 IC 模 块 体 半 导 体 研 究 所<br />
仙 童 提 出 互 补 金 属 氧 化 物 1963 制 和 河 北 半 导 体 研 究 所<br />
半 导 体 场 效 应 晶 体 CMOS<br />
造 1964<br />
我 国 研 制 成 功 第 一 只<br />
IC 制 造 工 艺<br />
从 硅 平 面 晶 体 管<br />
世 界 第 一 台 IC 计 算 机 1964 实 1965 我 国 研 制 成 功 第 一 块<br />
IBM-360<br />
验 硅 平 面 数 字 集 成 电 路<br />
提 出 1965 室 1968 我 国 研 制 成 功 第 一<br />
摩 尔 定 律 走 台 第 三 代 计 算 机<br />
研 制 出<br />
1965 向 1968 我 国 研 制 成 功<br />
100 个 元 件 的 小 规 模 集 成 电 路 (SSI) 生 PMOS 集 成 电 路<br />
1000 个 元 件 的 中 规 模 集 成 电 路 (MSI) 产 NMOS 集 成 电 路<br />
研 制 成 功 的 第 一 CMOS 门 阵 列 (50 门 )1966 的<br />
十<br />
开 发 超 微 粒 感 光 乳 胶 湿 板 制 造 工 艺 技 术<br />
世 界 第 一 条 2 英 寸 集 成 电 路 生 产 线 1966<br />
GCA 公 司 开 发 出 光 学 图 形 发 生 器 (PG) 1968 年<br />
开 发 超 微 粒 感 光 乳 胶 干 板 制 造 工 艺 技 术<br />
制 造 第 一 批 接 触 式 曝 光 小 掩 模 版<br />
和 分 步 重 复 精 缩 机 (PR)
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
斯 皮 勒 等 发 明 光 刻 工 艺 1970<br />
七<br />
Bell Western 开 发 出<br />
1970 十<br />
激 光 扫 描 图 形 发 生 器<br />
年<br />
研 制 出 1024 位 DRAM<br />
1971<br />
代<br />
进 入 LSI 时 代 ( 8 微 米 工 艺 )<br />
大<br />
研 制 出 第 一 块 微 处 理 器 4004<br />
Intel<br />
规<br />
世 界 第 一 条 3 英 寸 集 成 电 路 生 产 线 1972 模<br />
集<br />
1973 年 半 导 体 设 备 和 材 料 国 际 组 织 1973<br />
成<br />
(SEMI) 举 行 第 一 次 国 际 标 准 化 会 议<br />
电<br />
推 出 第 一 块 CMOS 微 处 理 器 1802 1974<br />
路<br />
研 制 成 功 8 位 处 理 器 4 微 米 工 艺<br />
制<br />
Dennard 提 出 等 比 例 缩 小 定 律 1974 造<br />
相 继 开 发 出 电 子 束 曝 光 机 、 投 影 光 刻 1974 设<br />
机 、 离 子 注 入 机 、 洁 净 室 等 关 键 工 艺 备<br />
设 备 技 术<br />
开<br />
世 界 第 一 条 4 英 寸 集 成 电 路 生 产 线 1975 发<br />
16K 位 DRAM 和 4K 位 SRAM 问 世 1976 的<br />
研 制 出 64K 位 DRAM 世 界<br />
1978 十<br />
进 入 VLSI 时 代<br />
年<br />
IBM 推 出 世 界 第 一 台 PC 机 (8088) 1979<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
1971<br />
我 国 研 制 成 功<br />
CMOS<br />
集 成 电 路<br />
我 国 进 入 大 规 模 集 成 电 路 (LSI) 研 制 时 代<br />
我 国 也 投 入 大 量 的 人 力 物 力 研 制 大 型 刻 绘<br />
图 机 、 大 型 照 相 机 、 图 形 发 生 器 、 超 微 粒<br />
干 版 E 线 精 缩 机 和 接 触 式 光 刻 机<br />
制 版 光 刻 精 度 1 微 米 、 特 征 尺 寸 为 十 微 米<br />
1975 我 国 研 制 成 功 1024 位 DRAM<br />
1975 北 京 大 学 研 制 成 功 我 国 第 一 台 100<br />
万 次 计 算 机<br />
1976 中 科 院 研 制 成 功 我 国 第 一 台 1000<br />
万 次 计 算 机<br />
1977<br />
我 国 研 制 成 1024 位<br />
PMOS GaAs 场 效 应<br />
1978 我 国 研 制 成 功<br />
4096 位 N 沟 DRAM<br />
GaAs 单 片 IC<br />
1978 我 国 第 一 条 2 英 寸 集 成 电 路 生 产 线
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
研 制 出 256K DRAM 和 64KCMOSSRAM<br />
1980<br />
研 制 出 世 界 上 第 一 台 便 1981<br />
携 式 计 算 机 Osborne I<br />
世 界 第 一 条 5 英 寸 集 1982<br />
成 电 路 生 产 线<br />
研 制 出 16 位 微 处 理 器 1.5 微 米 工 艺 1983<br />
80286 CPU<br />
1984<br />
80C86 CPU<br />
研 制 出 1M DRAM<br />
研 制 出 32 位 微 处 理 器 1 微 米 工 艺<br />
1985<br />
80386 CPU 20MHz<br />
世 界 第 一 条 6 英 寸 集 成 电 路 生 产 线 1986<br />
研 制 出 4M DRAM<br />
1986<br />
世 界 进 入 集 成 度 达 1 亿 个 单 元 的 极<br />
大 规 模 集 成 电 路 (ULSI) 时 代<br />
开 发 出 准 分 子 激 光 光 源 的 曝 光 工 艺<br />
1987<br />
世 界 第 一 条 8 英 寸 集 成 电 路 生 产 线 1988<br />
研 制 出 16M 位 DRAM, 进 入 ULSI 时 代 1988<br />
研 制 出 32 位 80486 微 处 理 器 25、50MHz 50MH<br />
1989<br />
1 微 米 、 0.8 微 米 CMOS 工 艺 120 万 个 晶<br />
体 管 ; 1MB DRAM 进 入 市 场<br />
八<br />
十<br />
年<br />
代<br />
集<br />
成<br />
电<br />
路<br />
制<br />
造<br />
进<br />
入<br />
自<br />
动<br />
化<br />
大<br />
生<br />
产<br />
的<br />
十<br />
年<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
1980 我 国 第 一 条 3 英 寸 集 成 电 路 生 产 线<br />
江 南 无 线 电 器 材 (742)<br />
1980 我 国 研 制 成 功 1024 位 SRAM;8<br />
位 微 处 理 器<br />
1982<br />
研 制 成 4096 位 SRAM;16K DRAM<br />
1982 国 务 院 成 立 计 算 机 和 IC 领 导 小 组<br />
1984 改 名 为 国 务 院 电 子 振 兴 领 导<br />
小 组 ; 提 出 建 立 南 北 基 地 航 天 点<br />
1984 研 制 成 硅 栅 CMOS 1024 位 DRAM<br />
1985 我 国 引 进 一 批 GCA 光 学 曝 光 系 统<br />
1985 研 制 成 16K SRAM;16 位 微 处 理 器<br />
1986 厦 门 七 五 IC 普 5 发 3 攻 1 发 展 战 略<br />
1986 我 国 研 制 成 功 64K DRAM<br />
1987 我 国 原 国 家 标 准 局 组 织 成 立<br />
“SEMI 标 准 研 究 与 转 化 ” 协 调 小<br />
组<br />
1988 我<br />
翻<br />
国<br />
译<br />
第<br />
出<br />
一<br />
版<br />
条<br />
SEMI<br />
4 英 寸<br />
标<br />
集<br />
准<br />
成<br />
1987<br />
电 路<br />
中<br />
生<br />
译<br />
产<br />
版<br />
线<br />
1989 无 锡 八 五 IC 战 略 研 讨 加 快 基 地 建 设<br />
标 志 着 我 国 也 进 入 VLSI 和 微 米 级 微 细<br />
加 工 技 术 时 代 ; 掩 模 制 造 业 形 成 规 模<br />
分 辨 率 优 于 1.25 微 米 以 CAD 制 版 为 主
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
研 制 出 64M DRAM 1990 九<br />
1990<br />
我 国 成 立 南 方 产 业<br />
80586 CPU 0.8 微 米 工 艺<br />
1991 十 基 地 北 方 研 究 基 地<br />
研 制 出 64 位 微 处 理 器<br />
1992 年<br />
1990 国 家 计 委 机 电 部 决 定 实 施<br />
研 制 出 256M DRAM<br />
1993 代<br />
908 工 程 目 标 达 到 05-0 0.5-0.8 微 米 工 艺<br />
集<br />
研 制 出 66MHz Pentium 微 处 理 器 1993 1991 我 国 研 制 成 功<br />
成<br />
研 制 出 64 位 Pentium MMX 微 处 理 1995<br />
1M 汉 字 ROM2000 门 门 阵 列<br />
电<br />
器 133-200M 06035 0.6-0.35 微 米 工 艺<br />
路<br />
1991 9 月 24 日 国 家 技 术 监 督 局 组 织 成 立<br />
特 “ 中 国 SEMI 标 准 化 工 作 组 ”<br />
征 翻 译 出 版 SEMI 标 准 1990 中 译 版<br />
尺<br />
1992<br />
成 立 “SEMI 中 国 标 准 化 委 员 会<br />
研 制 出 1G DRAM<br />
1996 寸 1992 我 国 第 一 条 5 英 寸 ” 集 成<br />
世 界 进 入 集 成 度 达 10 亿 个 单 元 的 向 电 路 生 产 线<br />
巨 大 规 模 集 成 电 路 (GLSI) 时 代<br />
深<br />
1994<br />
我 国 第 一 条 6 英 寸 集 成<br />
研 制 出 64 位 Pentium II 微 处 理 器 1997 亚 电 路 生 产 线<br />
微 1995 我 国 研 制 成 功 万 门 门 阵 列 0.5 um<br />
233-453M 0.35-0.25 微 米 工 艺<br />
世 界 第 一 条 12 英 寸 集 成 电 路 生 产 线<br />
1999<br />
米<br />
1995<br />
电 子 部 开 始 实 施 909 工 程<br />
1999<br />
推 1999 我 国 第 一 条 8 英 寸 集 成 电 路 生 产 线<br />
研 制 出 64 位 Pentium III 微 处 理 器<br />
进 2 月 工 艺 技 术 提 升 到 0.35 微 米 工 艺<br />
450-550M 0.25 微 米 工 艺<br />
的<br />
我 国 开 展 亚 微 米 加 工 技 术 研 究 ,<br />
研 制 出 1G 位 SDRAM<br />
1999<br />
十 逐 渐 进 入 以 EB 高 精 度 制 版 光 刻 年 代<br />
0.18 微 米 工 艺<br />
年 特 征 尺 寸 近 0.5 微 米 邻 接 精 度 0.1 微 米<br />
研 制 出 光 子 计 算 机 芯 片<br />
1999
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
研 制 出 Pentium IV 微 处<br />
2000<br />
二<br />
2000 我 国 大 量 引 进 外 资 (140 亿 $)<br />
理 器 1G-3GHz 0.18-0.13<br />
十<br />
微 电 子 代 工 如 雨 后 春 笋<br />
微 米 工 艺<br />
一<br />
世<br />
2001<br />
研 制 成 功 90nm CMOS 器 件<br />
纪 2002 研 制 成 功 50 nm 平 面 双 栅<br />
初 42nm CMOS 器 件<br />
AMD 研 制 成 功 50 nm CMOS 器 件<br />
2000<br />
进<br />
2003<br />
研 制 成 功 27nmCMOS 器 件<br />
NEC 研 制 成 功 45 nm CMOS 器 件<br />
入<br />
AMD 研 制 成 功 35 nm CMOS 器 件<br />
2003<br />
纳<br />
全 国 标 准 化 技 术 管 理 委 员 会<br />
Intel 研 制 成 功 30 nm CMOS 器 件<br />
SEMI 中 国 更 名 为 “ 全 国 半 导 体<br />
米<br />
AMD 研 制 成 功 15nm NMOS 器 件 2001<br />
设 备 与 材 料 标 准 化 技 术 委 员 会 ”<br />
器<br />
Intel 研 制 成 功 15 nm NMOS 器 件 2002 件<br />
申 请 筹 建 “ 微 光 刻 分 技 术 委 员 会<br />
研 制 出 64 位 Pentium MMX 微 处 理 器 2004 ”<br />
和 2004 研 制 成 功 22nmCMOS 器 件<br />
200M 90nm CMOS 器 件 达 到 量 产<br />
电 2004 我 国 第 一 条 12 英 寸 集 成 电 路 生 产 线<br />
Intel 推 出 基 于 65nm 工 艺 的 处 理 器 2005<br />
路 2004 中 芯 国 际 ( 北 京 ) 公 司 ;0.18 -<br />
Intel 推 出 基 于 45nm 工 艺<br />
2007<br />
研 0.13 微 米 工 艺 ;65-90nm 工 艺<br />
的 处 理 器<br />
发 2006 成 立 “ 全 国 纳 米 技 术 标 准 化 技 术<br />
Intel 完 成 基 于 32nm 的<br />
的 委 员 会 / 纳 米 加 工 技 术 工 作 组 ”<br />
制 造 工 艺 开 发<br />
2008 新<br />
IBM 展 示 22nm 的 EUV 光 刻 验 证 芯 片 2009 纪<br />
2006 《 国 家 中 长 期 科 学 和 技 术 发 展 规<br />
9 月 Intel 第 一 次 向 世 人<br />
元<br />
划 纲 要 (15 年 )》 启 动 16 个 专 项<br />
2009<br />
展 示 了 22nm 工 艺 晶 圆 。<br />
我 国 已 经 迈 进 到 纳 米 器 件 研 究
世 界 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
中 国 IC 与 微 光 刻 发 展 史<br />
二<br />
年 初 ,IBM 展 示 了 全 世 界 第 一 块<br />
2011 十 2011 国 家 “ 十 二 . 五 ” 全 面 启 动 , 与 微<br />
20nm 工 艺 晶 圆 , 使 用 了 HKMG 和 一 电 子 直 接 相 关 的 01、02、03 专 项 研<br />
Gate-Last 技 术<br />
世 究 工 作 全 面 铺 开 。 开 展 22nm、16nm<br />
7 月 三 星 也 宣 布 完 成 了 全 球 第 一 颗<br />
2011<br />
纪 、10nm 纳 米 极 大 规 模 集 成 电 路 研 究<br />
20nm 工 艺 试 验 芯 片 的 流 片<br />
一 2011 11 月 “ 全 国 半 导 体 设 备 与 材 料 标<br />
8 月 GlobalFoundries(AMD ) 宣 布 , 2011 十 准 化 技 术 委 员 会 / 微 光 刻 分 技 术 委<br />
20nm 工 艺 试 验 芯 片 成 功 流 片<br />
年 员 会 ( 筹 )” 全 体 会 议 在 深 圳 召<br />
TSMC( 台 积 电 ) 具 有 22/20 纳 米 2011<br />
代<br />
2012<br />
开<br />
工 艺 节 点 的 制 造 能 力<br />
我 国 继 续 引 进 一 批 纳 米 电 子 束 光 刻<br />
04 月 24 日 英 特 尔 发 布 核 心 代 号 为<br />
2012<br />
微<br />
系 统 , 中 芯 国 际 引 进 32 纳 米 先 进 掩<br />
Ivy Bridge 的 首 款 22 纳 米 工 艺 第 三 电<br />
模 制 造 电 子 束 曝 光 系 统<br />
代 酷 睿 处 理 器 。 3D/ 14 亿 个 晶 体 管 子<br />
进<br />
入<br />
纳<br />
米<br />
国 家 科 技 重 大 专 项 支 持 “ 极 大 规 模 集 成<br />
电 路 制 造 装 备 及 成 套 工 艺 研 究 项 目 ”<br />
工<br />
芯 片 特 征 尺 寸 将 推 进 到 32nm 节 点 2013 艺 国 内 微 光 刻 半 导 体 设 备 与 材 料 企 业 发 展<br />
芯 片 特 征 尺 寸 将 推 进 到 22nm 节 点 2016 时<br />
壮 大 : 北 京 中 微 半 导 体 装 备 、 上 海 微 电<br />
芯 片 特 征 尺 寸 将 推 进 到 16nm 节 点 2019<br />
代 子 装 备 、 沈 阳 半 导 体 装 备 、 清 溢 、 瑞 择<br />
、 芯 硕 、 路 维 、 龙 图 、 微 影 、 维 格 等 等<br />
芯 片 特 征 尺 寸 将 推 进 到 10nm 节 点 2025
微 电 子 学<br />
微 纳 电 子 学<br />
光 子 计 算 机<br />
微 光 学 军 用 光 学<br />
光 学 分 子 计 算 机<br />
智 能 计 算 机 光 电 子 学 信 息 光 学<br />
量 子 光 学 生 物 分 子 计 算 机<br />
智 能 电 子 系 统 集 成 光 电 子 学 导 波 光 学 自 组 装 技 术 Bottom-UP<br />
电 磁 波 调 制<br />
“ 超 材 料 ”Metamaterialt t il<br />
薄 膜 光 学<br />
编 码 密 码 学<br />
DNA 计 算 机<br />
离 心 铁 磁 旋 转 电 子 学 声 子 光 子 晶 体 左 旋 结 构 手 性 材 料<br />
仿 生 学<br />
神 经 元 网 络<br />
磁 通 量 子 器 件 半 导 体 太 阳 能 技 术 半 导 体 激 光 微 流 体<br />
微 光 机 电 系 统 集 成 系 统<br />
位 相 光 学<br />
集 成 激 光 器<br />
生 物 芯 片<br />
超 分 子 化 学<br />
模 糊 传 感 器 超 导 微 电 子 学 衍 射 光 学 二 元 光 学 有 机 微 电 子 学 生 物 电 子 学<br />
微 机 器 人 微 传 感 器 技 术 声 表 面 波 技 术 分 子 生 物 化 学 分 子 电 子 学<br />
微 机 械<br />
微 光 刻 微 纳 加 工 1995 2005 2015<br />
纳 电 子<br />
微 电 子 机 械 系 统 MEMS 硅 微 电 子 工 艺 技 术 纳 米 电 子 学 电 磁 波 计 算 机<br />
纳 电 子 机 械 系 统 NEMS 技 固 体 电 子 学 固 体 纳 电 子 学 模 糊 计 算 学 云 计 算<br />
多 芯 片 组 件<br />
真 空 微 电 子 学<br />
术<br />
微 波 电 子 学 单 电 子 学<br />
电 子 波 晶 体 管<br />
MCM EDA 集 成 微 电 子 学 电 子 束 光 刻 技 术 量 子 电 子 学<br />
亲 光 刻 工 艺 设 计 规 则 LFD 下 一 代 光 刻 技 术 NGL 电 子 自 旋 核 自 旋<br />
可 制 造 性 设 计 DFM 分 辩 率 增 强 技 术 RET<br />
量 子 比 特<br />
量 子 波 函 数<br />
系 统 芯 片 设 计 SOC PSM OPC 纳 米 CMOS 器 件 量 子 计 算 机<br />
新 设 计 新 材 料 、 新 结 构 、 新 器 件<br />
微 电 子<br />
纳 米 计 算 机<br />
TOP-down<br />
脚 踏 实 地<br />
上 天 入 地
东 北 微 电 子 所 -47[EB] GCA 中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所 国 家 纳 米 科 学 中 心 {EB}<br />
微 细 加 工 与 纳 米 技 术 实 验 室<br />
河 北 半 导 体 所 -13[EB]GCA<br />
中 科 院 电 工 所 [EB]<br />
[ EB]{EB}(GCA)<br />
中 科 院 物 理 所 {EB}<br />
武 汉 华 中 科 技 大 学 {EB} 其 他 微 纳 米 加 工 平 台<br />
中 科 院 半 导 体 所 {EB}<br />
国 防 科 大 , 中 国 科 大 {EB} 厦 门 大 学 ;<br />
北 京 大 学 {EB}<br />
西 安 771 所 GCA 大 连 理 工 大 学 ; 哈 尔 滨 工 大<br />
清 华 大 学 {EB}<br />
西 北 工 业 大 学 ; 中 北 大 学<br />
西 安 交 通 大 学 {EB}<br />
北 京 机 械 部 自 动 化 所 GCA<br />
29 所 ;45 所 ;214 所<br />
南 京 55 所 {EB}GCA;DWL 浙 江 大 学 ; 邮 电 大 学 北 京 华 威 电 子 厂 878;GCA<br />
长 春 光 机 所<br />
北 京 11 所 ATD 2000<br />
南 京 大 学 {EB}<br />
长 春 理 工 光 学 博 物 馆<br />
山 东 大 学 {EB}<br />
中 科 院 苏 州 纳 米 所 {EB}<br />
复 旦 大 学 , 上 海 交 大 {EB}<br />
合 肥 芯 硕 电 子 有 限 公 司<br />
中 科 院 微 系 统 所 {EB}<br />
苏 州 微 影 兄 弟 联 合 科 技 公 司<br />
常 州 瑞 择 微 电 子 公 司<br />
无 锡 华 润 掩 模 制 造 [EB]GCA<br />
无 锡 58 所 掩 模 制 造 ( 卓 越 )<br />
上 海 [EB] 中 芯 国 际 光 掩 模 厂<br />
中 科 院 成 都 光 电 所 {EB}3D 上 海 [EB] 凸 版 光 掩 模 公 司<br />
重 庆 26 所 重 庆 24 所<br />
清 溢 精 密 光 电 ( 深 圳 )<br />
有 限 公 司 [LPG]DWL CORE<br />
上 海 [EB]Photrnics 掩 模 公 司<br />
长 沙 普 照 电 子 材 料 公 司<br />
台 湾 新 竹 科 技 园<br />
路 维 电 子<br />
台 湾 光 罩 等 [EB]<br />
长 沙 韶 光 铬 板 厂<br />
美 精 维 电 子<br />
香 港 科 技 大 学 [EB]<br />
中 山 大 学 {EB}<br />
龙 图 电 子<br />
香 港 中 文 、 城 市 大 学 [EB]
国 内 目 前 电 子 束 直 写 与 光 学 制 版 设 备 状 况<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 所 :JBX-6300FS /5000LS/ 6AII ; MEBES 4700S; GCA3600/3696;(NBL )<br />
无 锡 华 润 华 晶 : ZBA-23;JBX 6AII;MEBES 4500、5000S;ALTA3900;GCA3066/3696<br />
5000S 无 锡 58 所 信 息 产 业 掩 模 制 造 ( 原 香 港 卓 越 (RMTC) 掩 模 公 司 :LEICA SB350 )<br />
清 溢 精 密 光 电 ( 深 圳 ) 有 限 公 司 : GS MaskWrite 800; DWL 200/400<br />
沈 阳 东 北 微 电 子 (47) 所 : MEBES 4500;GCA 3696<br />
石 家 庄 中 电 集 团 13 所 :LEICA VB5 ; 英 国 NBL ;GCA3066/3696; ATD 2000 位<br />
南 京 中 电 集 团 55 所 : 英 国 NBL (5 台 +1?);GCA3066/3696; DWL 200/2000<br />
北 京 大 学 :<br />
英 国 NBL (nB3+nB5?);( 北 京 大 学 电 子 系 :RAITH 150 +FIB)<br />
西 安 771; 重 庆 24 所 ; 北 京 机 械 自 动 化 所 ; 北 京 878 厂 : GCA3600/3696<br />
清 华 大 学 : JEOL JBX-6300FS ; 中 科 院 微 系 统 所 :(JBX-6300FS)<br />
中 科 院 物 理 所 :(JEOL JBX-6300FS ) RAITH 150 ; 中 科 院 半 导 体 所 : RAITH 150<br />
复 旦 大 学 (JEOL JBX-6300FS) ; 上 海 交 大 ; 成 都 光 电 所 ;<br />
中 科 院 苏 州 纳 米 研 究 所 :JEOL JBX-5500FS; 中 科 院 长 光 医 工 所 :RAITH 150<br />
国 家 纳 米 中 心 : Vistec EBPG 5000 Plus ES; 武 汉 华 中 科 技 大 学 :EBPG G 5000 ES<br />
中 山 大 学 : ( Vistec EBPG 5000 ); e_LiNE+probe;<br />
西 安 交 通 大 学 : 日 本 Crestec CABL9000; 长 沙 国 防 科 技 大 学 : Crestec<br />
南 京 大 学 : 日 本 Elionix; eLiNE _ +EBID ; 中 国 科 技 大 学 : eLiNE; _<br />
浙 江 大 学 ; 厦 门 大 学 ; 邮 电 大 学 等 ; 中 电 29 所 ; 航 天 13 所 ; 上 海 技 物 所 ( 欲 引 进 EBL)<br />
山 东 大 学 和 中 科 院 电 工 所 : 基 于 SEM 自 行 改 造 和 JBX 6AII; 工 信 部 11 所 ATD1000/ 2000<br />
中 芯 国 际 光 掩 模 厂 :JEOL JBX 3030;JEOL JBX 3040 ;JEOLJBX3200(32nm 节 点 )<br />
上 海 凸 版 ( 杜 邦 ) 光 掩 模 公 司 :MEBES III ;ALTA;( 上 海 Photrnics 掩 模 公 司 :HITACHI)<br />
香 港 科 技 大 学 :JEOL JBX-6300FS; 城 市 大 学 Crestec CAL9000; 中 文 大 学<br />
台 湾 光 罩 为 代 表 的 掩 模 制 造 与 微 奈 加 工 : 几 十 台 MEBES;JBX;HITACHI;LEICA/Vistec
PSM<br />
移 相 掩 模 技 术<br />
Phase-Shift Masks<br />
交 替 形 移 相 掩 模<br />
解 决 位 相 冲 突 问 题 的 研 究<br />
T 型 结 构 位 相 冲 突<br />
T 型 间 隙 位 相 冲 突<br />
狗 腿 ( 奇 偶 ) 位 相 冲 突<br />
狗 腿 间 隙 位 相 冲 突<br />
亮 场 移 相 掩 模 曝 光 后<br />
多 余 线 条 的 去 除 方 法 的 研 究
OPC<br />
光 学 邻 近 效 应 校 正 技 术<br />
Optical Proximity Effect Correction<br />
对 三 类 光 刻 图 形 畸 变 进 行 几 何 修 正 : 线 条 头 部 缩 短 (pulling back at the end of the<br />
narrow line); 线 条 宽 度 变 化 (width variation); 拐 角 变 圆 (corner rounding)<br />
光 学 临 近 效 应 的 图 形 几 何 修 正 方 法<br />
Original 原 始 设 计 图 形<br />
Hammer-head 锤 头 Variation 线 宽 修 正 Bias 图 形 偏 置 Edges Jogs 边 缘 微 调<br />
inner and outer Serifs<br />
内 / 外 角 挖 去 / 添 加 附 加 方 块<br />
Scattering Bars<br />
附 加 亚 分 辨 率 散 射 条<br />
亚 分 辨 率 辅 助 特 征 线 条 插 入<br />
技 术 (SRAFs;Sub-<br />
Resolution Assist Features)<br />
散 射 条 插 入 技 术 (Scattering<br />
Bar)<br />
反 向 光 刻 技 术 (ILT;<br />
Inverse Lithography<br />
Technology)<br />
根 据 修 正 规 则 实 施 的 OPC<br />
设 计 版 图<br />
S<br />
W<br />
校 正 后 版 图<br />
W<br />
( 宽 度 )<br />
S ( 间 距 )<br />
根 据 光 衍 射 物 理 模 型 实 施 的 OPC<br />
OPC 模 拟<br />
λ=365nm ,0.5μm 的 孤 立 孔 , 重 叠 率 为 25%,50%,75%,1<br />
校 正 过 程<br />
版 图 设 计<br />
快 速 光 刻 模 型<br />
校 正 后 版 图<br />
校 正 前 曝 光 结 果<br />
校 正 后 曝 光 结 果<br />
λ=365nm ,NA=0.42,0.5μm 的 π 形 线
离 轴 照 明 改 善 焦 深
浸 没 透 镜 ( Immersion) 光 刻 的 突 破<br />
分 辨 率 = k1 λ<br />
NA = k1<br />
λ nsin<br />
θ , n ><br />
1,<br />
NA ><br />
1<br />
193nm 光 源 有 望 实 现 : 0.13um-90nm-65nm-45nm-32nm<br />
最 后 一 个 透<br />
镜<br />
传 统 的 光 刻 机 ( 空 气 中 )<br />
折 射 率 n=1,NA1<br />
抗 蚀 剂 磷 酸 折 射 率 为 1.54 NA = nsin θ = 1. 3<br />
正 在 开 发 折 射 率 达 到 1.65-1.75<br />
硅 片<br />
的 高 折 射 率 的 第 三 代 浸 没 液 体<br />
浸 没 透 镜 光 刻 的 突 破 为 产 业 节 约 了 大 量 资 金<br />
和 新 光 学 鏡 头 材 料<br />
提 高 光 刻 分 辨 率 有 三 种 途 径 。 一 是 缩 短 曝 光 光 源 波 长 , 需 要 高 昂 的 设 备 原 理 性 换 代 ; 二 是 改 善<br />
工 艺 因 子 K1, 其 代 价 是 缩 小 了 制 造 工 艺 窗 口 , 同 时 还 需 要 改 变 集 成 电 路 版 图 的 设 计 规 则 、 改 善 光 刻<br />
胶 的 工 艺 和 分 辨 率 增 强 技 术 , 但 还 难 以 满 足 45nm 节 点 生 产 的 需 求 ; 所 以 需 要 回 过 头 来 在 改 善 光 学 系<br />
统 数 值 孔 径 上 做 文 章 了 ( 即 第 三 条 途 径 )。 目 前 要 继 续 提 高 光 学 透 镜 的 数 值 孔 径 需 要 设 计 更 大 口 径 更<br />
复 杂 的 镜 头 已 经 不 太 切 合 实 际 , 因 此 光 刻 专 家 们 根 据 高 倍 油 浸 显 微 镜 提 高 分 辨 率 的 原 理 , 设 法 在 曝 光<br />
镜 头 的 最 后 一 个 镜 片 与 硅 片 之 间 增 加 高 折 射 率 介 质 以 达 到 提 高 分 辨 率 的 目 的 , 因 为 提 高 该 介 质 的 折 射<br />
率 可 以 加 大 光 线 的 折 射 程 度 , 等 效 地 加 大 镜 头 口 径 尺 寸 与 数 值 孔 径 , 同 时 可 以 显 著 提 高 焦 深 (DOF)<br />
和 曝 光 工 艺 的 宽 容 度 (EL)。<br />
光 刻 设 备 领 域 ASML、Nikon、Canon “ 三 国 演 义 ”, 浸 没 式 光 刻 为 主 角
两 次 间 隙 嵌 套 曝 光 技 术<br />
( 双 重 图 形 double patterning 或 双 重 显 影 double processing)<br />
两 次 曝 光 技 术 的 应 用 目 前 特 别 为 人 们 关 注 , 把 原 来 一 次 光 刻 用 的 掩 模<br />
图 形 交 替 式 地 分 成 两 块 掩 模 , 每 块 掩 模 上 图 形 的 分 辨 率 可 以 减 少 一 半 , 减 少<br />
了 曝 光 设 备 分 辨 率 的 压 力 , 同 时 还 可 以 利 用 第 二 块 掩 模 版 对 第 一 次 曝 光 的 图<br />
形 进 行 修 整<br />
两 次 曝 光 是 有 效 地 拓 展 现 有 光 刻 曝 光 设 备 的 技 术 延 伸 , 不 必 等 待 更 高 的<br />
分 辨 率 和 更 高 数 值 孔 径 系 统 的 出 现 就 可 以 投 入 下 一 个 节 点 产 品 的 生 产<br />
但 两 次 曝 光 技 术 也 有 它 的 问 题 , 如 对 套 刻 精 度 要 求 更 苛 刻 和 生 产 效 率 降<br />
低 的 问 题 。<br />
两 次 曝 光 一 次 显 影 一 次 刻 蚀 ; 两 次 曝 光 技 术 DP<br />
两 次 曝 光 两 次 显 影 三 次 刻 蚀 ( 一 次 沉 积 ); 三 次 曝 光 技 术 TP<br />
两 次 曝 光 一 次 固 化 一 次 显 影 一 次 刻 蚀 ; 多 次 曝 光 技 术 MP<br />
一 次 曝 光 一 次 显 影 一 次 侧 墙 沉 积 一 次 刻 蚀 一 次 转 移 。 自 对 准 技 术 SP<br />
同 样 需 要 解 决 “ 分 色 ” 冲 突 问 题<br />
光 刻 胶 ( 正 胶 )<br />
涂 胶 - 曝 光 - 第 二 次 曝 光 - 显 影 - 刻 蚀 ( 减 少 干 涉 )
0.7<br />
0.6<br />
0.5<br />
0.4<br />
0.3<br />
0.2<br />
0.1<br />
0<br />
Misalignment<br />
可 制 造 性 设 计 Design For Manufacturability - DFM<br />
基 于 光 刻 ( 可 制 造 性 ) 的 版 图 设 计 规 则 ( LFD - Lithography friendly design<br />
光 刻 友 好 设 计 (Litho-Friendly Design) rules 反 向 ) 光 刻 (Inverse Lithography Technology -ILT)<br />
抗 工 艺 偏 差 设 计 (Process-Aware Design) 数 字 光 刻 (Digital Lithography Technology -DLT)<br />
曝 光 光 源 与 掩 模 图 形 匹 配 优 化 设 计 技 术<br />
(Source Mask Optimization –SMO) (Cadence SMO)<br />
亚 分 辨 率 ( 超 成 像 极 限 ) 辅 助 图 形 Sub-Resolution Assist Feature (SRAF) 技 术<br />
(RBAF / MBAF) (OPC)<br />
原 始 版 图 OPC 版 图 OPC+PSM 版 图<br />
Layout<br />
Metric<br />
Misalignment<br />
Exposure<br />
Process Margin<br />
0.7<br />
0.6<br />
0.5<br />
0.4<br />
0.3<br />
0.2<br />
0.1<br />
0<br />
0.7<br />
0.6<br />
0.5<br />
0.4<br />
Defocus<br />
−3.0 σ<br />
−2.5 σ<br />
1.0 σ<br />
0.5 σ<br />
0.0 σ<br />
−0.5 σ<br />
−1.0 σ<br />
−1.5 σ<br />
−2.0 σ<br />
3.0 σ<br />
2.5 σ<br />
2.0 σ<br />
1.5 σ<br />
Yield<br />
1.2<br />
0.3<br />
1<br />
0.25<br />
0.8<br />
0.2<br />
0.6<br />
0.15<br />
0.4<br />
0.1<br />
p(spacing)<br />
0.3<br />
0.2<br />
0.2<br />
0.05<br />
0.1<br />
0<br />
0<br />
0<br />
0.02<br />
0.04<br />
0.06<br />
0.08<br />
0.1<br />
Yield Loss<br />
Spacing<br />
0.12<br />
0.14<br />
0.16<br />
0.18<br />
coverage<br />
0.2<br />
0
电 子 束 光 刻 技 术<br />
E-Beam Lithography
JEOL 电 子 束 光 刻 系 统 发 展 史 及 在 中 国 的 设 备<br />
SPOT BEAM<br />
VARIABLE SHAPED BEAM<br />
30kV JBX-2A/2B<br />
1967<br />
高 斯 束<br />
变 形 束<br />
20kV<br />
纳 米 制 造<br />
JBX-4A/4B<br />
掩 模 制 造<br />
JBX-5A<br />
1974 (Mask Making)<br />
(EB Direct Writing)<br />
W<br />
1977<br />
微 电 子 所 / 电 工 所<br />
JBX-6A<br />
无 锡 华 润<br />
50kV JBX-5A6 1981<br />
JBX-5D<br />
1982<br />
JBX-6AII EB-57<br />
JBX-5R<br />
JBX-5DII<br />
1985<br />
EB-60<br />
LaB6<br />
1986 JBX-6AIII<br />
TEG<br />
JBX-5EF<br />
1987<br />
1988<br />
JBX-8600DV<br />
微 电 子 所<br />
JBX-6000FS<br />
ZrO/W<br />
1990 JBX-7000MV<br />
40kV<br />
JBX-5000LS<br />
TFEG 1995 JBX-7000MVII<br />
JBX-9300FS 1998 JBX-9000MV 50kV<br />
JBX-5000LSE JBX-6000FSE<br />
2001 JBX-9000MVII 上 海 中 芯 国 际<br />
苏 州 纳 米 所<br />
100kV 2002 JBX-3030MV<br />
JBX-3040MV<br />
2005<br />
JBX-5500FS JBX-6300FS<br />
JBX-9500FS JBX-3050MV<br />
2011<br />
微 系 统 所 物 理 所 微 电 子 所 清 华 复 旦 三 星 芬 兰 康 奈 尔 JBX-3200MV
Vistec 电 子 束 光 刻 系 统 发 展 史 及 在 中 国 的 设 备<br />
Philips<br />
1962 EBM1<br />
1966 EBM2<br />
1968 EBM3<br />
1972 EBM4<br />
1978 EBPG3<br />
1985 EBPG-4<br />
1988 EBPG-4HR<br />
1996<br />
Philips<br />
Redhill UK<br />
Research<br />
Programme<br />
Gaussian Beam<br />
Leica Cambridge Ltd<br />
1990 EBML300<br />
EBPG-5HR<br />
1995 VB-5HR<br />
VB-6HR<br />
EBL100<br />
Cambridge Instruments<br />
1966<br />
UK<br />
1971<br />
EBMF1 1974<br />
EBMF2 1976<br />
EBMF6.5 1980<br />
EBMF10.5 1985<br />
EBMF10.5CS 1986<br />
EBMF10.5/ CS12<br />
1988<br />
0<br />
石 家 庄 13 所<br />
Government<br />
Research<br />
Contract<br />
无 锡 华 润<br />
Carl Zeiss Jena<br />
Shaped Beam<br />
Leica Lithography Systems Ltd / Leica Lithography Systems GmbH<br />
ZBA10 1976<br />
ZBA10/1 1978<br />
ZBA20 1982<br />
ZBA21 1987<br />
Jenoptik<br />
ZBA23 1991<br />
LION LV1 1994<br />
ZBA31/32<br />
1995<br />
VB 6HR<br />
EBPG-5000<br />
1998 Leica Microsystems Lithography<br />
SB 31/32<br />
SB 350<br />
2005<br />
VB300, VB6UHR EWF<br />
SB3050 , SB250 , SB350, SB351<br />
EBPG-5000p, EBPG-5000p ES<br />
Vistec<br />
国 家 纳 米 中 心 中 山 大 学 武 汉 华 中<br />
无 锡 58 所 ( 卓 越 )
ETEC MEBES EB 图 形 发 生 器 发 及 在 中 国 的 设 备<br />
GCA 光 学 图 形 发 生 器<br />
1968 GCA PG<br />
GCA 3000<br />
GCA 3595<br />
GCA 3600<br />
GCA 3696<br />
GCA 4800<br />
DSW<br />
GCA 6000<br />
DSW<br />
1985<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 所<br />
无 锡 华 润 华 晶<br />
沈 阳 东 北 微 电 子 (47) 所<br />
南 京 55 所 西 安 771 所<br />
河 北 半 导 体 所 (13) 所<br />
北 京 机 械 部 自 动 化 所<br />
北 京 华 威 电 子 厂 878<br />
重 庆 26 所 重 庆 24 所<br />
ATEQ 激 光 图 形 发 生 器<br />
1970<br />
P-PG<br />
1987 CORE2000<br />
CORE2100<br />
1991<br />
清 溢 精 密 光 电 1994<br />
1997<br />
CORE2564<br />
PSM<br />
1971<br />
ALTA 3000/3100<br />
ALTA 3500 1999<br />
ALTA 3700<br />
ETEC 电 子 束 图 形 发 生 器<br />
MEBES I<br />
MEBES II<br />
上 海 凸 版<br />
光 掩 模 公 司<br />
1983 MEBES III<br />
1986 AEBLE DWS<br />
1990 MEBES IV<br />
1991<br />
AEBLE150S<br />
1992 MEBES V<br />
MEBES 4500<br />
MEBES 4700<br />
MEBES 5000<br />
低 加 速 电 压<br />
阵 列<br />
美 国 应 用 材 料 APRLIED MATERIALS<br />
2001<br />
ALTA 3900/4000<br />
2002 ALTA 4300D<br />
ALTA 4700/PSM 无 锡 华 润 华 晶<br />
2004<br />
2006 ALTA 4700HT<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 所<br />
2007 ALTA 3900HT 沈 阳 东 北 微 电 子 (47) 所<br />
2010 ALTA 4700plus
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所 JBX6300FS<br />
电 子 束 光 刻 系 统<br />
电 子 束 光 刻 系 统 主 机 安 装 完 成 (2008 年 )
JEOL JBX 6300FS<br />
HSQ<br />
Fox16<br />
胶 厚 400nm<br />
线 宽 30nm<br />
20nm 点 阵<br />
30nm 器 件<br />
5nm 宽 格 栅<br />
10nm 线 条
JBX 6300FS<br />
HSQ<br />
F Fox16<br />
胶 厚 500-600nm<br />
线 宽 60nm
电 子 束 光 刻 亚 50 纳 米 结 构 图 形 难 在 哪 里 ?<br />
介 质 层 电 荷 积 累 影 响 尺 度 1-10 10 微 米<br />
长 时 间 曝 光 电 磁 场 波 动 漂 移 尺 度 20-500nm<br />
抗 蚀 剂 膨 胀 收 缩 尺 度 1-50nm<br />
抗 蚀 剂 分 辨 力 尺 度 5-100nm<br />
长 时 间 曝 光 温 度 波 动 漂 移 尺 度 20-1000nm<br />
电 子 束 曝 光 拼 接 精 度 与 套 刻 精 度 的 尺 度 15-60nm<br />
抗 蚀 剂 显 影 烘 烤 影 响 尺 度 变 化 1-50nm<br />
20nm 宽 格 栅<br />
金 属 颗 粒 尺 度 5-50nm<br />
高 高 宽 比<br />
纳 米 结 构 图 形<br />
脱 落 粘 连 倒 覆<br />
导 轨 误 差 尺 度 5-50nm<br />
20nm 点 阵<br />
电 子 束 曝 光 最 小 步 距 尺 度 0.125-12.5nm<br />
5<br />
电 子 束 前 散 射 波 及 尺 度 10-100nm100<br />
电 子 束 斑 尺 度 2-50nm<br />
5nm 宽 格 栅<br />
电 子 束 背 散 射 波 及 尺 度 2-50 微 米<br />
电 子 束 斑 本 身 就 是 高 斯 分 布<br />
电 子 束 曝 光 邻 近 效 应
纳 米 CMOS 器 件 和 纳 米 结 构 器 件 制 造 中<br />
微 光 刻 与 电 子 束 光 刻 技 术<br />
的 几 个 重 要 问 题<br />
版 图 设 计 问 题 -- 计 算 机 辅 助 设 计 技 术<br />
数 据 处 理 问 题 -- 格 式 转 换 与 图 形 处 理 技 术<br />
掩 模 制 造 问 题 — 先 进 掩 模 制 造 技 术<br />
图 形 转 移 问 题 -- 光 学 光 刻 与 电 子 束 光 刻 技 术<br />
曝 光 效 率 问 题 -- 匹 配 与 混 合 光 刻 技 术<br />
电 子 散 射 问 题 -- 邻 近 效 应 校 正 技 术<br />
工 艺 技 术 问 题 -- 抗 蚀 剂 等 工 艺 技 术<br />
模 拟 技 术 问 题 — 器 件 、 工 艺 、 光 刻 模 拟 技 术
大 小 束 流 、 大 小 光 阑 和 大 小 剂 量 混 合 曝 光 技 术<br />
由 于 圆 形 束 电 子 束 曝 光 系 统 通 常 采 用 较 细 的 束 斑 进 行 扫 描 曝 光 , 图 形 越 精 细 ,<br />
需 要 越 小 的 束 斑 , 而 小 束 斑 , 又 限 制 了 只 能 采 用 小 束 流 曝 光 , 需 要 越 长 的 曝 光 时 间<br />
, 然 而 集 成 电 路 版 图 中 图 形 通 常 由 大 小 不 同 的 图 素 组 成 , 其 中 大 面 积 图 形 需 要 占 用<br />
很 长 得 时 间 , 为 提 高 曝 光 效 率 应 该 把 版 图 中 的 大 面 积 曝 光 图 形 ( 或 背 景 ) 与 精 细 图 形<br />
部 分 进 行 数 据 分 离 , 采 用 大 小 束 流 混 合 曝 光 的 方 法 缩 短 曝 光 时 间 。<br />
大 小 束 流 混 合 曝 光 通 常 采 用 分 别 按 照 不 同 的 电 子 束 流 的 条 件 下 调 整 电 子 光 学 系<br />
统 , 分 别 建 立 两 种 束 流 的 电 子 光 学 参 数 文 件 , 在 小 束 流 曝 光 完 毕 后 自 动 恢 复 大 束 流<br />
的 电 子 光 学 参 数 后 进 行 大 束 流 曝 光 , 由 于 电 子 光 学 参 数 变 化 比 较 大 , 会 产 生 比 较 大<br />
的 飘 移 现 象 , 所 以 曝 光 会 出 现 比 较 大 的 套 合 误 差 。<br />
我 们 实 验 中 发 现 可 以 采 用 大 小 光 阑 混 合 曝 光 实 现 大 小 束 流 混 合 曝 光 , 只 要 首 先<br />
将 大 小 束 流 相 差 10 倍 (30 倍 ) 的 两 组 曝 光 文 件 , 可 以 在 同 一 种 电 子 光 学 参 数 的 条 件 下<br />
, 先 用 小 孔 径 光 阑 (1# 孔 径 ) 进 行 小 束 流 曝 光 , 曝 光 结 束 后 不 要 退 出 版 架 , 把 小 孔<br />
径 光 阑 换 成 大 孔 径 (2#(3#)( ) 孔 径 ), 再 执 行 大 孔 径 大 束 流 曝 光 文 件 , 这 种 混 合 曝 光<br />
方 式 电 子 光 学 参 数 基 本 不 变 , 束 流 稳 定 , 飘 移 小 , 套 合 误 差 比 较 小 。<br />
我 们 实 验 中 还 发 现 大 面 积 图 形 可 以 用 很 小 的 剂 量 就 能 达 到 曝 光 的 目 的 , 所 以 可<br />
以 采 用 大 小 剂 量 混 合 曝 光 , 只 要 首 先 将 大 小 面 积 的 图 形 分 成 几 组 曝 光 文 件 , 可 以 在<br />
同 一 种 电 子 光 学 参 数 的 条 件 下 , 再 执 行 大 小 剂 量 分 别 曝 光 , 这 种 混 合 曝 光 方 式 相 当<br />
于 简 易 剂 量 调 制 曝 光 。<br />
大 小 束 流 混 合 曝 光<br />
大 小 光 阑 混 合 曝 光
电 子 束 曝 光 与 光 学 曝 光 系 统 的 匹 配 和 混 合 光 刻 技 术<br />
E-Beam /Opticale mix and match lithograohy<br />
光 学 制 版 系 统 与 投 影 光 刻 机 的<br />
匹 配 制 造 混 合 光 刻 掩 模 版<br />
电 子 束 光 刻 系 统 与 接 触 式 光 刻 机 的<br />
匹 配 和 混 合 光 刻 制 备 标 准 样 片
“ 超 材 料 ” Metamaterial<br />
物 理 所 李 俊 杰 等<br />
利 用 微 纳 米 加 工 技 术 , 人 工 制 造 出 可 对 光 子 和 电 磁 波<br />
进 行 调 制 , 产 生 特 异 性 质 的 功 能 材 料<br />
人 造 晶 格 , 光 子 晶 体 , 光 子 筛 , 纳 米 结 构 光 子 衍 射 材 料 ; 手 性 材 料 , 完 美 晶 体 , 负 折<br />
射 效 应 材 料 ; 磁 共 振 , 磁 吸 收 , 磁 旋 , 高 频 磁 响 应 材 料 ; 金 属 表 面 等 离 子 体 激 发 效 应<br />
材 料 ; 逆 多 普 勒 效 应 , 逆 斯 涅 尔 效 应 , 反 常 Cherenkov 辐 射 效 应 材 料 等 。 以 及 非 线 性<br />
光 学 , 集 成 光 学 , 微 纳 波 导 ,X 射 线 衍 射 光 学 器 件 , 人 工 全 息 , 菲 涅 尔 变 换 掩 模 等 。
电 子 束 邻 近 效 应 剂 量 校 正 软 件<br />
采 用 以 Sigma-C CAPROX<br />
GenISys GmbH LayoutBEAMER<br />
为 代 表 的 邻 近 效 应 校 正 软 件 实 施 曝 光 剂 量 调 制 的 方 法 进 行 修<br />
正
不 同 入 射 电 子 能 量 E 0 对 电 子 散 射 的 影 响<br />
(400nm PMMA+Si, 2000 个 入 射 电 子 )<br />
赵 珉<br />
E 0 25Kev 50Kev 100Kev<br />
抗 蚀 剂<br />
400nm<br />
衬 底 纵 深<br />
70 微 米 时<br />
抗 蚀 剂<br />
400nm<br />
波 及 范 围 达 100um<br />
衬 底 纵 深<br />
400nm 内<br />
E 0 较 大 时 , 电 子 束 的 透 射 深 度 较 大 , 背 散 射 严 重 , β 值 较 大<br />
E 0 较 小 时 , 电 子 束 在 抗 蚀 剂 层 中 的 扩 展 较 为 严 重 , α 值 较 大
抗 蚀 剂 层 厚 度 对 电 子 散 射 的 影 响<br />
(PMMA+Si, 50kev, 2000 个 入 射 电 子 )<br />
200nm<br />
Thickness: 100nm 300nm 400nm 500nm<br />
赵 珉<br />
电 子 束 在 厚 抗 蚀 剂 层 中 的 扩 展 较 为 严 重 , α 值 较 大<br />
衬 底 材 料 对 电 子 散 射 的 影 响<br />
(300nmPMMA, 50kev, 2000 个 入 射 电 子 )<br />
GaAs, Z=32<br />
Si,Z=14 PI, Z=5.03<br />
电 子 束 在 平 均 原 子 序 数 较 大 的 衬 底 材 料 中 的 背 散 射 较 为 严 重 ,β 值 较 大 ,η 值 较 大
几 种 常 用 电 子 束 抗 剂 蚀 的 特 性<br />
抗 剂 蚀 种 类 ; 正 / 负 性 ; 灵 敏 度 ; 分 辨 率 ; 说 明<br />
tone dose resolution comments<br />
高 分 辨 率 High resolution: µC/cm 2<br />
nm<br />
崔 铮 , 陈 勇 , 陈 宜 方<br />
史 佩 雄 , 陈 宝 钦<br />
PMMA + 300~1000
电 子 束 光 刻 / 聚 酰 亚 胺 薄 膜 衬 底 /X 射 线 曝 光 / 微 电 镀<br />
工 艺 相 结 合 纳 米 光 学 制 造 技 术 朱 效 立 赵 珉 吴 璇 马 杰 洪 梅 华<br />
利 用 电 子 束 光 刻 直 写 技 术 制 造 薄 膜 衬 底 X 射 线 掩 膜 , 再 利 用 X 射 线 高 穿 透 曝 光 能 力 和<br />
精 密 电 镀 工 艺 技 术 相 结 合 制 备 高 清 晰 , 高 陡 直 度 , 高 高 宽 比 的 线 条 。
电 子 束 直 写 -X 射 线 - 电 镀 工 艺 制 造 X 射 线 衍 射 光 学 元 件 工 艺 流 程
纳 米 衍 射 光 学 元 件 制 造 的 关 键 工 艺<br />
大 分 子 量 PMMA 电 子 抗 蚀 剂<br />
镂 空 薄 膜<br />
背 散 射 电 子 影 响<br />
邻 近 效 应<br />
聚 酰 亚 胺 镂 空 薄 膜 衬 底<br />
电 子 束 直 写<br />
纳 米 镀 金 工 艺<br />
同 步 辐 射 装 置 3B1B X 射 线 复 制<br />
0.5 – 绿 1 箭 Kev 、<br />
临 近 效 应 影 响<br />
掩 模 与 衬 底 之 间 的 距 离 控 制<br />
负 性 PMMA 光 学 光 刻 胶<br />
PMMA SX AR-N 4800/16<br />
紫 外 光 学 套 刻 制 作 厚 金 挡 光 层<br />
(2 – 5 μm )
亚 20nm 结 构 电 子 束 光 刻 技 术<br />
Sub-20nm E-Beam Lithography technology<br />
纳 米 电 子 束 光 刻 若 干 工 艺 技 术 的 讨 论<br />
Discussion on some technology<br />
of Electron Beam Nano-lithography<br />
陈 宝 钦 王 琴<br />
Baoqin Chen, Qin Wang<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
微 细 加 工 与 纳 米 技 术 研 究 室<br />
电 子 束 光 刻 技 术 实 验 室<br />
010-82995580;13661034296; 13661034296 chenbq@ime.ac.cn<br />
cn<br />
IMECAS<br />
赵 珉 吴 璇 王 琴 朱 效 立 史 丽 娜 李 海 亮 杜 宇 禅 于 明 岩 柳 江 李 金 儒 汤 耀 科 薛 丽 君 王 德 强 任 黎 明 胡 勇<br />
王 云 翔 龙 世 兵 陆 晶 杨 清 华 张 立 辉 范 东 升 牛 洁 斌 李 新 涛 徐 秋 霞 谢 常 青 刘 明 段 辉 高
纳 米 电 子 束 光 刻 若 干 工 艺 技 术 的 讨 论<br />
电 子 束 光 刻 图 形 数 据 设 计 可 制 造 性 的 问 题<br />
电 子 束 曝 光 机 时 上 考 虑 的 曝 光 图 形 可 制 造 性 设 计 问 题<br />
电 子 束 极 限 分 辨 率 和 邻 近 效 应 上 考 虑 的 可 制 造 性 设 计<br />
电 子 束 变 剂 量 曝 光 技 术 的 问 题<br />
高 分 辨 率 高 反 差 电 子 抗 蚀 剂 与 线 曝 光 应 用 的 问 题<br />
亚 十 纳 米 结 构 制 造 电 子 束 极 限 直 写 技 术 问 题<br />
绝 缘 衬 底 电 子 束 曝 光 电 荷 积 累 的 问 题<br />
电 子 抗 蚀 剂 与 基 片 附 着 力 的 问 题 ( 脱 胶 与 龟 裂 )<br />
高 高 宽 比 抗 蚀 剂 图 形 坍 塌 - 粘 连 的 问 题<br />
复 杂 图 形 的 表 面 张 力 定 向 倒 覆 设 计 问 题<br />
《 微 纳 电 子 技 术 》2013<br />
高 能 电 子 束 激 发 的 二 次 电 子 、 背 散 射 电 子 、X X 射 线 及<br />
其 他 电 磁 辐 射 的 漫 散 射 曝 光 积 累 的 问 题<br />
高 加 速 电 压 和 大 剂 量 曝 光 下 电 子 抗 蚀 剂 变 性 问 题<br />
工 件 台 正 方 向 运 动 产 生 的 阿 贝 误 差 问 题
HSQ FOX 系 列 电 子 抗 蚀 剂<br />
制 备 标 准 样 品 的 优 势<br />
高 分 辨 率 ; 高 反 差 ;<br />
剖 面 陡 直 ; 边 缘 直 ;<br />
容 易 制 备 高 高 宽 比 结 构 ;<br />
粘 附 力 好 ; 韧 性 好 ;<br />
缺 点 :<br />
显 影 后 稳 定 性 好 ;<br />
灵 敏 度 低 ;<br />
工 艺 稳 定 性 好 ;<br />
曝 光 时 间 很 长 ;<br />
碱 性 水 溶 性 显 影 液 ;<br />
容 易 留 残 胶 ;<br />
电 子 显 微 镜 观 察 性 能 好 。 容 易 氧 化 成 果 冻 。<br />
电 子 束 抗 蚀 剂<br />
与 线 曝 光 技 术 应 用<br />
JBX 5000LS HSQ<br />
周 期 200nm
HSQ 显 影 过 程<br />
Development Mechanism of HSQ<br />
H<br />
H<br />
Si<br />
O<br />
Si<br />
O<br />
Si<br />
O<br />
O<br />
H H FOX 12 厚 75nm 左 右<br />
Si<br />
O<br />
H<br />
O<br />
Si<br />
O<br />
( 八 ) 氢 基 硅 氧 烷 倍 半 体<br />
( 八 ) 氢 倍 半 硅 氧 烷<br />
HSQ (Hydrogen SilsesQuioxane)<br />
FOX 13 厚 150nm 左 右<br />
FOX 14 厚 250nm 左 右<br />
FOX 16 厚 400nm 左 右<br />
显 影 液 温 度 40°C<br />
显 影 液 CD26 原 液<br />
曝 光 剂 量<br />
XR-1541-002 (2%; 厚 60- 30nm) 显 影 液 温 度 室 温<br />
XR-1541-004 (4%; 厚 115-55nm)<br />
XR-1541-006 (6%; 厚 180-85nm) CD26 : 水 =1:2<br />
曝 光 剂 量 加 倍<br />
H Si O Si<br />
O<br />
CD26 碱 性 显 影 液<br />
氢 气 泡<br />
O<br />
H<br />
O<br />
O Si<br />
分 解 反 应 ≡Si-H + OH - → ≡Si-O - + H 2 ↑<br />
H<br />
Dissolution<br />
(HSiO 3/2 ) 8<br />
交 联 反 应 ≡Si-O O - + ≡Si-O O - + H → ≡Si-O-Si≡ + -<br />
2 O O 2OH<br />
Cross-linking<br />
Yang et al., JVSTB, 2009; Hyo-Sung Lee et al. JVSTB, 2009<br />
电 子 束 轰 击 部 分 交 联 聚 合<br />
段 辉 高
无 宽 度 线 曝 光 技 术 (Single Lines)<br />
JBX 6300FS; 100KV; 200PA<br />
HSQ Fox12 90nm 厚<br />
亚 十 纳 米 结 构 制 造<br />
电 子 束 极 限 直 写 技 术 问 题<br />
5nm 宽 格 栅
采 用 电 子 束 极 限 直 写 技 术<br />
进 行 亚 十 纳 米 结 构 制 造 实 验<br />
Size, Gap and Shape Control 采 用 改 变 间 隙 尺 寸 和 曝 光 剂 量 与 显 影 条 件 控 制<br />
段 辉 高<br />
5 nm 4 nm 3 nm 1 nm<br />
Bright view TEM images of bowties with different sizes<br />
80 nm<br />
14 nm 7 nm 3 nm 1 nm<br />
Dark field STEM images of bowties with different gap sizes<br />
10 00 nm<br />
40 nm<br />
50 nm<br />
(S)TEM images of plasmonic structures with different shapes Koh et al. Nano Lett. 2011
进 行 原 子 级 结 构 制 造 实 验<br />
原 子 的 直 径 由 于 电 子 的 运 动 接 近 光 速 ,<br />
富 勒 烯 C60 0.71 纳 米<br />
碳 管 层 0.334 纳 米<br />
碳 C 0.220 纳 米<br />
金 Au 0.288 纳 米<br />
铝 Al 0.286 纳 米<br />
铜 Cu 0.256 纳 米<br />
砷 AS 0.242 纳 米<br />
镓 Ga 0.240 纳 米<br />
硅 Si 0.234 纳 米<br />
氧 O 0.148 纳 米<br />
氢 H 0.1 纳 米<br />
蛋 白 质 分 子 0.43 纳 米<br />
而 且 是 以 电 子 云 来 描 述 的 , 所<br />
以 很 难 测 准 它 的 直 径 的 大 小 .<br />
2.3 nm<br />
1. 6 nm<br />
(8 atoms wide)
HSQ 电 子 束 纳 米 光 刻 + 蒸 镀 金 属 膜 + 剥 离 工 艺<br />
A Representative HSQ Lift-off Process<br />
段 辉 高<br />
~5 nm<br />
~10 nm<br />
~10 nm<br />
Duan, H.; Hu, H.; Kumar, K.; Shen, Z.; Yang, J. K. W. ACS Nano 2011, 5, 7593-7600.<br />
1 µm59
纳 、 皮 米 表 征 技 术<br />
石 墨 烯<br />
( 单 个 原 子 表 征 )<br />
东 南 大 学 纳 皮 米 中 心<br />
孙 立 涛<br />
Nanolab in Titan 80-300<br />
Information Resolution≤ 80pm<br />
球 差 校 正 透 射 电 子 显 微 镜<br />
Titan 80-300<br />
价 格 :3000 万<br />
分 辨 率 ≤ 80pm<br />
硅 原 子 直 径 0.24nm 的 1/3<br />
Electronic Science &<br />
Engineering, SEU<br />
Nanolab<br />
in Tecnai G2 20<br />
Nanolab<br />
in dualbeam system
纳 、 皮 米 表 征 技 术<br />
美 国<br />
劳 伦 斯 - 伯 克 利<br />
国 家 实 验 室<br />
传 输 电 子 失 常 校 正 显 微 镜<br />
(TEAM0.5) 是 美 国 基 础 能 源<br />
科 技 局 、 美 国 伊 利 诺 斯 州 大<br />
学 FEI 与 德 国 CEOS 二 家 显<br />
微 镜 公 司 联 手 开 发 的<br />
美 国 和 日 本 东 京 理 工 大 学 联 手 正 在 打 造 有 竞<br />
争 性 的 S/TEM 显 微 镜 , 将 很 快 胜 过 TEAM 项<br />
目 的 0.5 埃 分 辨 率 和 亚 埃 3D 成 像 能 力
绝 缘 体 电 荷 积 累 的 影 响<br />
绝 缘 衬 底 电 子 束 曝 光<br />
电 荷 积 累 的 问 题
在 PMMA 上 旋 涂 SXAR-PC5000/90.1 导 电 胶<br />
可 有 效 抑 制 绝 缘 体 电 荷 积 累 的 影 响<br />
直 接 在 玻<br />
璃 衬 底 上<br />
曝 光<br />
PMMA 显<br />
影 前 采 用<br />
去 离 子 水<br />
浸 泡 5 分<br />
钟 去 除 导<br />
电 胶 在 电<br />
子 束 曝 光<br />
后 产 生 “<br />
负 胶 ” 变<br />
性 残 留 物<br />
。 SX AR-PC5000/90.1
高 高 宽 比 纳 米 结 构 抗 蚀 剂 图 形 倒 覆 现 象 的 研 究<br />
倒 覆 现 象 防 止 与 利 用 技 术 的 研 究<br />
高 高 宽 比 抗 蚀 剂 图 形<br />
大<br />
气<br />
压<br />
力<br />
液 体 表 面 张 力<br />
大<br />
气<br />
压<br />
力<br />
坍 塌 - 粘 连 的 问 题<br />
“ 梁 摆 动 ” 模 型<br />
HSQ 厚 胶<br />
根 据 杨 氏 模 量 计 算 设 计 有 规 则 图 形 实 现 可 控 颠 覆 制 造 微 结 构<br />
改 变 图 形 的 间 隔 与 形 状<br />
HSQ Fox16<br />
胶 厚 400nm 线 宽 30nm<br />
探 索 超 临 界 流 体<br />
干 燥 技 术<br />
HSQ Fox16<br />
胶 厚 400nm 直 径 30nm
水 的 表 面 张 力 和 毛 吸 力 对 高 深 宽 比 抗 蚀 剂 图 形 的 作 用<br />
及 外 加 电 场 对 干 燥 过 程 中 极 化 的 作 用<br />
于 明 岩<br />
极 性 分 子<br />
杂 乱 无 章<br />
的 布 朗 运 动<br />
交 变 电 场 使 水 极<br />
性 改 变 形 成 高 速<br />
旋 转 有 序 排 列<br />
光 刻 胶 柱 子 间 应 力 计 算<br />
微 波 使 水 进 入 自 旋 的 超<br />
临 界 状 态 降 低 水 的 粘 性
段 辉 高 博 士 高 高 宽 比 抗 蚀 剂 结 构 定 向 倒 覆 实 验 实 例<br />
高 高 宽 比 抗 蚀 剂 图 形<br />
定 向 倒 覆 设 计
复 杂 图 形 的 表 面 张 力 定 向 倒 覆 设 计 实 例<br />
0.9p 1.2p 0.9p<br />
p<br />
~25 nm<br />
0.6p 0.8p 0.6p<br />
500 nm 100 nm<br />
p<br />
500 nm<br />
100 nm<br />
0.9p 1.2p 0.9p<br />
06 0.6p 08 0.8p 06 0.6p<br />
p<br />
500 nm
段 辉 高 博 士 高 高 宽 比 抗 蚀 剂 结 构 定 向 倒 覆 实 验 实 例<br />
100 nm
微 光 刻 技 术 数 据 处 理 及 数 据 转 换 体 系<br />
Computer Aided dDesign (data processing) )&C<br />
Computer<br />
Aided Transcription System for Micro-Lithography<br />
CIF 格 式 中 圆 形 切 割 成 3600<br />
格 式 中 矩 形 的 算 法 研 究<br />
AutoCAD 数 据 到 掩 模 版 图<br />
数 据 的 转 换 及 速 度 优 化<br />
◈ 微 光 刻 技 术 图 形 数 据 类 型<br />
◈ 图 形 数 据 处 理 及 图 形 编 辑 技 术<br />
◈ 特 殊 图 形 数 据 处 理 技 术<br />
◈ 曝 光 图 形 切 割 技 术<br />
◈ 常 用 的 图 形 数 据 格 式 转 换 技 术<br />
◈ 曝 光 图 形 数 据 传 输 技 术
复 杂 微 光 刻 图 形 版 图 设 系 统<br />
胡 勇<br />
介 绍 了 一 种 我 们 自 主 开 发 的 复 杂 微 光 刻 图 形 的 版 图 绘 制 系 统<br />
该 系 统 可 以 方 便 地 和 集 成 电 路 掩 模 版 版 图 编 辑 工 具 软 件 L-EDIT 连 接 , 极 大 地 提 高 了 目 前<br />
集 成 电 路 版 图 设 计 工 具 软 件 绘 图 功 能 , 使 其 更 能 适 用 于 微 电 子 、 微 光 学 、 微 机 械 等 微 光 刻 各 个 领<br />
域 的 复 杂 图 形 设 计 , 是 一 种 实 用 性 很 强 的 软 件 模 块<br />
该 系 统 能 自 动<br />
成 组 地 批 处 理 各 种<br />
圆 环 、 螺 旋 线 、 椭<br />
圆 环 、 波 带 片 、 扇<br />
形 、 条 形 码 等 图 形<br />
以 及 根 据 用 户 输 入<br />
的 任 意 表 达 式 来 生<br />
成 特 殊 形 状 图 形 。<br />
同 时 它 具 有 方<br />
便 的 图 形 形 态 处 理<br />
功 能 , 包 括 图 形 任<br />
意 角 度 的 旋 转 、 旋<br />
转 拷 贝 功 能 ; 重 叠<br />
图 形 和 回 字 图 形 挖<br />
空 并 加 辅 助 线 功 能<br />
; 位 图 格 式 图 形 轮<br />
廓 化 处 理 功 能 及 图<br />
形 切 割 切 块 功 能 等<br />
。<br />
任 意 波 带 片 、 圆 环 自 动 绘 制 编 辑 功 能<br />
任 意 扇 形 、 圆 光 栅 自 动 绘 制 编 辑 功 能<br />
重 叠 图 形 和 回 字 图 形 挖 空 并 加 辅 助 线 功 能<br />
用 任 意 表 达 式 来 生 成 特 殊 形 状 图 形 的 功 能
具 有 DXF 格 式 数 据 输 入 输 出 功 能
下 一 代 光 刻 技 术 NGLNext Generation Lithography<br />
无 掩 模 曝 光 技 术<br />
( ML2 ) CP-ML<br />
电 子 束 直 写 技 术<br />
(EB Lithography,<br />
Direct Writing)<br />
低 能 微 阵 列 电 子<br />
束 直 写 技 术<br />
微 阵 列 波 带 片 成<br />
像 直 写 技 术<br />
低 能 微 阵 列<br />
电 子 束 直 写 技 术<br />
2 - 40Å<br />
同 步 辐 射 X 射 线 光 刻<br />
SCALPEL<br />
13.4nm<br />
FIBL<br />
电 子 束 投 影 曝 光 技 术 极 紫 外 投 影 光 刻 技 术 EUVL 聚 焦 离 子 束 成 象 技 术
其 他 几 种 比 较 有 代 表 性 的 电 子 束 投 影 光 刻 及 无 掩 模 光 刻 的 电 子 束 光 刻 系 统<br />
电 子 束 投 影 光 刻 系 统<br />
Mask-Less Lithography<br />
无 掩 模 光 刻<br />
PREVAIL Alpha Tool (2002)<br />
Nikon EB Stepper NSR-EB1A at<br />
SELETE (2003)<br />
电 子 束 步 进 系 统<br />
MAPPER<br />
PML2<br />
REBL<br />
MSB<br />
PML2 Proof-of-concept<br />
f system(2008)<br />
REBL Nanowriter Test System (2009) Reflective Electronic Beam Lithography<br />
反 射 式 电 子 束 光 刻 系 统
极 紫 外 光 刻 技 术 及 掩 模 技 术<br />
多 层 反 射 膜 结 构<br />
λ =13.4<br />
−13.5nm
纳 米 级 CMOS 器 件 和 电 路 的 研 究<br />
Study and research on Nano-CMOS<br />
devices and circuits<br />
it<br />
纳 米 加 工 与 纳 米 制 造 技 术<br />
Nanofabrication and<br />
Nanomanufacturing Technology<br />
采 用 各 种 传 统 的 和 非 传 统 的 方 法<br />
(Conventional and nonconventional<br />
methods)<br />
进 行 纳 米 结 构 的 加 工 实 验
纳 米 级 CMOS 器 件 和 电 路 的 研 究<br />
照<br />
摩<br />
尔<br />
定<br />
律<br />
继<br />
续<br />
往<br />
缩<br />
小<br />
尺<br />
寸<br />
方<br />
向<br />
发<br />
展<br />
More Moore: Miniaturizatio<br />
on<br />
Bottom UP<br />
130 nm<br />
90 nm<br />
65 nm<br />
45 nm<br />
32 nm<br />
22 nm<br />
.<br />
16 nm<br />
.<br />
11 nm<br />
.<br />
7.5 nm<br />
2024<br />
超 越 摩 尔 定 律 往 多 元 化 方 向 发 展 ,<br />
开 发 新 材 料 、 新 结 构 、 新 工 艺 、 新 机 理 相 融 合<br />
Baseline CMO OS: CPU, Mem mory, Logic<br />
从 下<br />
而 上<br />
合 成<br />
组 装<br />
Analog/RF<br />
More than Moore: Diversification<br />
Passives<br />
SOC 与 SIP<br />
相 结 合 的<br />
高 值 系 统<br />
Information<br />
Processing<br />
Digital Content<br />
System-on-chip<br />
(SoC)<br />
HV<br />
Power<br />
Sensors<br />
Actuators<br />
Interacting with people<br />
and environment<br />
Non-Digital content<br />
System-in-package<br />
(SiP)<br />
系 统 级 芯 片 集 成 技 术<br />
SoC 是 站 在 设 计 的 角 度 出 发 ,<br />
目 的 在 将 一 个 系 统 所 需 的 组<br />
件 , 整 合 于 一 芯 片 上<br />
数 字 化 信 息 集 成<br />
Biochips<br />
先<br />
进<br />
系<br />
统<br />
封<br />
装<br />
技<br />
术<br />
非 数 字 化<br />
结 构 集 成<br />
SiP 是 由 封 装<br />
的 立 场 发 展<br />
, 将 不 同 功<br />
能 的 芯 片 组<br />
装 整 合 于 一<br />
电 子 构 件 中<br />
超 越 目 前 主 流 CMOS 技 术 ,<br />
进 入 后 CMOS 时 代<br />
量 子 态 邻 近 效 应<br />
量 子 点 、 线 、 阱 ; 单 电 子 ; 自 旋 ;<br />
磁 通 量 ; 碳 纳 米 管 ; 石 墨 烯 ;<br />
拓 扑 绝 缘 体 TI ;<br />
铁 基 超 导<br />
2030<br />
王 阳 元 先 生<br />
新 发 现 、 新 突 破 、 新 形 态<br />
物 理 系 、 数 学 、 化 学 、 生 物 学 相 结 合<br />
国 际 半 导 体 路 线 组 织<br />
(ITRS) 发 展 兰 图
光 电 探 测 器<br />
三 维 封 装 技 术<br />
3D package<br />
闪 存<br />
随 机 存 储 器<br />
微 处 理 器 波 导 微 机 械<br />
系 统<br />
砷 化 镓<br />
激 光 器<br />
系 统<br />
封 装<br />
芯 片<br />
光 电<br />
探 测 器<br />
CMOS<br />
系 统 集 成 芯 片<br />
焊<br />
锡<br />
探 测<br />
光 互 连<br />
发 射<br />
电 容 器<br />
铜 布 线<br />
射 频<br />
模 块<br />
微 通 孔<br />
复 合 材 料 基 片
ze [nm]<br />
Feature Si<br />
1000<br />
0.5<br />
0.35<br />
0.25<br />
0.18<br />
100 130nm<br />
源 漏 区 金<br />
属 硅 化 物<br />
工 艺<br />
65nm<br />
对 应 的<br />
物 理 栅 长<br />
0.13<br />
90nm<br />
65nm<br />
45nm<br />
32nm<br />
25nm<br />
18nm<br />
10 13nm<br />
Technology Node<br />
Physical Gate Length<br />
技 术 节 点<br />
45nm<br />
32nm<br />
22nm<br />
1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016 2019<br />
Year in production<br />
超 浅 结<br />
工 艺<br />
应 变 硅<br />
90-65-45nm<br />
2001 年 标 准 CMOS 晶 体 管<br />
和 它 在 2014 年 的 尺 寸 要 求<br />
纳 米 晶 体 管<br />
发 展 趋 势<br />
锗 硅 /IIIV 族 材 料<br />
石 墨 烯<br />
纳 米 线 器 件<br />
新 型<br />
分 裂 栅 鳍 式<br />
场<br />
金 属 栅 效 应 晶 体 管<br />
高 介 电 常 数<br />
栅 极 电 介 质<br />
低 维 材 料 :<br />
多 晶 硅 完 材 料<br />
量 子 点 、 线 、 阱<br />
全 的 合 金<br />
碳 纳 米 管 ,Nature1991<br />
化 的 金 属<br />
石 墨 烯 Science2004<br />
硅 化 物 栅 高 K 介 质 最 小 厚 度<br />
拓 扑 绝 缘 体 TI Science2006<br />
EOT=0.9nm<br />
铁 基 超 导 美 国 化 学 2006<br />
目 前 32 纳 米 工 艺 节 点 下<br />
EOT= 1.2nm
纳 米 制 造 技 术<br />
Nanofabrication Technology<br />
采 用 各 种 传 统 的 和 非 传 统 的 方 法<br />
(Conventional and nonconventional<br />
methods)<br />
进 行 纳 米 结 构 的 加 工 实 验
应 该 借 鉴 微 电 子 和<br />
微 纳 米 加 工 技 术<br />
微 光 刻 技 术 的 发 展 经 验<br />
, 发 展 纳 米 电 子 和 纳 米<br />
制 造 技 术 , 如 果 另 找 捷<br />
微 电 子 技 术 已 经 深 入 到 纳 米 尺 度<br />
IC<br />
径 也 许 反 而 要 走 弯 路 。<br />
材 料 制 备<br />
ICCAD<br />
可 制 造 性 设 计 技 术<br />
纳 米 碳 管<br />
工<br />
集 成 电 路 设 计 技 术<br />
微<br />
石 墨 烯<br />
量 子 点 线 阱<br />
切 磨 抛<br />
集<br />
先 进 掩 模<br />
纳<br />
纳<br />
ZnO 纳 米 棒<br />
平 面 加 工 工 艺<br />
艺<br />
集<br />
光 刻 成 制 造 技 术<br />
微 加<br />
生 物 化 学<br />
成<br />
高 温 电<br />
电 子 束 米 米<br />
光 学 光 刻<br />
微 纳 操 作<br />
氧 化 路<br />
技<br />
电<br />
分 辨 率<br />
光<br />
工<br />
光 刻 技 术<br />
喷 洒 搭 桥<br />
路<br />
扩 散 掩<br />
增 强 技 术<br />
加 科<br />
工<br />
蒸 发 模<br />
修 饰 处 理<br />
波 前 工 程<br />
有 序 生 长 工 艺<br />
镀 膜 制<br />
术<br />
刻 技<br />
艺<br />
工 技<br />
原 子 搬 运<br />
技<br />
溅 射 造 下 一 代<br />
PECVD<br />
术<br />
磁 场 增 强 型 化 学<br />
电 镜 观 察<br />
术<br />
刻 蚀 技 光 刻 技 术<br />
腐 蚀 术<br />
气 相 沉 积<br />
粉 碎 筛 选<br />
CVD 纳 米 光 刻 与 纳 米 制 造 技 术 ALD 检 测 表 征 生 长 合 成<br />
薄 膜<br />
原 子 层 沉 积 自 组 装<br />
生 长<br />
集 成 电 路 先 进 封 装 技 术<br />
Top down<br />
微 电 子 学<br />
Bottom-up<br />
纳 米 电 子 学
自 然 界<br />
人 工 制 造
物 理 学 家 和 工 程 师 们 所 关 注 的 微 纳 米 仿 生 制 造<br />
张 海 霞
张 海 霞<br />
物 理 学 家 和 工 程 师 们 所 关 注 的 微 纳 米 仿 生 制 造
生 长 了 高 产 的 碳 纳 米 管<br />
“ 定 向 ” 生 长 碳 纳 米 管 丛<br />
袁<br />
隆<br />
平<br />
的<br />
高<br />
产<br />
水<br />
稻 灌 木 杉 木 林<br />
自 从 1991 年 Iijima 先 生 发 现 碳 纳 米 管 以 来 , 我 们 是 种 碳 纳 米 管 的 农 民 , 农 民 成 了 一 个 时<br />
髦 的 职 业 。 给 我 们 一 些 金 属 纳 米 颗 粒 做 种 子 , 施 以 含 碳 的 肥 料 , 秋 天 就 可 以 收 获 碳 纳 米 管<br />
! 我 们 以 9 亿 农 民 为 榜 样 。 目 标 是 把 碳 纳 米 管 长 得 像 袁 隆 平 的 超 级 水 稻 一 样 好 !<br />
科 学 媒 体 吹 嘘 了 大 量 的 应 用 。 听 到 他 们 的 吹 嘘 , 作 为 科 研 工 作 者 , 感 到 很 受 鼓 舞 。 然<br />
而 作 为 诚 实 的 农 民 , 我 们 感 到 非 常 地 坐 立 不 安 。 因 为 那 样 意 味 着 我 们 必 须 加 倍 努 力 来 证 明<br />
他 们 的 吹 嘘 是 正 确 的 !<br />
摘 自 : 清 华 大 学 姜 开 利 教 授 的 报 告
石 墨 烯 Graphene 二 维 蜂 窝 状 排 列 的 单 层 碳 结 构<br />
石 墨 烯 有 希 望 与 目 前 平 面 加 工 的 集 成 电 路 制 造 工 艺 相 兼 容<br />
透 明 胶 纸 撕 出 来 的 诺 贝 尔 獎<br />
C 60<br />
石 墨<br />
碳 纳 米 管<br />
富 勒 烯<br />
中 科 院 微 电 子 所 微 波 器 件 与 电 路 研 究 室 ( 四 室 ) 针<br />
对 国 际 前 沿 热 点 石 墨 烯 (graphene) 材 料 及 器 件 开<br />
展 了 创 新 性 研 究 , 在 吴 德 馨 院 士 和 刘 新 宇 主 任 的 大<br />
力 支 持 下 , 金 智 研 究 员 领 导 课 题 组 对 石 墨 烯 材 料 和<br />
器 件 工 艺 展 开 深 入 研 究 , 近 日 成 功 研 制 实 现 了 首 只<br />
石 墨 烯 场 效 应 晶 体 管 (GFET)。 2009.11.30 报 道
开 发 各 种 新 颖 的 、 非 常 规 的 加 工 技 术<br />
• 纳 米 压 印 光 刻 (Nanoimprint Lithogrphy);<br />
• 软 光 刻 (Soft-Lithography);<br />
• 近 场 光 学 光 刻 (near-field optical lithography);<br />
• 接 近 式 电 子 探 针 光 刻 (Proximity Probe Lithography) ;(contact scanning );<br />
• 化 学 与 生 物 接 触 复 印 (Chemical and biological approaches);<br />
• 原 子 力 光 刻 (Atomic power Lithography); (Atom Lithography);<br />
• 全 息 光 刻 (Hologram Lithography) ;<br />
• 干 涉 光 刻 (Interference Lithography)<br />
• 物 质 波 光 刻 (Matter-waver Lithography)<br />
• 表 面 等 离 子 光 刻 (Surface-plasmon-mediated near-field lithography);<br />
• 亚 波 长 近 场 光 刻 (Subwavelength photolithography );<br />
• 量 子 纠 缠 态 光 刻 (quanta entangled state lithography )<br />
• 受 激 发 射 耗 尽 光 刻 (STED;Stimulated Emission Depletion); )<br />
• 基 于 波 带 片 阵 列 的 无 掩 模 光 刻 (Maskless lithography based on the zone plate )<br />
• 光 子 筛 ( 多 孔 结 构 波 带 片 ) 光 刻 (Photon sieve lithography );<br />
• 基 于 偏 振 的 浸 没 光 刻 (Immersion i lithography h based on the Polarization ) ;<br />
• 数 字 光 刻 (Digital lithography) ;<br />
• 反 向 光 刻 (Inverse lithography);<br />
• 喷 墨 打 印 制 造 (Ink-jet fabrication of electronic components)<br />
• 蘸 笔 纳 米 光 刻 术 (Dip-pen nanolithography,DPN)<br />
• 自 组 装 技 术 (Directed Self-Assembly) 等 等 等 等 。
充 分 利 用 光 波 的 基 本 物 理 特 性 挖 掘 光 学 曝 光<br />
技 术 巨 大 潜 力 实 现 光 刻 分 辨 率 增 强 的 技 术<br />
缩 短 曝 光 波 长 : 准 分 子 激 光 光 源 技 术 的 成 熟 ArF (193nm)<br />
改 变 入 射 方 向 : 离 轴 照 明 技 术 的 开 发 OAI<br />
调 制 光 强 分 布 : 光 学 邻 近 效 应 校 正 技 术 的 应 用 OPC<br />
调 整 相 位 分 布 : 移 相 掩 模 技 术 的 突 破 PSM<br />
光 的 干 涉 衍 射 : 光 的 波 前 重 建 工 程 的 应 用 Wavefront reconstruction<br />
光 的 折 射 反 射 : 浸 没 透 镜 等 光 刻 技 术 的 应 用 Immersion<br />
位 相 Phase<br />
波 长<br />
Amplitude 振 幅<br />
Direction 方 向<br />
λ<br />
使 光 学 曝 光 技 术 的 分 辨<br />
能 力 不 断 地 超 越 光 学 理<br />
论 分 辨 率 极 限 , 达 到 亚<br />
波 长 以 至 实 现 达 到 半 波<br />
长 的 加 工 分 辨 能 力
谨 以 此 报 告 献 给 我 的 恩 师 们<br />
以 这 六 位 恩 师 们 为 代 表<br />
影 响 着 我 的 人 生 的 轨 迹<br />
一 个 人 在 一 生 当 中 有 多 少 个 老 师 , 从 幼 儿 园 、 小 学 、 初 中<br />
、 高 中 、 大 学 、 硕 士 博 士 研 究 生 甚 至 博 士 后 , 一 个 又 一 个 老 师<br />
把 咱 们 高 高 举 起 , 他 们 托 起 的 是 希 望 , 留 下 的 是 自 己 , 咱 们 现<br />
在 也 许 已 经 功 名 成 就 , 学 识 、 地 位 可 能 永 远 超 过 他 们 , 可 他 们<br />
有 的 已 经 不 在 人 世 , 有 的 风 烛 残 年 , 有 的 仍 然 在 那 里 默 默 无 闻<br />
地 送 走 一 批 又 一 批 师 弟 师 妹 们 , 一 辈 子 为 学 生 们 做 “ 嫁 衣 ”。<br />
历 史 可 能 会 把 他 们 遗 忘 了 , 可 咱 们 要 牢 牢 地 记 住 他 们 —— 一 个<br />
个 托 举 过 咱 们 的 恩 师 们 ! 微 电 子 所 北 京 大 学<br />
半 导 体 专 门 化<br />
半 导 体 所<br />
福 州 市 仓 山 福 州 第 六 中 学 福 州 高 级 中 学<br />
第 一 中 心 小 学<br />
郑 翠 玉 老 师<br />
我 的 启 蒙 老 师<br />
林 越 老 师<br />
是 他 保 送 到<br />
重 点 高 中<br />
郑 飞 龙 老 师<br />
是 他 把 我<br />
推 进 北 大<br />
王 守 武 先 生<br />
他 把 我 带 到<br />
微 电 子 所<br />
黄 昆 教 授<br />
他 把 我 引 入<br />
半 导 体<br />
林 兰 英 先 生<br />
她 把 一 直<br />
栽 培 着 我
2012 年 中 国 科 学 院 研 究 生 科 学 道 德 和 学 风 建 设 讲 座<br />
做 人 要 正 直 , 做 事 要 勤 奋 ,<br />
做 学 问 ( 科 研 ) 要 踏 实 !<br />
根 据 中 国 科 协 、 教 育 部 、 中 国 科 学 院 、 中 国 社 会 科 学 院 、 中 国 工 程 院 《 关<br />
于 做 好 2012 年 科 学 道 德 和 学 风 建 设 宣 讲 教 育 有 关 工 作 的 通 知 》( 科 协 发 组 字 【<br />
2012】16 号 ) 和 《 中 国 科 学 院 关 于 开 展 科 学 道 德 和 学 风 建 设 宣 讲 教 育 的 通 知 》<br />
科 发 纪 监 审 字 【2012】138 号 文 件 的 精 神 。 我 所 根 据 文 件 精 神 准 备 开 展 普 及 科 学<br />
道 德 规 范 和 树 立 良 好 学 风 的 活 动 。 我 今 天 是 开 头 第 一 讲 , 抛 砖 引 玉 。<br />
这 不 是 说 教 , 也 不 是 于 丹 的 “ 心 灵 鸡 汤 ”, 是 陈 老 师 的 人 生 的 感 悟 , 和 大 家 分 享 分 享<br />
。<br />
交 流 体 会<br />
个 人 意 见<br />
仅 供 参 考<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
微 细 加 工 与 纳 米 技 术 研 究 室<br />
电 子 束 光 刻 技 术 公 共 平 台<br />
陈 宝 钦<br />
010-82995580;13661034296; chenbq@ime.ac.cn<br />
IMECAS
华 中 科 技 大 学 校 长 李 培 根 院 土 在 2009 及 2010 年<br />
在 毕 业 典 礼 上 演 讲 的 《 牵 挂 》 和 《 记 忆 》<br />
做 人 要 正 直 , 做 事 要 勤 奋 。<br />
孝 敬 父 母 , 尊 敬 师 长 , 忠 诚 朋 友 。<br />
你 们 中 的 一 部 分 人 , 即 将 踏 入 工 作 的<br />
社 会 , 那 可 是 没 有 在 学 校 那 么 简 单 和 单<br />
纯 。<br />
你 既 需 要 充 分 地 展 示 自 己 , 又 不 能<br />
过 分 地 表 现 自 己 ; 你 既 需 要 尊 重 领 导 和<br />
前 辈 , 又 不 必 刻 意 去 逢 迎 ; 你 既 需 要 有<br />
理 想 和 目 标 , 又 不 能 刻 意 追 求 、 过 于 功<br />
利 ; 你 既 需 要 与 同 事 竞 争 , 更 需 要 与 他<br />
们 协 同 。 亲 爱 的 同 学 , 你 准 备 好 了 吗 ?<br />
我 们 牵 挂 着 。<br />
‥ 低 下 头 , 从 脚 下 最 不 起 眼 的 路 起 步 ‥<br />
亲 爱 的 同 学 , 其 实 , 牵 挂 你 的 人 还 有 很 多 。 你 含 辛 茹 苦 的 父 母 永 远 会 牵 挂 着 你 , 他 们 牵 挂 着 你 的 一 切 。 你 的 老<br />
师 , 包 括 中 小 学 老 师 , 会 牵 挂 着 你 ; 你 的 同 学 将 牵 挂 着 你 。 同 学 , 能 否 不 吝 啬 你 的 牵 挂 ?<br />
亲 爱 的 同 学 , 请 不 要 吝<br />
啬 你 的 牵 挂 。<br />
把 牵 挂 给 予 你 的 父 母 、 亲 人 , 他 们 为 你 付 出 太 多 。<br />
把 牵 挂 给 予 你 尊 敬 的 老 师 , 给 予 你 尊 敬 的 辅 导 员 。 你 的 成 长 中 , 他 们 也 倾 注 了 心 血 。<br />
把 牵 挂 给 予 你 的 同 学 。 同 学 中 有 你 要 好 的 朋 友 。 同 学 之 间 的 友 情 是 最 值 得 珍 惜 的 , 因 为 没 有 任 何 功 利 的 目 的 。<br />
把 牵 挂 给 予 你 未 来 的 同 事 和 朋 友 。 多 设 身 处 地 为 别 人 想 想 , 关 心 、 帮 助 别 人 , 你 将 有 更 多 的 朋 友 , 也 会 得 到 更<br />
多 人 的 帮 助 。<br />
亲 爱 的 同 学 , 请 不 要 吝 啬 你 的 牵 挂 。 留 一 些 牵 挂 给 你 素 不 相 识 的 人 。 留 一 些 牵 挂 给 你 的 母 校 ‥‥
北 京 大 学 赵 凯 华 老 师 在 获 得 “ 物 理 教 学 杰 出 成 就 奖 ” 时 答 谢 词 中 说 到 , 我 们 年 轻 的 时 候 同<br />
行 间 曾 以 郭 沫 若 先 生 “ 丝 、 蜜 、 奶 、 漆 ” 的 比 喻 相 鼓 励 :<br />
蚕 食 桑 而 吐 丝 , 蜂 釆 花 而 酿 蜜 。 淡 薄 名 利 默 默 奉 献<br />
牛 吃 草 而 出 奶 , 树 吸 壤 而 生 漆 。<br />
破 其 卷 而 取 神 , 吮 其 精 而 去 粕 。<br />
融 宇 宙 之 万 有 , 凭 呕 心 之 创 作 。<br />
赵 老 师 一 生 奉 献 普 通 物 理 教 学 事 业 , 畄 下 如 电 磁 学 、 光 学<br />
、 力 学 、 热 学 、 量 子 物 理 、 定 性 与 半 定 量 物 理 、 新 概 念 物<br />
理 、 新 概 念 高 中 物 理 、 物 理 学 照 亮 世 界 经 典 教 材 数 百 万 册<br />
淡 薄 名 利 , 默 默 奉 献 ,<br />
桃 李 万 千 , 师 德 楷 模 !<br />
2010-05-22<br />
于 北 京 大 学
作 为 例 子 : 我 们 利 用 微 纳 米 加 工 技 术 为 航 天 某 部 制<br />
造 的 高 精 度 光 掩 模 均 应 用 在 卫 星 、 运 载 火 箭 、 飞 船 、<br />
遥 控 等 航 空 、 航 天 科 技 。 尽 管 上 述 这 些 工 程 榜 上 通 常<br />
不 会 有 我 们 的 名 字 , 但 我 们 仍 然 觉 得 很 自 豪 。<br />
嫦 娥 、 神 舟 、 长 征<br />
、 北 斗 、 风 云 、<br />
巨 浪 、 东 风 、 红 旗<br />
巨 浪 二 号 ;<br />
风 云 二 号 气 象 卫 星 ;<br />
北 斗 二 号 导 航 卫 星 通 网 测 控 系 统 ;<br />
东 方 红 卫 星 工 程 ;<br />
长 征 运 载 火 箭 助 推 系 统 发 射 装 置 ;<br />
二 代 导 航 卫 星 ( 嫦 娥 ) 测 控 通 讯 应 答 系 统 等 等 。<br />
因 为 留 下 了 我 们 的 背 影 、 指 纹 、 汗 水 和 足 迹 !<br />
我 们 有 多 少 前 辈 就 是 这 样 默 默 无 闻 地 为 祖 国 的 科 技 事 业<br />
做 出 自 己 的 贡 献 !
先 说 美 国 奥 斑 马 , 言 而 无 信 靠 不 住 ,<br />
万 亿 国 债 要 蒸 发 , 扶 他 一 把 反 被 咬 ;<br />
稀 拉 里 那 臭 婆 姨 , 两 面 三 刀 烂 搅 和 ,<br />
挑 拨 离 间 恐 不 乱 , 莱 温 事 件 真 活 该 ! 中 秋 国 庆 八 天 忙 , 亲 友 短 信 未 即 回 ,<br />
阿 基 诺 等 群 小 人 , 乘 期 捣 乱 茅 坑 石 ,<br />
宝 钦 遥 祝 诸 安 康 , 草 拟 打 油 寻 开 心 ;<br />
越 南 更 是 白 眼 狼 , 忘 恩 负 义 脸 不 要 ;<br />
石 原 野 田 闹 购 岛 , 倭 寇 鬼 史 七 百 年 ,<br />
极 右 安 倍 更 张 狂 , 借 尸 还 魂 军 国 梦 ,<br />
贼 心 不 死 需 警 惕 , 后 悔 当 年 东 郭 当 ,<br />
老 美 健 忘 珍 珠 港 , 扶 植 右 翼 会 遭 报 ;<br />
如 今 只 好 备 兵 刃 , 航 母 核 潜 少 不 了 , 国 人 不 要 斗 同 胞 , 政 客 犯 贱 车 无 辜 ,<br />
建 议 二 炮 设 靶 场 , 钓 岛 海 基 点 禁 区 ,<br />
让 人 取 笑 没 素 养 , 亲 痛 仇 快 伤 自 家 ;<br />
两 岸 携 手 保 祖 业 , 寸 土 不 让 理 应 当 ,<br />
当 报 甲 午 一 箭 仇 , 中 华 岂 容 任 欺 辱 ! 海 权 落 后 忍 屈 辱 , 数 十 海 岛 遭 人 抢 ,<br />
目 前 未 须 扣 板 机 , 海 空 实 控 是 关 键 , 我 辈 有 责 保 海 疆 , 祖 宗 基 业 不 能 丢 ;<br />
打 蛇 认 准 砸 七 寸 , 不 必 伤 及 老 百 姓 ;<br />
君 子 报 仇 时 不 晚 , 安 定 和 谐 求 发 展 ,<br />
强 国 富 民 壮 海 空 , 二 十 年 后 谁 敢 欺 !
为 现 代 信 息 科 学 奠 定 基 础 的 物 理 学 家 们<br />
地 点 : 比 利 时 布 鲁 塞 尔 国 际 索 尔 维 物 理 研 究 所 1927<br />
参 与 这 次 会 议 的 29 人 中 , 共 有 17 人 获 得 了 诺 贝 尔 奖 。<br />
85 年 前<br />
1927 年 第 五 届 索 尔 维 量 子 力 学 会 议 ( 布 鲁 塞 尔 )<br />
参 加 者 的 合 影 。 会 议 从 1927 年 10 月 24 日 到 29 日 主 题 是 “ 电 子 和 光 子 ”<br />
会 议 通 过 激 烈 的 学 术 争 论 为 20 世 纪 如 何 理 解 量 子 、 空 间 、 时 间 还 有 原 子 的 结 构 做 出 了 定 义<br />
第 三 排 : 奥 古 斯 特 · 皮 卡 尔 德 、E. Henriot、 保 罗 · 埃 伦 费 斯 特 、Ed. Herzen、Théophile de Donder、<br />
欧 文 · 薛 定 谔 、E. Verschaffelt、 沃 尔 夫 冈 · 泡 利 、 沃 纳 · 海 森 堡 、R.H. 福 勒 、 里 昂 · 布 里 渊 ,<br />
第 二 排 : 彼 得 · 德 拜 、 马 丁 · 努 森 、 威 廉 · 劳 伦 斯 · 布 拉 格 、Hendrik Anthony Kramers、 保 罗 · 狄 拉 克 、<br />
亚 瑟 · 康 普 顿 、 路 易 · 德 布 罗 意 、 马 克 斯 · 波 恩 、 尼 尔 斯 · 玻 尔 ,<br />
第 一 排 : 欧 文 · 朗 缪 尔 、 马 克 斯 · 普 朗 克 、 玛 丽 · 居 里 、 亨 得 里 克 · 洛 仑 兹 、 阿 尔 伯 特 · 爱 因 斯 坦 、<br />
保 罗 · 朗 之 万 、Ch. E. Guye、C.T.R. 威 尔 逊 、O.W. 里 查 森
第 一 排 , 坐 着 的 都 是 当 时 老 一 辈 的 科 学 巨 匠 , 中 间 那 位 当 然 谁 都 认 识 , 那 就 是 爱 因 斯 坦 ,<br />
他 其 实 应 该 算 一 个 “ 跨 辈 份 ” 的 人 物 。 左 起 第 三 位 那 个 白 头 发 老 太 太 就 是 居 里 夫 人 , 她 是<br />
这 张 照 片 里 唯 一 的 女 性 。 在 爱 因 斯 坦 和 居 里 夫 人 当 中 那 位 老 者 是 真 正 的 元 老 级 人 物 洛 伦 兹<br />
, 电 动 力 学 里 的 洛 伦 兹 力 公 式 , 是 与 麦 克 斯 韦 方 程 组 同 等 重 要 的 基 本 原 理 , 爱 因 斯 坦 狭 义<br />
相 对 论 里 的 “ 洛 伦 兹 变 换 ” 也 是 他 最 先 提 出 的 。 左 起 第 二 位 则 是 量 子 论 的 奠 基 者 普 朗 克<br />
, 他 在 解 释 黑 体 辐 射 问 题 时 第 一 次 提 出 了 “ 量 子 ” 的 概 念 。 这 一 排 里 还 有 提 出 原 子 结 合 能<br />
理 论 的 郎 之 万 、 发 明 云 雾 室 的 威 尔 逊 等 , 个 个 堪 称 德 高 望 重 。<br />
第 二 排 , 右 起 第 一 人 是 与 爱 因 斯 坦 齐 名 的 “ 哥 本 哈 根 学 派 ” 领 袖 尼 尔 斯 · 玻 尔 , 玻 尔 第<br />
一 个 提 出 量 子 化 的 氢 原 子 模 型 , 后 来 又 提 出 过 互 补 原 理 和 哲 学 上 的 对 应 原 理 , 他 与 爱 因 斯<br />
坦 的 世 纪 大 辩 论 更 是 为 人 们 津 津 乐 道 。 玻 尔 旁 边 是 德 国 大 物 理 学 家 玻 恩 , 他 提 出 了 量 子 力<br />
学 的 概 率 解 释 。 再 往 左 , 是 法 国 “ 革 命 王 子 ” 德 布 罗 意 , 他 提 出 了 物 质 法 的 概 念 , 确 立 了<br />
物 质 的 波 粒 二 象 性 , 为 量 子 力 学 的 建 立 扫 清 了 道 路 。 德 布 罗 意 左 边 , 是 因 发 现 了 原 子 的 康<br />
普 顿 效 应 而 著 称 的 美 国 物 理 学 家 康 普 顿 。 再 左 边 , 则 是 英 国 杰 出 的 理 论 物 理 学 家 狄 拉 克 ,<br />
他 提 出 了 量 子 力 学 的 一 般 形 式 以 及 表 象 理 论 , 率 先 预 言 了 反 物 质 的 存 在 , 创 立 了 量 子 电 动<br />
力 学 。 这 一 排 里 , 还 有 发 明 粒 子 回 旋 加 速 器 的 布 拉 格 等 。<br />
第 三 排 , 右 起 第 三 人 , 就 是 量 子 力 学 的 矩 阵 形 式 的 创 立 者 海 森 堡 , 测 不 准 原 理 也 是 他<br />
提 出 来 的 。 他 的 左 边 , 是 他 的 大 学 同 学 兼 挚 友 泡 利 , 泡 利 是 “ 泡 利 不 相 容 原 理 ” 和 微 观 粒<br />
子 自 旋 理 论 ( 泡 利 矩 阵 ) 的 始 作 俑 者 。 两 人 同 在 索 末 菲 门 下 学 习 时 , 经 常 不 按 老 师 的 要 求 循<br />
序 渐 进 , 而 是 自 搞 一 套 , 老 师 竟 也 完 全 同 意 并 鼓 励 他 们 这 样 做 。 右 起 第 六 人 , 就 是 量 子<br />
力 学 的 波 动 形 式 的 创 立 者 薛 定 谔 , 量 子 力 学 里 薛 定 谔 方 程 , 就 像 经 典 力 学 里 的 牛 顿 运 动 方<br />
程 一 样 重 要 。 薛 定 谔 还 是 最 早 提 出 生 物 遗 传 密 码 的 人 。 左 起 第 三 人 埃 伦 费 斯 特 爱 因 斯 坦<br />
的 朋 友 , 浸 渐 原 理 的 发 现 者 . 对 量 子 力 学 的 发 展 起 过 积 极 的 作 用 .<br />
以 上 这 些 人 物 , 是 二 十 世 纪 物 理 科 学 的 最 杰 出 代 表 , 他 们 在 量 子 论 和 相 对 论 两 个 方<br />
向 上 所 做 的 贡 献 , 不 仅 彻 底 改 变 了 人 们 的 物 质 生 活 , 而 且 改 变 了 人 类 的 思 维 方 式 和 时 空<br />
观 念 。 在 知 识 界 可 以 这 样 说 , 不 懂 得 这 些 思 想 的 人 , 基 本 上 可 以 视 为 落 后 于 这 个 时 代 。
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所 研 究 生 讲 座 之 三<br />
魔 方 复 原 的 启 发 --<br />
如 何 做 学 问<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
微 细 加 工 与 纳 米 技 术 研 究 室<br />
电 子 束 光 刻 技 术 实 验 室<br />
010-82995580 ;13661034296<br />
chenbq@ime.ac.cn<br />
cn<br />
IMECAS<br />
陈 宝 钦
魔 方 的 启 发<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
陈 宝 钦<br />
数 学 群 论 / 排 列 组 合 / 立 方 体 学 ; 高 能 物 理 / 夸 克 / 介 子 / 重 子 / 自 旋 ; 固 体 物 理 / 晶 体 学 ; 材 料 自 组 装 ;<br />
夸 克 =(1/3) 电 子 能 量 正 反 夸 克 为 介 子 ; 三 个 夸 克 为 重 子 ( 形 象 化 教 具 )<br />
培 养 锻 炼 : 毅 力 ; 信 心 ; 空 间 想 象 力 ; 观 察 力 , 记 忆 力 , 创 造 力<br />
1974 年 匈 牙 利 鲁 比 克 发 明 ;1976 年 申 请 的 专 利 ;1977 年 制 造 成 产 品 投 入 市 场 ;<br />
1980 年 风 靡 世 界 后 来 相 继 发 明 更 复 杂 多 样 的 魔 块 ;1981 开 始 进 入 中 国<br />
1982 年 我 在 学 习 摸 索 归 纳 的 基 础 上 总 结 出 本 套 易 记 易 学 的 公 式<br />
三 阶 魔 方 可 能 的 排 列 组 合 = 43,252,003,274,489,856,000 = 4.3 × 10 19 = 4300 亿 亿 种<br />
计 算 机 每 秒 纪 录 100 个 可 能 的 组 合 图 案 大 约 需 要 140 亿 年 的 天 文 数 字 的 时 间<br />
四 阶 魔 方 可 能 的 排 列 组 合 = 7!×24!×24!×3^6/4!^6 = 7.4 × 10 45 =<br />
7,401,196,841,564,901,869,874,093,974,498,574,336,000,000,000 = 74 万 亿 亿 亿 亿 亿 种<br />
1 光 年 = 9.4605284 × 10 15 米 = 约 九 万 四 千 六 百 亿 公 里 ( 光 在 真 空 中 的 速 度 约 30 万 公 里 / 秒 )<br />
启 蒙 探 索 - 勤 学 好 问 - 遵 照 规 律 - 刻 苦 实 践 - 循 序 渐 进 - 总 结 归 纳 - 发 明 创 新<br />
人 生 一 世<br />
启 蒙 熏 陶<br />
求 知 好 奇<br />
钻 研 探 索<br />
父 母 朋 友<br />
学 校 社 会<br />
玩 具 书 本<br />
电 脑 网 络<br />
学 问 学 问<br />
又 学 又 问<br />
虚 心 学 习<br />
不 耻 下 问<br />
师 傅 老 师<br />
一 句 两 句<br />
毕 生 心 血<br />
少 走 弯 路<br />
错 综 复 杂<br />
千 变 万 化<br />
乱 麻 一 团<br />
束 手 无 策<br />
阴 阳 对 称<br />
围 绕 轴 心<br />
抓 住 规 律<br />
迎 刃 而 解<br />
刻 苦 努 力<br />
观 察 实 践<br />
毅 力 信 心<br />
笨 鸟 先 飞<br />
相 信 自 己<br />
不 骄 不 躁<br />
欲 超 他 人<br />
偷 光 刺 股<br />
先 易 后 难<br />
循 序 渐 进<br />
脚 踏 实 地<br />
一 步 一 印<br />
先 爬 后 走<br />
日 后 方 跑<br />
一 步 登 天<br />
没 有 可 能<br />
去 粗 取 精<br />
抓 住 主 要<br />
去 繁 就 简<br />
画 图 列 表<br />
找 到 规 律<br />
总 结 归 纳<br />
举 一 反 三<br />
灵 活 应 用<br />
诺 贝 盖 茨<br />
不 靠 抄 骗<br />
爱 因 斯 坦<br />
刨 根 问 底<br />
红 花 绿 叶<br />
缺 一 不 可<br />
背 瓶 做 嫁<br />
并 不 吃 亏
大 脑 皮 层 与 人 体 对 应 的 部 位 归 一 化 图<br />
人 类 大 脑 每 秒 钟<br />
可 进 行 数 百 万 兆 到<br />
一 亿 个 电 信 号 在 神<br />
经 元 网 络 中 快 速 传<br />
递 。 不 是 简 单 的 二<br />
进 制 运 算 , 而 是 复<br />
杂 的 思 维 认 知 判 断<br />
。<br />
人 类 大 脑 有 1500 亿 个 神 经 细 胞 , 成 人 大 脑<br />
皮 层 中 大 约 成 百 亿 个 神 经 元 , 每 个 神 经 元 可<br />
与 三 万 个 神 经 元 连 接 。<br />
目 前 最 先 进 的 集 成 电 路 相 片 可 有 一 亿 个 晶<br />
体 管 , 而 每 个 晶 体 管 只 要 几 个 连 接 。<br />
人 类 的 脑 神 经 细 胞 数 量 约 有<br />
一 千 五 百 亿 个 。<br />
人 的 一 生 能 凭 记 忆 储 存 100 万<br />
亿 条 信 息 。<br />
每 一 秒 钟 , 人 的 大 脑 中 进 行 着<br />
10 万 种 不 同 的 化 学 反 应 。
魔 方 复 原 技 巧<br />
三 阶 魔 方 和 四 阶 魔 方 最 基 本 的 复 原 公 式<br />
O: 第 一 层 打 地 基 。<br />
完 全 靠 自 己 可 以 实 现 , 先 十 字 后 四 角 。 诀 窍 是 回<br />
避 保 护 。 要 求 一 面 颜 色 完 全 一 致 , 四 面 要 和 中 心 一 致<br />
A: 第 二 层 立 四 柱 。<br />
先 把 恢 复 好 的 第 一 面 放 在 下 面 做 地 基 , 然 后<br />
再 根 据 公 式 操 作 设 法 把 上 层 边 块 调 动 到 中 层 。 诀<br />
窍 是 前 上 边 块 调 动 到 前 左 或 前 右 。<br />
[ 前 上 前 上 前 ] - [ 上 前 上 前 上 ] +<br />
[ 前 上 前 上 前 ] + [ 上 前 上 前 上 ] -<br />
B: 第 三 层 角 块 调 动 。<br />
最 先 上 层 角 块 对 角 互 相 调 动 或 邻 角 互 相 调 动 。<br />
诀 窍 是 先 定 位 , 后 对 准 , 只 管 位 置 不 管 位 相 。<br />
[ 右<br />
+<br />
上<br />
+<br />
右<br />
-<br />
前 -<br />
] 上 2<br />
[ 前<br />
+<br />
右<br />
+<br />
上<br />
-<br />
右 -<br />
] 上<br />
-<br />
[ 右<br />
+ 上<br />
+ 右<br />
- 前 - ] 上 - [ 前<br />
+ 右<br />
+ 上<br />
- 右 - ] 上<br />
2<br />
C: 第 三 层 角 块 顺 时 针 自 转 复 位 。<br />
再 解 决 上 层 角 块 颜 色 对 准 。 诀 窍 把 介 子 组 合<br />
化 为 重 子 或 双 重 子 组 合 。<br />
[ 前<br />
+<br />
上<br />
+<br />
前<br />
-<br />
上 +<br />
][ 前<br />
+<br />
上<br />
2<br />
前<br />
-<br />
上 2<br />
]<br />
前<br />
前<br />
前<br />
前<br />
D: 第 三 层 边 块 调 动 。<br />
根 据 公 式 实 现 上 层 三 个 边 块 互 相 调 动 。 诀 窍 是<br />
只 管 位 置 先 不 管 位 相 , 还 是 先 定 位 后 对 准 的 原 则 。<br />
左 +<br />
[ 前 上 前 上 前 ] - [ 上 前 上 前 上 ] + 左<br />
-<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
陈 宝 钦 改 编<br />
右 - [ 前 上 前 上 前 ] + [ 上 前 上 前 上 ] - 右 +<br />
前<br />
E: 第 三 层 边 块 自 转 复 位 。<br />
把 上 前 边 块 旋 转 实 现 颜 色 对 准 。 同 时 会 出 现<br />
中 层 左 前 、 左 后 、 右 后 边 块 也 被 旋 转 , 不 要 害 怕<br />
, 再 对 上 层 另 外 一 边 块 进 行 旋 转 后 会 自 动 复 原 。<br />
前 +<br />
[ 上<br />
+<br />
下 -<br />
] 左<br />
+<br />
[ 上<br />
+<br />
下 -<br />
]<br />
后 +<br />
[ 上<br />
+<br />
下 -<br />
] 右 +<br />
[ 上<br />
+<br />
下 -<br />
]<br />
F: 四 阶 中 心 块 配 对 调 动<br />
前<br />
G: 四 阶 边 块 配 对 调 动<br />
[ 右 内<br />
+<br />
上<br />
+<br />
右 内<br />
-<br />
]<br />
[ 右 内<br />
+<br />
上<br />
-<br />
右 内<br />
-<br />
]<br />
[ 下 内<br />
+<br />
右<br />
+<br />
上<br />
-<br />
右<br />
-<br />
下 内<br />
-<br />
上 +<br />
]<br />
[ 上 内<br />
-<br />
右<br />
+<br />
上<br />
-<br />
右<br />
-<br />
上 内<br />
+<br />
上 +<br />
]<br />
前<br />
前<br />
前<br />
前<br />
前<br />
前<br />
H: 四 阶 上 层 前 后 已 配 对 边 块 互 调<br />
[ 右<br />
2<br />
内 上<br />
2<br />
右<br />
2<br />
内 上<br />
2<br />
上<br />
2<br />
内 右<br />
2<br />
内 上 2<br />
内 ]<br />
I: 四 阶 上 层 前 已 配 对 边 块 翻 转<br />
[ 右<br />
2<br />
内 后<br />
2<br />
上<br />
2<br />
左<br />
+<br />
内 上<br />
2<br />
右<br />
-<br />
内 上<br />
2<br />
右<br />
+<br />
内 上<br />
2<br />
前<br />
2<br />
右<br />
+<br />
内 前<br />
2<br />
左<br />
-<br />
内 后<br />
2<br />
右 2<br />
内 ]<br />
前<br />
前
SQ-1 异 形 魔 方 复 原 技 巧<br />
一 :O 复 原 立 方 体<br />
把 复 杂 的 形 态 根 据 形 态 演 变 图 复 原 到 立 方 体 状 态 , 先 不 考 虑 颜 色 对 准 问 题<br />
二 : 角 块 调 动 程 序 ( 执 行 两 次 复 原 )<br />
A: 上 、 下 层 对 角 同 时 调 动 程 序 : [ 右 2<br />
] [ 上<br />
+<br />
下 -<br />
] [ 右 2<br />
] [ 上<br />
-<br />
下 +<br />
] [ 右 2<br />
]<br />
[\]A: 两 层 右 前 角 与 左 后 角 互 调 , 同 时 左 右 边 块 互 调 , 中 层 变 扇 形 , 执 行 两 次 复 原<br />
[/]A: 两 层 右 前 角 与 左 后 角 互 调 , 同 时 前 后 边 块 互 调 , 中 层 变 扇 形 , 执 行 两 次 复 原<br />
B: 上 层 邻 角 调 动 程 序 : [ 右 2<br />
] [ 下 +<br />
] [ 右 2<br />
] [ 下 -<br />
] [ 右 2<br />
] [ 下 +<br />
] [ 右 2<br />
] [ 下 -<br />
] [ 右 2<br />
]<br />
[\]B: 上 层 右 前 角 与 右 后 角 互 调 , 同 时 右 后 边 块 互 调 ; 下 层 左 前 角 与 右 后 角 互 调 , 前 后 边 块 互 调 , 中 层 变 扇 形<br />
[/]B: 上 层 右 前 角 与 右 后 角 互 调 , 同 时 前 右 边 块 互 调 ; 下 层 左 前 角 与 右 后 角 互 调 , 左 右 边 块 互 调 , 中 层 变 扇 形<br />
三 : 中 层 形 态 互 变 程 序<br />
C: 中 层 扇 形 与 方 形 互 变 程 序 : [ 右 2<br />
] [ 上 2<br />
] [ 右 2<br />
] [ 上 2<br />
] [ 右 2<br />
] [ 上 2<br />
]<br />
[\]C: 专 门 用 于 复 原 中 层 形 态 , 上 下 层 没 有 任 何 变 化 。<br />
四 : 上 、 下 两 层 对 调 程 序<br />
D: 上 、 下 两 层 整 体 对 调 程 序 : [ 右 2<br />
] [ 上<br />
2<br />
下 2<br />
] [ 右 2<br />
] [ 上<br />
+210<br />
下<br />
-210<br />
]<br />
[\]D: 上 、 下 两 层 整 体 对 调 , 中 层 不 动 。 相 当 于 中 层 反 态 ( 左 右 镜 像 )。<br />
E: 上 、 下 两 层 半 片 对 调 程 序 : [ 上<br />
-30<br />
][ 右 2<br />
] [ 上 2<br />
] [ 右 2<br />
] [ 上<br />
+30<br />
]<br />
[\]E: 上 层 左 半 片 与 下 层 右 半 片 对 调 ( 左 右 镜 像 ), 中 层 不 动 。 也 可 以 理 解 成 上 下 层 之 间 两 对 角 块 互 调 。<br />
五 : 边 块 调 动 程 序<br />
F: 上 、 下 两 层 前 后 边 块 交 叉 对 调 程 序 : [ 上<br />
-30<br />
][ 右 2<br />
] [ 上<br />
+30<br />
下<br />
+30<br />
] [ 右 2<br />
] [ 下<br />
-30<br />
]<br />
[\]F: 用 于 上 、 下 两 层 前 后 边 块 交 叉 对 调 ;<br />
[ 上 2 ] [\]F [ 上 2 ]: 用 于 上 、 下 两 层 前 后 边 块 上 下 对 调 ;<br />
[\]F [ 上 +<br />
] [\]F [ 上 -<br />
] : 用 于 上 、 下 两 层 之 间 两 组 三 个 边 块 调 动 ;<br />
后 上 - 左 上 - 前 下 三 边 块 逆 时 针 调 动 ; 前 上 - 右 上 - 后 下 三 边 块 顺 时 针 调 动 。<br />
六 : 边 块 调 动 程 序 活 用 ( 活 用 程 序 B、C 和 D 修 整 )<br />
[\]B[/]B( 相 当 于 B[ 中<br />
+30 ]B):<br />
执 行 一 次 : 上 层 的 前 上 - 右 上 - 后 上 三 边 块 逆 时 针 调 动 ;<br />
下 层 的 前 下 - 后 下 两 边 块 对 调 , 左 下 - 右 下 两 边 块 对 调 动 。<br />
执 行 两 次 : 上 层 的 前 上 - 右 上 - 后 上 三 边 块 顺 时 针 调 动 ; 下 层 不 动 。<br />
执 行 三 次 : 上 层 不 动 ; 只 有 下 层 的 前 下 - 后 下 两 边 块 对 调 , 左 下 - 右 下 两 边 块 对 调 动 。<br />
中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所<br />
陈 宝 钦 原 创 程 序
异 形 SQ-1 魔 螺 与 魔 方 的 比 较<br />
视 觉<br />
单 块<br />
70° 角<br />
单 块<br />
60° 角<br />
单 块<br />
30° 角<br />
两 块 绑 定<br />
110° 角<br />
两 块 绑 定<br />
70° 角<br />
两 块 绑 定<br />
110° 角<br />
上 下 层 七 色 实 际 各 切 成 四 块<br />
中 层 都 是 斜 切 成 两 块<br />
两 块 合 计<br />
90° 角<br />
上 下 层 各<br />
切 成 八 块
谢 谢 !<br />
多 一 点 关 爱 多 一 点 理 解<br />
多 一 点 友 情 多 一 点 亲 情<br />
今 天 你 们 为 是 微 电 子 所 的 研 究 生 感 到 自 豪 ,<br />
明 天 我 们 研 究 所 将 为 有 你 们 而 骄 傲 !