Kapitel 7 - Unipolarer Transistor, MOSFET
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Funktionsweise (c)<br />
Ab einer bestimmten Schwellspannung U th (engl. threshold voltage)<br />
befinden sich im Bereich der Gate-Elektrode praktisch keine freien<br />
Löcher (Majoritätsträger) mehr im p-Halbleiter.<br />
Stattdessen sammeln sich direkt unterhalb der Gate-Elektrode freie<br />
Elektronen (Minoritätsträger), wodurch der eigentlich p-dotierte<br />
Halbleiter nahe an der Isolierschicht n-leitend wird! Dieser Zustand<br />
wird „starke Inversion“ genannt.<br />
Source (S) Gate (G)<br />
+ + + + + + + + + + +<br />
Drain (D)<br />
– – – – – – –<br />
n+ n+<br />
7. Unipolare <strong>Transistor</strong>en, <strong>MOSFET</strong>s<br />
Der entstandene dünne<br />
n-leitende Kanal<br />
verbindet die beiden<br />
n-Gebiete Source und<br />
Drain, ein Stromfluss<br />
I DS ist nun möglich.<br />
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