Tagungsablauf 2009
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Tagungsablauf 2009
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VDE – ITG Fachgruppe 8.5.6 fWLR /<br />
Wafer Level Reliability, Zuverlässigkeits<br />
- Simulation & Qualifikation<br />
Donnerstag, 12.11.<strong>2009</strong><br />
Vormittagssitzung: Allgemeine Informationen / Aktivitäten<br />
Agenda Nutzertreffen<br />
Dresden 12./13.11.<strong>2009</strong><br />
08.30 – 09.00 Uhr Begrüßung und Kurzvorstellung zum Tagungsort J.O. Weidner<br />
09.00 – 09.10 Uhr Offizielle Begrüßung und Eröffnung der Tagung Aal / Möller<br />
09.10 – 09.30 Uhr ITG 8.5.6 Aktivitäten im zurückliegenden Zeitraum A. Aal<br />
09.30 – 09.50 Uhr Informationen über den IIRW <strong>2009</strong> R. Geilenkeuser<br />
GLOBALFOUNDRIES<br />
09.50 – 10.50 Uhr Stand „Internationale fWLR Guideline“ Martin / Aal<br />
10.50 – 11.20 Uhr Kaffeepause<br />
11.20 – 12.00 Uhr Vorstellung der JEDEC Arbeitsgruppen mit<br />
Diskussion Krause / Aal<br />
12.00 – 13.00 Uhr Mittagspause<br />
13.00 – 13.20 Uhr Was genau ist eigentlich Zuverlässigkeit ? A. Aal<br />
- allgemeine Betrachtungen ELMOS<br />
Late News:<br />
13.20 – 13.40 Uhr Hot Carrier Degradation of High Voltage Transistors Steffen Bogacz<br />
XFAB Dresden<br />
Nachmittagssitzung: Workshop I „Metallisierung/Kontakte“<br />
13.40 – 14.10 Uhr „Berechnung der entkoppelten Migrations- K. Weide-Zaage<br />
mechanismen in Metallisierungsstrukturen“ Uni. Hannover<br />
14.10 – 14.40 Uhr „Metallisierungskombistrukturen für den PCM Test“ V. Hein,<br />
XFAB Erfurt<br />
14.40 – 15.10 Uhr „BEOL – EM „und/oder“ TDDB“ O. Aubel,<br />
GLOBALFOUNDRIES<br />
15.10 – 15.40 Uhr „Korrelation von WL und PL EM-Tests“ L. Meinshausen,<br />
GLOBALFOUNDRIES<br />
15.40 – 16.10 Uhr Kaffeepause<br />
16.10 – 16.50 Uhr „Strategische Ansätze beim Via-Monitoring<br />
- Diskussionsgrundlagen“ A. Aal,<br />
ELMOS<br />
16.50 – 17.10 Uhr „VIA – Teststrukturen-Beispiel“ U. Möller,<br />
XFAB Dresden<br />
17.10 – 18.00 Uhr Allgemeine Diskussion<br />
19.00 Uhr Gemeinsames Abendessen in einem Dresdner Lokal
Freitag, 13.11.<strong>2009</strong><br />
Vormittagssitzung: Workshop II „BTI / GOI“<br />
08.30 – 09.00 Uhr „TCAD Device Simulation zur Analyse des NBTI- M. Ackermann,<br />
Verhaltens von 0.18µm PMOS Transistoren“ XFAB Erfurt<br />
09.00 – 09.30 Uhr „fWLR PBTI-Tests an HK/MG“ G. Krause,<br />
GLOBALFOUNDRIES<br />
09.30 – 10.00 Uhr „BTI Polyheizer – Praktische Aspekte“ U. Möller,<br />
XFAB Erfurt<br />
10.00 – 10.30 Uhr Kaffeepause<br />
10.30 – 11.00 Uhr „SILC Messungen während des Inline TDDB-Tests“ D. Lipp,<br />
GLOBALFOUNDRIES<br />
11.00 – 11.20 Uhr „V-Ramp TDDB als extended fWLR Methode<br />
- Voraussetzungen“ A. Aal,<br />
ELMOS<br />
11.20 – 11.40 Uhr „Einige Aspekte der V-Ramp-TDDB-Messung “ U. Möller,<br />
XFAB Dresden<br />
11.40 – 12.00 Uhr „fWLR NVM Endurance“ A. Uhlemann, A. Aal,<br />
ELMOS<br />
12.00 – 13.00 Uhr Diskussion, Zusammenfassung der Ergebnisse,<br />
Zielsetzung/Arbeitsplan für das nächste Treffen<br />
13.00 – 14.00 Uhr Mittagspause<br />
14.00 – 16.00 Uhr Tour durch die Zuverlässigkeits-Messlabore G. Krause,<br />
von GF GLOBALFOUNDRIES<br />
anschließend Abreise
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