Tight-Binding-Theorie für optische und magnetische ... - E-LIB

8. VERDÜNNT MAGNETISCHE HALBLEITER
J ij
in eV
0.08
0.06
0.04
0.02
0
E F
= 1.86 eV
E F
= 1.80 eV
E F
= 1.72 eV
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Abstand R in a
J ij
*R 3 in eV*a 3
0.04
0.02
0
−0.02
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Abstand R in a
Abbildung 8.20: Unordnungsgemittelte Austauschintegrale von Ga 1−x Mn x N
für x=10% mit Fermi-Energien im oberen Störstellenband - Im unteren Bild erfolgte
eine Reskalierung mit dem RKKY-Faktor R 3 ohne Fehlerbalken.
J ij
in eV
0
−2
−4
E = 1.50 eV
−6
0 1 2 3 4 5 6 7 8
2 x 10−3 Abstand R in a
F
J ij
*R 3 in eV*a 3
5 x 10−3
0
Abstand R in a
−5
−10
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Abbildung 8.21: Unordnungsgemittelte Austauschintegrale von Ga 1−x Mn x N
für x=10% mit Fermi-Energie in der Störstellen-Bandlücke - Im unteren Bild
erfolgte eine Reskalierung mit dem RKKY-Faktor R 3 ohne Fehlerbalken.
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