1 Der Thyristor-Leistungssteller - Jumo GmbH & Co. KG
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2.1 <strong>Der</strong> IGBT als elektronischer Schalter<br />
Abbildung 7: Schaltsymbol eines IGBT<br />
JUMO, FAS 620, Ausgabe 06.07<br />
2 <strong>Der</strong> IGBT-<strong>Leistungssteller</strong><br />
<strong>Der</strong> IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) verhält sich wie ein NPN-Transistor mit einem isolierten<br />
MOSFET-Gate als Steuerzone. Konsequenterweise wird der dem Drain des MOSFET’s entsprechende<br />
Anschluss als Kollektor und der dem Source entsprechende Anschluss als Emitter bezeichnet.<br />
Bei einem in Schaltrichtung betriebenen IGBT wird nach Anlegen einer positiven Spannung<br />
zwischen Gate und Emitter die Strecke Kollektor-Emitter leitend. Die Strecke kann durch Anlegen<br />
einer negativen Spannung zwischen Gate und Emitter gesperrt werden, auch wenn in<br />
diesem Fall noch ein Strom zwischen Kollektor und Emitter fliesst. <strong>Der</strong> IGBT wird lediglich als<br />
Schaltelement genutzt. Ein Betrieb als Linearverstärker ist nicht vorgesehen.<br />
<strong>Der</strong> IGBT besitzt eine sehr hohe Spannungsfestigkeit und die Sättigungsspannung (Spannung zwischen<br />
Kollektor und Emitter im leitfähigen Zustand) ist relativ gering. Er kann an seinem Gate sehr<br />
einfach angesteuert werden und seine Umschaltverluste sind akzeptabel.<br />
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