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Elementarzelle von Bi2Te3 hsl Chemnitz 2008 Legierungen konventionelle Halbleiter mit einfacher Gitterstruktur ungeeignet niedrige Wärmeleitfähigkeit in intermetallischen Verbindungen von Hg, Pb, Bi, Tl, Sb, S, Se, Te starke Anisotropie der Transporteigenschaften Einstellung der Ladungsträgerkonzentration und Minimierung der Wärmeleitung durch Mischkristalle von Bi2Te3/Sb2Te3 optimal für p-Typ: (Sb0,8Bi0,2)2Te3 n-Typ: Bi2(Te0,8Se0,2)3
ZT hsl Chemnitz 2008 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0 State of the art-Thermoelektrika n-Typ p-Typ 1,4 Bi Te 2 3 PbTe CoSb 3 SiGe 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 Sb Te 2 3 TAGS Yb MnSb 14 11 CeFe Sb 4 12 PbTe SiGe 200 400 600 800 0 200 400 600 800 Temperatur (°C) unterhalb Raumtemperatur: BiSb-Legierungen 300 – 700 °C: PbTe, GaTe, SnTe und deren Mischkristalle TAGS-Verbindung (GeTe)0,85(AgSbTe2)0,15 mit ZT = 1,2 LAST-Verbindungen Ag1 – xPbySbTe2 + y Temperatur (°C) hohe Temperaturen: SixGe1 – x-Legierungen (Optimum x = 0,7) [Snyder, Toberer 2008]
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