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第一章 研究背景介绍 子散
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移率 µe = eτp/m ∗ 来得到
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∑ mk1nk2 = ECn ′ k ′ 1 m′ k
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第一章 研究背景介绍 (Kx, K
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将 Hs(k) 和 ρ ′ k 按照球谐
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第一章 研究背景介绍 二维
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1.7.1 四自旋子带模型 Fig. 1.
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第一章 研究背景介绍 图 1-
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第一章 研究背景介绍 数 1
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因此有 S(q) − 1 与 g(r) − 1
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为 En = 2 n 2 π 2 2mzL 2 。对
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第一章 研究背景介绍 其中
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G(e 2 /h) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 0
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∂ρk ∂t AC = 第二章 n
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第二章 n 型 GaAs 量子阱中
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τ (ps) 10 2 10 1 0 50 100 150 200
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第二章 n 型 GaAs 量子阱中
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τ (ps) 10 2 0 0.02 0.04 0.06 E (kV
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T e (K) 68 66 64 62 60 58 56 54 52
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第三章 本征和 p 型 GaAs 量
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为: 第三章 本征和 p 型 GaAs
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第三章 本征和 p 型 GaAs 量
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第三章 本征和 p 型 GaAs 量
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第三章 本征和 p 型 GaAs 量
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(a) 第四章 高迁移率二维电
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第四章 高迁移率二维电子
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第四章 高迁移率二维电子
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第四章 高迁移率二维电子
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第四章 高迁移率二维电子
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第五章 低温下 n 型 GaAs 量
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第五章 低温下 n 型 GaAs 量
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第五章 低温下 n 型 GaAs 量
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第六章 二维介观空穴系统
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当端口 µ 的重空穴电荷流
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第六章 二维介观空穴系统
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第七章 三种自旋过滤器模
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第七章 三种自旋过滤器模
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待定系数 ALj,σ、ARj,σ 和 B
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为 Nw,在量子线的横向上仍
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第七章 三种自旋过滤器模
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第七章 三种自旋过滤器模
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G (e 2 /h) 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.
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第八章 总结 在本论文中,
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第八章 总结 种修正时的自
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附录A 电子- AC 声子散射的
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附录B BAP散射的计算方法
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附录C 强 Terahertz 场引发的
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[1] D. Grundler, Physics World 15,
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参考文献 [69] R. Fiederling, M.
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[137] H. C. Huang, O. Voskoboynikov
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参考文献 [206] G. Woltersdorf,
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参考文献 [268] A. T. Gorelenok,
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[335] M. W. Wu, J. Phys. Soc. Jpn.
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[415] G. Papp and F. M. Peeters, Ap
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硕博连读期间发表的论文 1
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致 谢 本论文是在我的导师