1.5 III-V 族半导体能带结构简介 图 1-28: 对称的 GaAs/AlGaAs 量子阱的能带示意图。摘自互联网。 下面我们详细讨论量子阱。从形式上,量子阱可以分为不对称量子阱和对称量子 阱,前者由具有倒三角势的反型层或者不对称的半导体异质结组成,阱内的内建电场 将会导致较大的 Rashba 自旋轨道耦合,而后者由对称异质结组成,其 Rashba 自旋轨 道耦合较小。最常见的 GaAs/AlGaAs 量子阱是有一层 GaAs 薄层和两个 AlGaAs 固溶 体厚层组成的三明治结构,如图1-28所示。这两种结构的晶格常数匹配度很高(差别小 于 1.6% ),可以形成性能较好的异质结,其中的两种载流子,电子和空穴,都被束缚在 阱内。量子阱的阱深可以由固溶体 AlxGa1−xAs 中 Al 的掺杂比例大致估算得到,两种 材料的总能隙差为 1.087x + 0.438x 2 eV [220, 221],电子部分阱深 Ve 约占 65%,空穴部 分 Vh 则占 35%,例如对于 x = 0.4 的情况,Ve = 328 meV。下面求解量子阱的能级, 取生长方向为 z 方向,电子、空穴(由 i = e, h 标记)的包络函数 φi(z) 的薛定谔方程可 以写为: [ − 2 2m ∗ i,z ∂2 ] + Vi(z) φi(z) = Eiφi(z) , (1.37) ∂z2 这里 m ∗ i,z 是电子、空穴沿 z 方向的有效质量,这里我们忽略了两种材料有效质量的差 别,Ei 是受约束载流子的本征能量。须要指出,我们将空穴情况简化成了和电子一样 的处理方法,实际上空穴的子带比较复杂,我们后面只考虑重空穴第一子带的情况,做 这种简化也未尝不可。Vi(z) 对于电子是 Ve(z) 为导带底的能量,对于空穴是 Vh(z) 为反 号后的重空穴价带顶的能量: ⎧ ⎨−Vi , |z| < a/2 , Vi(z) = ⎩0 , |z| > a/2 . (1.38) 由界面处波函数连续和粒子流守恒的条件可以解出该方程的本征值和本征函数,本征态 32
分为两组,一组为偶宇称态: 另一组为奇宇称态: 其中 βi = φ n i (z) = Ai φ n i (z) = A ′ i ⎧ ⎨e ⎩ −βi|z| , |z| > a/2 , e−ηi cos ξi cos(kiz), |z| < a/2 . ⎧ ⎪⎨ −e ⎪⎩ βiz , z < −a/2 , e−ηi sin ξi sin(kiz), |z| < a/2 e−βiz , z > a/2 . 第一章 研究背景介绍 (1.39) (1.40) √ −2m∗ i,zEi/2 √ 、ηi = βia/2,ki = −2m∗ i,z (Ei + Vi)/2 、ξi = kia/2,对于奇 宇称态,ξi 和 ηi 之间满足关系 ηi = ξi tan ξi,而对于偶宇称态,ξi 和 ηi 之间满足关 系 ηi = −ξictanξi,它们可由超越方程解得: 偶宇称的归一化系数为: 奇宇称的归一化系数为: Ai = A ′ i = ξ 2 i + η 2 i = m ∗ i,zVia 2 /2 2 , (1.41) √ 2 a eηi ( 1 + ηi 1 cos2 ξi √ 2 a eηi ( 1 + ηi 1 sin2 ξi + ηi ξ2 ) −1/2 , (1.42) i + ηi ξ2 ) −1/2 . (1.43) i 对于 Vi → ∞ 的无限深势阱的特殊情况,ηi → ∞、ξi → nπ/2,归一化系数 Ai(A ′ i) → √ 2 a ,本征能量变为 En i = 2 2m∗ ( i,z nπ a )2 ,本征函数变为 φn i = √ 2 nπz sin( a a )。 由于量子阱的约束,单体有效质量哈密顿量将会有所变化,其动能项变为: 于是其本征波函数可写为: Hi,0 = 2 k 2 i 2m ∗ i + Vi(z) , (1.44) ψi,k,n(r, z) = 1 2π eiki·r φ n i (z) , (1.45) 其中 r = (x, y)、k = (kx, ky) 为二维坐标和动量。于是总哈密顿量中 z 方向动量的 l 次 方 kl i,z 应该用相应的约束波函数给出的矩阵元 〈φn i (z)|(−i∂z) l |φn′ i ′ (z)〉 代替。对于较窄的 33
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第二章 n 型 GaAs 量子阱中
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2.2 与实验的比较 由此,我
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2.3 自旋弛豫时间的温度依
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2.3 自旋弛豫时间的温度依
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2.4 自旋弛豫时间对电场的
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2.5 小结 对于电子浓度较小
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3.1 理论模型 3.1 理论模型
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3.2 数值计算结果与分析 射
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3.2 数值计算结果与分析 τ
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3.2 数值计算结果与分析 τ
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第四章 高迁移率二维电子
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4.3 零场相干自旋振荡 4.2.1
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4.4 初始自旋极化对自旋弛
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4.4 初始自旋极化对自旋弛
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4.4 初始自旋极化对自旋弛
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第五章 低温下 n 型 GaAs 量
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5.1 准二维局域场因子的计
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5.2 LFC 对自旋弛豫/去相位
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第六章 二维介观空穴系统
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6.1 理论模型 是张力的哈密
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6.2 结果与分析 I / I 0 I / I 0
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6.3 小结 重空穴带宽的位置
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7.1 周期性磁场调制的自旋
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7.1 周期性磁场调制的自旋
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7.2 量子线双折结构的自旋
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7.3 空穴 Aharonov-Bohm 环结构
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7.3 空穴 Aharonov-Bohm 环结构
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7.3 空穴 Aharonov-Bohm 环结构
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7.4 小结 的变化如图7-13所
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此后,我们研究了本征和 p
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附录A 电子- AC 声子散射的
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对于散射项的后半部分,即
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附录C 强 Terahertz 场引发的
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C.3 主要结果 显然,变化后
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参考文献 J. Janesky, and J. Cal
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参考文献 Semicond. 10, 698 (197
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参考文献 [174] T. Omori, Y. Kur
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参考文献 D. A. Ritchie, and M.
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参考文献 [297] M. Q. Weng and M
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参考文献 [375] F. Toigo and T.
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参考文献 [451] M. M. Glazov and
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硕博连读期间发表的论文 h