Δίοδοι Zener

Control Systems LaboratoryΔίοδοι Zenerσυνεχ.• Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I sregulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου IV Z υδιατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή διακύμανσης inR Lτης αντίστασης του φορτίου και της τάσης της πηγής. +• Κατά τον σχεδιασμό ρυθμιστών τάσεως ουσιαστική είναι η επιλογή της αντίστασης έτσι ώστε το σημείο λειτουργίας της διόδου να ευρίσκεται στην περιοχή Zener, δηλαδή η τάση στα άκρα της να είναι Vz< 0 και το δι' αυτής ρεύμα − I z> 0. Πρέπει δηλαδή Is> ILκαι κατά συνέπεια Vin + υ Vin + Vz −υ−VzVin + VzIs = = > = = IL ⇔ Rs < RL⋅R R R R −Vs s L L z• Αυτή η απαίτηση θα πρέπει όμως να σταθμισθεί με το ότι όσο πιο μικρή είναι η αντίσταση τόσο μεγαλύτερη είναι η κατανάλωση ενέργειας τόσον επ' αυτής όσο και επί της Zener. • Μία άλλη χρήση των Zener είναι για τον μετασχηματισμό ή κανονικοποίηση (των σημάτων όπως φαίνεται στην περίπτωση ενός ψαλιδιστή (clipper) με χρήση Zener με V z = -­‐5 V.07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 1 V inR sR s5 V-V outILΨαλιδισµένοΣήµα5 V

ΑσκήσειςControl Systems Laboratory• Στο κύκλωμα “σταθεροποιητή Zener” η δίοδος Zener έχει αντίσταση Zener, R z =11.5 Ω και τάση Zener V z = -­‐12 V. • (α) Εστω ότι η τάση τροφοδοσίας V s παίρνει αρχικά μία τιμή 20 V και σταδιακά ελαττώνεται μέχρι 0 V. Σε κάποιο σημείο αυτής της μεταβολής, η δίοδος Zener θα σταματήσει να δρα ως σταθεροποιητής της τάσης επί του φορτίου. Να ευρεθεί αυτή η τάση τροφοδοσίας V s0 που χάνεται αυτή η δυνατότητα σταθεροποίησης. • (β) Εστω ότι η κανονική τάση τροφοδοσίας είναι V s =20 V με κυμάτωση ±5% γύρω από αυτή την τιμή. Να ευρεθεί η κυμάτωση της τάσης στα άκρα του φορτίου (Υπόδειξη: να ευρεθεί η σχέση V s ως προς i s , όπου i s το ρεύμα που αποδίδει η πηγή τροφοδοσίας). V s0.33 kΩ1.5 kΩ07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 2

Control Systems LaboratoryΑσκήσεις,(α) Ας θεωρήσουμε τα διαρρέοντα ρεύματα στο i sδιπλανό σχήμα. iV zs• Οταν οριακά σταματά η δίοδος να σταθεροποιεί (δηλ. να είναι στη περιοχή Zener) θα ισχύουν στιγμιαία: V1 = 12Viz= 0 ⇒ iL= iS• Οπότε με εφαρμογή των νόμων του Κirchoff: -­‐12V 12V1= iL⋅1,5KΩ= 12V ⇒ iS = iL= = 8mA1,5• Οπότε η αντίστοιχη τάση τροφοδοσίας είναι 0.33 kΩooV = i ⋅0,33KΩ+ 12V ⇒ V = 8mA⋅0,33KΩ+ 12V = 14,64VS S Sσυνεχ. (β) Εφόσον η τάση τροφοδοσίας είναι V s =20 V, η τάση που εφαρμόζεται στο κύκλωμα παίρνει τιμές μεταξύ των : V =1.05 =1.05 20V =s⋅V 21Vmax s⋅V =0.95=s⋅V min s⋅Αυτές είναι μεγαλύτερες από την τάση πηγής στην οποία εμφανίζεται το φαινόμενο Zener. Επομένως, θα έχουμε εμφάνιση του φαινομένου καθ’ όλο το εύρος μεταβολής της τάσης. 07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 3 «1»i L1.5 kΩ=0.95 20V 19V

Control Systems LaboratoryΣηµαντικό πρόβληµα γιαεξάσκηση και κατανόηση• Στο κύκλωμα “σταθεροποιητή Zener” η δίοδος Zener έχει αντίσταση Zener, R z και τάση Zener V z . • (α) Να ευρεθεί η τάση τροφοδοσίας V s που παύει η δυνατότητα σταθεροποίησης της Zener . • (β) Να ευρεθεί η τάση VL στά άκρα του φορτίου σαν συνάρτηση της τάσης της πηγής τροφοδοσίας V s • (γ) Εστω ότι η κανονική τάση τροφοδοσίας είναι V s* και παρουσιάζεται κυμάτωση ±α% γύρω από αυτή την τιμή. Να ευρεθεί η κυμάτωση της τάσης στα άκρα του φορτίου. 07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 5

Control Systems LaboratoryΦωτοεκποµποί Δίοδοι• Σε μία ορθά πολωμένη δίοδο, η μετάβαση των ηλεκτρονίων μέσω της σύνδεσης pn αντιστοιχεί με μετάπτωση από υψηλότερη ενεργειακή στάθμη σε χαμήλώτερη. Η διαφορά ενέργειας εκλύεται είτε με την μορφή θερμότητας στις απλές διόδους είτε με την μορφή φωτός στις φωτοεκπομπούς διόδους (Light Emixng Diode -­‐ LED) . • Οι LED είναι κατασκευασμένες από Ga, P ή As. Η σχετική ανάμιξη αυτών των ουσιών οδηγεί σε έκλυση φωτός διαφόρων χρωμάτων (δηλ. μηκών κύματος) ή ακόμα και σε (αόρατες) ακτίνες υπέρυθρες . Οι LED έχουν χαμηλό PIV (-­‐3 ÷ -­‐5V) και επομένως θα πρέπει να ελέγχεται η σωστή πολικότητα τους. Το δυναμικό παρεμπόδισης είναι περίπου V. LED=1.5 -­‐ 2.2 V και το τυπικό ρεύμα περίπου I = 20 -­‐ 30 mA. Επομένως, για να αποφευχθεί η καταστροφή τους, θα πρέπει να τίθενται εν σειρά με μία αντίσταση V in( )R = V −V Is in LEDόπου η τάση της πηγής. Η ειδική έκλυση φωτεινής ενέργειας στις LED είναι περίπου 0.1 W/A. 07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 6

Control Systems LaboratoryΦωτοδίοδοι – Δίοδοι Laser• Οταν το φώς από την LED οδηγηθεί σε μία κοιλότητα μεταξύ δύο εξαιρετικά ανακλαστικών επιφανειών τότε η συνεχής ανάκλαση οδηγεί στο σχηματισμό μιάς εξαιρετικά φωτεινής και “μονο-­‐συχνοτικής” ακτίνας φωτός. Γιά την κατασκευή του χρησιμοποιείται GaAs που αυξάνει την οπτική ισχύ κατά 1000 φορές σε σχέση με τις απλές LED. Το μήκος L καθορίζει το μήκος κύματος του εκπεμπομένου φωτός. Χρησιμοποιούνται σε οπτικές επικοινωνίες και συστήματα αναγνωσης με “μπάρες” (bar coding). • Οι φωτοδίοδοι (photodiodes) είναι δίοδοι σχεδιασμένες να λειτουργούν σε ανάστροφη πόλωση και κατασκευασμένες έτσι ώστε φως να μπορεί να οδηγηθεί στην ένωση pn μέσω ενός φακού που είναι προσαρμοσμένος σε ένα “παράθυρο”. Το ρεύμα διαρροής, που είναι στα επίπεδα των μΑ, είναι ανάλογο της εισερχόμενης φωτεινής ισχύος. • Παρακάτω φαίνεται μία εφαρμογή ενός καλωδίου οπτικής ίνας (fiber opŠc cable) που χρησιμοποιείται για την μετάδοση δεδομένων και απαιτεί LED, IRED ή δίοδο Laser.07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 7

Control Systems LaboratoryΆσκηση για το ΣπίτιΓια τη LED του σχήματος ισχύει: • Το δυναμικό παρεμπόδισης είναι περίπου V LED =1.5 -­‐ 2.2 V. • Εύρυθμη λειτουργία εξασφαλίζεται όταν το ρεύμα που διέρχεται μέσω αυτής είναι στο εύρος I LED = 20 -­‐ 30 mA. • Εχει: – ειδική έκλυση φωτεινής ενέργειας περίπου 0.1 W/A , και – χαμηλό δυναμικό κατάρρευσης (-­‐3 ÷ -­‐5 V). Να ευρεθεί τό εύρος διακύμανσης V s min , V smax της τάσης τροφοδοσίας όσο και η εν σειρά αντίσταση που εξασφαλίζει: – τόσο ότι σε κανονική σύνδεση (ορθή πόλωση) διέρχεται ρεύμα στο αναμενόμενο εύρος – όσο και ότι σε πιθανή λανθασμένη τοποθέτιση της LED, η τάση στα άκρα της δεν θα καταστραφεί. 07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 8

Κεφάλαιο 2Transistors1. Εισαγωγή -­‐ Γενικά 2. Διπολικά Transistors (Bipolar JuncŠon Transistors -­‐ BJT) a. Χαρακτηριστικά Λειτουργίας – Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού b. Πόλωση Transistor c. Το BJT Ως Ενισχυτής d. Το BJT Ως Διακόπτης e. Βιομηχανικές Εφαρμογές Διπολικών Transistor f. Το Φωτοτρανζίστορ 3. Transistors Επιδράσεως Πεδίου (Field Effect Transistors -­‐ FET) a. Transistor Επιδράσεως Πεδίου Ενώσεως (JuncŠon Filed Effect Transistors -­‐ JFET) 4. Διπολικά transistor Μονωμένης Θύρας (Insulated Gate Bipolar Transistor -­‐ IGBT)

Control Systems LaboratoryΕισαγωγή - Γενικά• Τα transistors είναι ημιαγωγά συσκευάσματα ευρείας χρήσης. • Bασικό χαρακτηριστικό: οι ικανότητες – ενίσχυσης (amplificaŠon) και – ελεγχόμενης διακοπής (switching). • Τα transistors είναι συσκευές 3 ακροδεκτών και το μέγεθός τους είναι ανάλογο της ισχύος που διαχειρίζονται. • Τα transistors ισχύος (power transistors ) χειρίζονται πολλή μεγάλη ισχύ και τοποθετούνται πάνω σε ψήκτρες. • Οι πιό χρήσιμοι τύποι transistor σε βιομηχανικές εφαρμογές είναι • τα Διπολικά transistors (Bipolar JuncMon Transistors -­‐ BJT) και • τα transistors Επιδράσεως Πεδίου (Field Effect Transistors -­‐ FET). • τα Διπολικά transistor Μονωμένης Θύρας (Insulated Gate Bipolar Transistor -­‐ IGBT) • Ο κάθε τύπος έχει τα δικά του πλεονεκτήματα και μειονεκτήματα. Τα BJT είναι τα πιο συχνά χρησιμοποιούμενα στα αναλογικά κυκλώματα ενώ τα FET στα ψηφιακά. • Τα IGBT είναι ένας σχετικά νέος τύπος transistor που συνδυάζει πολλά από τα πλεονεκτήματα των δύο άλλων τύπων. 07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 10

Διατάξεις TransistorControl Systems Laboratory• Οι πιθανές συνδέσεις ενός transistor σχετίζονται με – τον ακροδέκτη από την οποία εισέρχεται το σήμα εισόδου και – τον ακροδέκτη που λαμβάνεται το σήμα εξόδου ή, ισοδύναμα, το ποιος ακροδέκτης του transistor είναι κοινός τόσο για το σήμα εισόδου όσο και για το σήμα εξόδου. • Αυτός είναι σημαντικός παράγων για την ανάλυση και λειτουργία του κυκλώματος. • Ανάλογα, λοιπόν, με το ποιος είναι ο κοινός ακροδέκτης έχουμε τα εξής είδη διατάξεων:V iV 0V iV 0V iV 0(α) κοινού εκποµπού(β) κοινού συλλέκτη(γ) κοινής βάσης07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 12

Control Systems LaboratoryΣύνδεση κοινού εκποµπού(Common Emitter - CE)• Θεωρούμε την συνδεσμολογία κοινού εκπομπού όπου ο εκπομπός είναι κοινός τόσο για το σήμα εισόδου όσο και για το σήμα εξόδου. • Σε αυτή την διάταξη απαιτείται ορθή πόλωση της ένωσης εκπομπού -­‐ βάσης (EB) και ταυτόχρονα ανάστροφη πόλωση της ένωσης συλλέκτη -­‐ βάσης (CB) ενώ το σήμα εισόδου εισέρχεται από την βάση και το σήμα εξόδου λαμβάνεται από τον συλλέκτη. • Αυτές οι πολώσεις και τα αντίστοιχα ρεύματα φαίνονται στα σχήματα. • Σύμφωνα με το νόμο Kirchoff I = I + IE B C• Κατά την ορθή πόλωση transistor τύπου npn το μεγαλύτερο ποσοστό (~ 99 %) του ρεύματος I Eπροέρχεται από τον συλλέκτη (ρεύμα I C ) ενώ το μικρότερο (~ 1 %) προέρχεται από την βάση ( ). I BI EEn p nBI BI BI CnpCCBI CnE07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος I E13

Control Systems LaboratoryΣύνδεση κοινού εκποµπού συνεχ.• Ισχύουν οι σχέσειςI CV = V + VB E BEV = V −I RC CC C CV = V −VCE C EV BBI BR BV BI EV CV ER CV CCIIBC=VV=BBCC−VRB−VRCBECE07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 14

Control Systems LaboratoryΚαµπύλη ΒάσηςI C• Η καμπύλη μεταξύ ρεύματος βάσης και τάσης βάσης – εκπομπού είναι παρόμοια με αυτή της διόδου, πράγμα αναμενόμενο λόγω της σύνδεσης pn. • Αν και αυτή η καμπύλη εξαρτάται από την τάση συλλέκτη – εκπομπού , αυτή η εξάρτηση είναι αμελητέα (φαινόμενο Early). • Λόγω της ορθής πόλωσης της ένωσης BE είναι προφανές ότι V (για transistor πυριτίου) . = 0.7BEV• Με ικανοποιητικότατη ακρίβεια στην ανάλυση κυκλωμάτων, μπορεί η παραπάνω καμπύλη μεταξύ ρεύματος βάσης και τάσης βάσης – εκπομπού να προσεγγισθεί από αυτή της διόδου πηγής. • Η περιοχή VBE< 0.7Vόπου IB≈ 0λέγεται περιοχή αποκοπής.V BBI Bαποκοπή{I BV BR BI E0.7 Vhie=R CV CV EdVdIBEBV BEV CC07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 15

Καµπύλες ΣυλλέκτηI CControl Systems Laboratory• Η σχέση μεταξύ και δίδεται στο σχήμα για μία δεδομένη τιμή της VCE(οι καμπύλες μεταβάλλονται παραμετρικά ως προς το VCE) όπου το κέρδος ρεύματος είναι ! dc= I cI B= h FE" 20…200και είναι προσεγγιστικά σταθερό για ένα σημαντικό τμήμα του εύρους μεταβολής του I Bαν και προφανώς δεν είναι (δηλαδή , hfeμεταβάλλεται ελαφρά) γιατί hFE≠ hfe. • Η σχέση μεταξύ ρευμάτων συλλέκτη και εκπομπού είναι! dc= h FB= I cI E= " dc ( 1+ " dc ) # 0.95…0.99 < 1• Η σχέση μεταξύ ICκαι VCEδίδεται από μία οικογένεια καμπυλών με παράμετρο το • Η περιοχή I = 0είναι η περιοχή αποκοπής και αντιστοιχεί σε I

Καμπύλες Transistor I BI CI CR CI BV CV Bαποκοπήhie=dVdIBEBV BBR BI EV EV CChfedIdICB= βac{0.7 Vβ I I = hdc C B FEI BV BEI CI C(max)P D(max)Σελ.28 I B+Ενεργός ΠεριοχήI = const.BΠεριοχήΚόρου≅ 0.7 V ΠεριοχήαποκοπήςI = 0BV CEΠεριοχήΚατάρρευσηςV CE(max)07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 17

V BBΑσκηση: Ανάλυση Κυκλώματος Transistor I C22 kΩ5 VI BR BV BI EV CV ER Cβ DC =1001 kΩV CCI C(max)I CΠεριοχήΚόρου≅ 0.7 V I BI = const.B+Περιοχήαποκοπής• Για V CC =22 V να ευρεθούν τα I B , I C , I E , V BE , V CE και V CB . Ενεργός ΠεριοχήI = 0BP D(max)V CEΠεριοχήΚατάρρευσηςV CE(max)• Για προδιαγραφές: P D(max) =800 mW, V CE(max) =15 V και I C(max) =100 mA να ευρεθεί η μέγιστη τιμή που μπορούμε να ρυθμίσουμε την V CC για να μην υπερβούμε τις προδιαγραφές (δηλ. για να παραμείνουμε στην ενεργό περιοχή). Ποιά προδιαγραφή θα υπερβούμε πρώτη? • Λύση: έχουμε VBB−VBE5V − 0.7 VIB = = = 195 µ A IC = βDCIB= ( 100)( 195 µ A)= 19.5 mARB22 kΩ• Επομένως IC< IC( max). Επίσης IE = IB + IC= 19.5 mA+ 195 µ A=19.695 mA• Η πτώση τάσης στην R C είναι: V = I R = 19.5 mA 1 kΩ = 19.5VR C CC( )( )07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 18

V BBΑσκηση: Ανάλυση Κυκλώματος Transistor I C22 kΩ5 VI BR BV BI EV CV ER Cβ DC =1001 kΩV CCI C(max)I CΠεριοχήΚόρουI BI = const.B+ΠεριοχήαποκοπήςΕνεργός ΠεριοχήI = 0BP D(max)V CEΠεριοχήΚατάρρευσηςV CE(max)≅ 0.7 V • Επειδή: VCE = VCC − VR = V 19.5C CC− V• Αρα, VCC= 22V ⇒ VCE= 22V − 19.5V = 2.5Vκαι • Επειδή V CB= V C!"V BE= 2.5V " 0.7 V = 1.8VV = V − V = V −19.5V ⇒ V = V + 19.5V⇒CE CC R CC CC CECV( )= V( )+ 19.5V = 15V + 19.5V = 34.5VCC max CE max• Αναφορικά με το «Ποιά προδιαγραφή θα υπερβούμε πρώτη»: Παρατηρείστε ότι PDPDPD = VCEIC = ( VCC −VR ) I 19.5C C⇒ VCC = + VR= + V ⇒CI 19.5 mAPD( max)800 mWV( )= + 19.5V = + 19.5V ; 60.526VCC max19.5 mA 19.5 mA• Αρα πρώτη θα υπερβούμε την V CE(max) όταν η V CC γίνει 34.5 V. 07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 19 C

Μοντέλα Προσέγγισης TransistorControl Systems Laboratory++B C VBEdcIBVCEE --( )• α' προσέγγιση: Ιδανικό Transistor Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης-­‐εκπομπού λαμβάνεται ως ιδανική και το ρεύμα συλλέκτη δίδεται από την σχέσηI= β ⋅IC dc BI Bαποκοπή{0.7 VhiedV=dIBEBI CΠεριοχήΚόρουV BEΠεριοχήαποκοπήςΕνεργός ΠεριοχήI BI = const.BI = 0B+V CEΠεριοχήΚατάρρευσης07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 20

Control Systems LaboratoryΜοντέλα Προσέγγισης Transistor συνεχ.++B C E VBEdcIBVCE--( )• β' προσέγγιση: Είναι η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη προσέγγιση. Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης-­‐εκπομπού λαμβάνεται ως δίοδος πηγή και κατά συνέπειαVBE( V )= β ⋅I= const =0.7 για πυριτιοIC dc B07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 21 IB0.7VV BEI C( ) ( )VCE

Control Systems LaboratoryΜοντέλα Προσέγγισης Transistor συνεχ.• γ' προσέγγιση: Χρησιμοποιείται όταν είναι απαραίτητη σημαντική ακρίβεια. Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης-­‐εκπομπού λαμβάνεται ως δίοδος πηγή με αντίσταση σώματος r Bemit και κατά συνέπεια η τάση V BEδεν είναι σταθερή V = V + I ⋅r V =0.7 V για πυριτιοBE b E B bemit( )• Η δίοδος που παριστά την ένωση pn βάσης-­‐συλλέκτη έχει μία αντίσταση σώματος r Bcoll που επηρεάζει μόνο την περιοχή κόρου και όχι την ενεργό περιοχή, δηλαδή για κάποιο ρεύμα βάσης I Bεπειδή ο κόρος ισχύει όσο I < β ⋅Isatτότε στην περιοχή του κόρου ισχύειV = I ⋅rCE C Bsat sat coll+C dc BV BE-07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 22 B IBC E 0.7Vµ dc B CE( )V BEICr Bcoll( ) ( )IV+-V CE

Control Systems LaboratoryΧαρακτηριστικά TransistorΟρισμένα από τα πιο σημαντικά στοιχεία που δίδονται από τον κατασκευαστή είναι : • οι ανάστροφες τάσεις κατάρρευσης V CBmax– : συλλέκτη – βάσης, – V CE0max : συλλέκτη – εκπομπού με ανοικτή βάση και – : εκπομπού – βάσης V EBmax• το μέγιστο DC ρεύμα συλλέκτη ( ) και • η μέγιστη ισχύς της διάταξης ( PD = VCE⋅IC), που μπορεί να δίδεται για διάφορες θερμοκρασίες περιβάλλοντος. Πρέπει να τονισθεί ότι το κέρδος ρεύματος βdc= hFEεξαρτάται τόσο από το ρεύμα συλλέκτη όσο και από την θερμοκρασία περιβάλλοντος. Ακόμα και για συγκεκριμένες τιμές ρεύματος συλλέκτη και θερμοκρασίας περιβάλλοντος, για δύο transistor του ιδίου τύπου το κέρδος μπορεί να διαφέρει σημαντικά και τυχαία με κάποιες μέγιστες και ελάχιστες τιμές που δίδονται από τον κατασκευαστή.I ChfedIdIβ I I = hCBC B FEI BI CmaxV CBmaxV CE0maxV EBmaxI CmaxP Dmax[mA]= 60 V 0.1 40 --= 40V 1 70 --= 6 V 10 100 300= 200 mA 50 60 --= 250 mW (25 o C) 100 30 --07 Μαρτίου 2013 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά -­‐ Κ.Ι.Κυριακόπουλος 23 ICh FEminh FEmax