IF_GODIER AMBURGO_FCNM.pdf - Universidad Nacional del Callao.

More documents

Recommendations

Info

Resistencia y resistividad Experimentalmente es posible observar que la corriente eléctrica que circula por conductores idénticos en forma pero de material distinto no es la misma; no obstante, se los somete a la misma diferencia de potencial. Vemos que a un mayor campo aplicado al conductor tenemos mayor corriente y por tanto una velocidad de arrastre más grande. Es decir existe una relación directa entre la velocidad de arrastre y el campo, dependiendo de la movilidad m de cada material, esto es: __ __ v m E (3.3.1) Ahora introducimos un nuevo término que se define como densidad de corriente y se simboliza por J, que es la corriente por unidad de área. J i nve (3.3.2) A Donde: n, es el número de electrones por unidad de volumen. e, es la carga de cada electrón. v, es la velocidad de arrastre. Si reemplazamos la ecuación (3.3.1) en (3.3.2), tenemos: __ J __ __ nem E E (3.3.3) Donde: nem, se llama conductividad <strong>del</strong> conductor. El reciproco de se conoce como resistividad y se representa con la letra griega , la ecuación (3.3.2), se puede escribir como: 23
i 1 J E (3.3.4) A Luego como el campo eléctrico ha sido establecido en el conductor por una diferencia de potencial: __ __ V E d l EL (3.3.5) Sustituyendo (3.3.4) en (3.3.5) tenemos: L V i (3.3.6) A Esta relación se escribe comúnmente como: V Ri (3.3.7) Donde R, se conoce como la resistencia <strong>del</strong> conductor cilíndrico y está dada por: R L A (3.3.8) En resumen la resistencia de un conductor depende de la resistividad que es una propiedad intrínseca de cada material. La resistencia se representa simbólicamente por: Sus unidades son voltios por ampere a la cual se denomina Ohm y cuyo símbolo es ; La ley de Ohm, es válida para cualquier porción de un circuito que contiene solamente resistencias. Se cumple con bastante precisión en muchos conductores en un gran intervalo de valores de voltaje y corriente; así como de temperatura. No se aplica a semiconductores, ni a partes de un circuito que contiene fuerza electromotriz. 24
Page 1 and 2: UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FAC
Page 3 and 4: 5. REFERENCIALES ………………
Page 5 and 6: INTRODUCCIÓN El uso del computador
Page 7 and 8: 2. MATERIALES Y MÉTODOS Para el de
Page 9 and 10: 3. RESULTADOS 3.1 Campo eléctrico
Page 11 and 12: El campo eléctrico se define como
Page 13 and 14: Líneas de campo y equipotenciales
Page 15 and 16: Figura (3.1.7). Dipolo de cargas ig
Page 17 and 18: 3.2 Condensadores Si dos conductore
Page 19 and 20: q 0 ε EA (3.2.2) Ahora, como la c
Page 21 and 22: Esta relación se define como la co
Page 23: 3.3 Resistencias Cuando los extremo
Page 27 and 28: 3.4 Reglas de Kirchhoff Para inicia
Page 29 and 30: Figura (3.4.2). Agrupamiento de res
Page 31 and 32: Redes de resistencias que contienen
Page 33 and 34: 3.5 Campo magnético La dirección
Page 35 and 36: Con la propiedad de que el flujo ma
Page 37 and 38: 3.6 Ley de Faraday Supongamos que t
Page 39 and 40: Faraday observo que entre más ráp
Page 41 and 42: Figura ( 3.6.5). Campo magnético i
Page 43 and 44: B 2 0a N i0sen(2ft) B0sen(2ft) 3
Page 45 and 46: N B 0 i (3.7.1) d Este campo atrav
Page 47 and 48: Circuito que contiene capacidad y r
Page 49 and 50: Si deseamos obtener la razón de fl
Page 51 and 52: Figura (3.7.5). Variación de carga
Page 53 and 54: Circuito que contiene autoinducció
Page 55 and 56: Figura (3.7.9). Variación de volta
Page 57 and 58: t L e (3.7.22) L La grafica en
Page 59 and 60: El producto 2f se denomina frecuenc
Page 61 and 62: Entonces: I m Vm Vm Vm (3.8.6) 2
Page 63 and 64: 3.9 Laboratorio: Campo Eléctrico I
Page 65 and 66: i. Haga contacto con la esfera carg
Page 67 and 68: d. La salida a tierra del electróm
Page 69 and 70: Figura (3.9.3). Papel para mapeo de
Page 71 and 72: PROCEDIMIENTO Y ACTIVIDADES Procedi
Page 73 and 74: Figura (3.10.2). Disposición de eq
Page 75 and 76:
3.11 Laboratorio: Resistencias INTR
Page 77 and 78:
Figura (3.11.1). Disposición de eq
Page 79 and 80:
3.12 Laboratorio: Leyes de Kirchhof
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Figura (3.12.2). Montaje del circui
Page 85 and 86:
3.13 Laboratorio: Campo magnético
Page 87 and 88:
Primera actividad (Determinación d
Page 89 and 90:
Segunda actividad (Campo magnético
Page 91 and 92:
3.14 Laboratorio: Ley de Faraday IN
Page 93 and 94:
Figura (3.14.2). Amplificador de po
Page 95 and 96:
Tabla (3.14.2), Calculo de Amplitud
Page 97 and 98:
Figura (3.15.1). Interfaz universal
Page 99 and 100:
El valor teórico de C , puede cal
Page 101 and 102:
e. Las terminales del sensor de vol
Page 103 and 104:
Tabla (3.15.2), Datos de corriente
Page 105 and 106:
Figura (3.16.1). Interfaz universal
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
4. DISCUSIÓN Respecto al marco te
Page 111:
6. APÉNDICES A. Conductividades el
show all

IF_GODIER AMBURGO_FCNM.pdf - Universidad Nacional del Callao.

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?