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Tema 6: Etapas de Salida - Universidad Complutense de Madrid

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<strong>Tema</strong> 6<strong>Etapas</strong> <strong>de</strong> <strong>Salida</strong>(a)Figura 6: <strong>Etapas</strong> <strong>de</strong> salida tipo seguidor <strong>de</strong> emisor/fuente como sumi<strong>de</strong>ros <strong>de</strong> corriente: PNP (a) yPMOS (b).Para uso <strong>de</strong> alumnos <strong>de</strong> la<strong>Universidad</strong> <strong>Complutense</strong> <strong>de</strong> <strong>Madrid</strong>http://www.ucm.es(b)(a) (b) (c)Figura 7: Estructuras <strong>de</strong> falsos PNPs para reemplazar el PNP simple <strong>de</strong> Fig. 6a. Par Darlington (a),con relación I C = (1 + h F E ) 2 ·I B ; Falso PNP bipolar (b), con relación I C = h F EP (1 + h F EN ) ·I By falso PNP con JFET (c), con relación I C = (1 + h F E ) ·β· (V BE − V P ) 2 .<strong>de</strong> fuente PMOS, basta con diseñar el dispositivo con un canal tres veces más ancho para que sucomportamiento DC sea igual al <strong>de</strong> su contrapartida NMOS.No obstante, el caso <strong>de</strong>l PNP es más complejo pues no se pue<strong>de</strong> recurrir a estrategias geométricas.Por ello, es habitual reemplazar el PNP simple por estructuras llamadas <strong>de</strong> falso PNP, a partir<strong>de</strong> dispositivos con mejores características (Fig. 7). Vistos como una caja negra, estos dispositivospue<strong>de</strong>n mo<strong>de</strong>larse como una única estructura <strong>de</strong> tres terminales en la que la mayor parte <strong>de</strong> lacorriente que entra por el falso emisor sale por el falso colector.2.2. Pares complementariosEstas estructuras intentan solucionar el mayor problema <strong>de</strong> los seguidores <strong>de</strong> emisor: La incapacidad<strong>de</strong> absorber corriente. Por ello, se van a utilizar parejas <strong>de</strong> transistores que van a trabajaren equipo.2.2.1. Pares complementarios push-pull clase BLas versiones <strong>de</strong> esta estructura en tecnología bipolar y CMOS se muestran en Fig. 8. Enambos casos, el transistor A se encarga <strong>de</strong> proporcionar corriente y el B <strong>de</strong> drenarla. En el caso<strong>de</strong>l par bipolar, si la carga exige que se le suministre corriente, el transistor A <strong>de</strong>be estar en zonaElectrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 10

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