Tema 6: Etapas de Salida - Universidad Complutense de Madrid
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<strong>Tema</strong> 6<strong>Etapas</strong> <strong>de</strong> <strong>Salida</strong>perfectamente lógico pues el transistor NPN no pue<strong>de</strong> absorber corriente sino que lo <strong>de</strong>be hacer lafuente <strong>de</strong> corriente que polariza el transistor. En caso <strong>de</strong> que se exija una corriente <strong>de</strong>masiado gran<strong>de</strong>,el transistor NPN va a situación <strong>de</strong> corte ya que la corriente <strong>de</strong> emisor se <strong>de</strong>be anular para permitirque la carga proporcione el máximo <strong>de</strong> corriente.Este comportamiento indica que esta etapa <strong>de</strong> salida (y, por tanto, el amplicador total) es<strong>de</strong> clase A ya que solo trabaja durante el semiciclo positivo <strong>de</strong> una hipotética tensión <strong>de</strong> entradasinusoidal. Por otra parte, tiene una caracterísitica típica <strong>de</strong> esta familia <strong>de</strong> etapas <strong>de</strong> salida: Unconsumo relativamente elevado incluso en reposo.¾Qué utilidad pue<strong>de</strong> tener esta estructura? En algunos circuitos, la tensión <strong>de</strong> salida es siemprepositiva como, por ejemplo, en reguladores <strong>de</strong> tensión, circuitos lógicos, etc. En otros casos, elamplicador <strong>de</strong> turno no tiene que atacar resistencias <strong>de</strong>masiado gran<strong>de</strong>s. La simplicidad <strong>de</strong>l diseñohace muy recomendable el uso <strong>de</strong> esta estructura siempre y cuando no se <strong>de</strong>ba absorber una grancantidad <strong>de</strong> corriente.Estudiemos ahora otras características DC <strong>de</strong> esta etapa amplicadora. En primer lugar, jémonosen las tensiones <strong>de</strong> saturación positiva y negativa. La primera es fácilmente calculable pues, al estar eltransistor bipolar en ZAD, V CC − V O = V CE ≥ V SAT . No obstante, es fácil encontrar otra limitaciónaún más restrictiva, pues V IN ≤ V CC y V IN − V O = V BE = V γ ⇒ V O ≤ V CC − V γ . Por supuesto, nose han tenido en cuenta las posibles limitaciones <strong>de</strong> las etapas anteriores. En el caso <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>saturación negativa, ya se ha visto la posible <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la carga. Por otro lado, en caso <strong>de</strong> queR L → ∞, el valor exacto <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> saturación negativa <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la manera <strong>de</strong> construir lafuente <strong>de</strong> corriente. Si es un simple espejo <strong>de</strong> corriente, <strong>de</strong>be ser <strong>de</strong>l or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> 0.2 V.Otro parámetro aún más interesante es la corriente <strong>de</strong> cortocircuito positiva. Una manera muyfácil <strong>de</strong> calcularla consiste en suponer que la etapa previa pue<strong>de</strong> proporcionar un máximo <strong>de</strong> corriente<strong>de</strong> entrada, I INMAX . Por ejemplo, la etapa amplicadora previa fuera un inversor polarizado conuna fuente <strong>de</strong> corriente, I QG , I INMAX ∼ I QG . En cualquier caso, se acabaría <strong>de</strong>duciendo que lacorriente en cortocircuito positiva sería:Para uso <strong>de</strong> alumnos <strong>de</strong> lay si el transistor fuera un Darlington:I O,MAX ∼ (1 + h F E ) ·I INMAX (5)<strong>Universidad</strong> <strong>Complutense</strong> <strong>de</strong> <strong>Madrid</strong>http://www.ucm.esI O,MAX ∼ (1 + h F E ) 2 ·I INMAX (6)Finalmente, hay que resaltar que la corriente I IN , que el transistor sustrae <strong>de</strong> las etapas anteriores,se pue<strong>de</strong> calcular como:I IN = I Q + V ORLh F E + 1siempre y cuando el transistor no pase a zona <strong>de</strong> corte. Si utilizáramos un par Darlington, el <strong>de</strong>nominador<strong>de</strong> la expresión anterior se <strong>de</strong>be elevar al cuadrado.Pasemos ahora a estudiar los parámetros característicos en pequeña señal. En primer lugar,(7)Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 6