Tema 6: Etapas de Salida - Universidad Complutense de Madrid

Tema 6Etapas de Salida(a)Figura 12: Estructuras push-pull clase AB mejorada en tecnología CMOS. Equivalente de la estructurabipolar (a) y versión alternativa (b).problema del efecto sustrato en los transistores, que hace perder calidad a la señal.Por este motivo, han surgido estructuras alternativas dada la facilidad de construcción de amplicadoresdiferenciales en tecnología CMOS. Una de ellas es la mostrada en Fig. 12. En estaestructura, la realimentación de los amplicadores operacionales 3 , que no se contradicen entre sí,hace que la tensión de salida sea igual a la de entrada. La tensión de puerta de los transistores varíasegún las necesidades de la corriente de salida. Finalmente, como la fuente de cada transistor estáconectada a una tensión ja, no hay efecto sustrato de ningún tipo.(a)Para uso de alumnos de laUniversidad Complutense de Madridhttp://www.ucm.es(b)(b)Figura 13: Estrategias de protección en tecnología bipolar.3. Protección frente a sobrecorrienteA veces, hay que enfrentarse al problema contrario: Evitar que una etapa de salida proporcionedemasiada corriente y pueda destruir por calentamientla carga o el dispositivo en el que se encuentrainmersa. Por ello, en algunos diseños se adoptan diversas estrategias. Una, muy básica, consiste enagregar en serie con la salida una resistencia de protección (Fig. 13a). Es fácil demostrar que, en estecaso, la corriente de salida está restringida al rango − V EE+V γR S< I OUT < V CC−V γR S. Sin embargo, existeotra estrategia más elegante que consiste en utilizar la diferencia de tensión creada en la resistenciapara activar un tercer transistor que limita la corriente de base del transistor de salida (Fig. 13b). En3 Dado que no deben suministrar corriente, pueden ser reemplazado por pares diferenciales sencillos.Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 14