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Compte-rendu de TP

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1. nous nous centrons sur une imperfection ;2. nous déplaçons la platine d’un certain vecteur (mouvement vrai) ;3. nous ramenons le faisceau sur l’imperfection précé<strong>de</strong>nte à l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> l’optique électronique (beamshift, engendrant éventuellement une erreur) ;4. nous répétons les étapes 2 et 3 pour d’autres vecteurs ;5. nous recommençons à l’étape 2 avec un grandissement <strong>de</strong> plus en plus grand, jusqu’à être satisfaitsdu résultat.Les déplacements pour un grandissement donné sont schématisés sur la Figure 8 <strong>de</strong> la présente page.Zones servant au calibrage1/ Déplacement relatif parrapport à la platine(mouvement <strong>de</strong> la *platine*)2/ Mouvement <strong>de</strong> retour dufaisceau (« beam shift »)Figure 8 – Synoptique <strong>de</strong>s déplacements effectuéslors <strong>de</strong> la calibration du champ d’écriture. Le référentieladopté est celui du bâti <strong>de</strong> la machine.Afin d’illustrer la nécessité d’effectuer cette étape, nous insolerons en sus <strong>de</strong>s motifs <strong>de</strong> test <strong>de</strong> dose,un motif <strong>de</strong> test <strong>de</strong> la calibration du champ d’écriture, constitué :– d’une « longue » piste <strong>de</strong> 5 µm <strong>de</strong> large, pour laquelle aucune procédure <strong>de</strong> calibration du champd’écriture ne sera mise en place ;– <strong>de</strong> la même piste, avec cette fois une calibration du champ d’écriture effective.III.6Création d’un système <strong>de</strong> coordonnéesPour résumer, nous avons effectué, pour l’instant, les étapes suivantes :1. régler la mise au point et corriger l’astigmatisme ;2. mesurer le courant reçu par unité <strong>de</strong> surface, afin d’être en mesure <strong>de</strong> calculer le t dwell ;3. calibrer le champ d’écriture, pour éviter les problèmes lors <strong>de</strong>s raccords <strong>de</strong> champ.Il ne nous reste donc plus qu’à convenir d’un système <strong>de</strong> coordonnées afin <strong>de</strong> pouvoir nous repérersur l’échantillon. Ceci est particulièrement important puisque nous ne pouvons pas aller observer la zoneà insoler sans l’insoler. . .Pour définir notre système <strong>de</strong> coordonnées, il nous suffit <strong>de</strong> choisir un point d’origine (0, 0), auquelnous adjoignons <strong>de</strong>ux axes ⃗u et ⃗v 10 arbitraires.Dans la pratique, nous plaçons l’origine assez proche <strong>de</strong> défauts du wafer facilement observables, neserait-ce que pour faciliter l’observation ultérieure sous microscope optique <strong>de</strong>s motifs insolés.On remarquera que nous nous sommes placés dans le cas d’un premier niveau. Toutefois, il est bond’être conscients du fait que s’il s’était agi d’un <strong>de</strong>uxième niveau, les choses auraient été plus compliquées.En effet, il se serait alors agi <strong>de</strong> se repositionner par rapport à un ancien système <strong>de</strong> coordonnées, toutcela sans exposer au faisceau d’électrons la zone d’intérêt. Cela constitue un tout autre défi. . .10. Deux axes suffisent pour former une base <strong>de</strong> notre espace <strong>de</strong> travail puisque nous travaillons dans un plan.9

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