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corso di fisica della materia condensata 2 - i semiconduttori

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11<br />

Lo schizzo in fig. 8 mostra come, mettendo a contatto i due <strong>semiconduttori</strong>, i portatori <strong>di</strong><br />

maggioranza <strong>di</strong> una zona (ad es. le lacune del semic. p, aventi densità p p ) migrino nell’altro, dove<br />

<strong>di</strong>ventano portatori <strong>di</strong> minoranza (<strong>di</strong> densità p n ). Qui in parte si ricombinano con i portatori <strong>di</strong><br />

segno opposto, lasciando donori nu<strong>di</strong> nella zona n e accettori nu<strong>di</strong> nella zona p.<br />

Questo doppio strato crea alla giunzione una barriera <strong>di</strong> potenziale che cresce finché non è<br />

abbastanza alta da impe<strong>di</strong>re la migrazione <strong>di</strong> altri portatori in entrambi i sensi. All’equilibrio, la sua<br />

altezza in energia è eV c<br />

, dove V c<br />

si chiama potenziale <strong>di</strong> contatto.<br />

L’evoluzione del <strong>di</strong>agramma dell’energia è mostrato nella stessa fig. 8. In basso a sinistra c’è la<br />

situazione prima del contatto: il potenziale chimico µ si trova presso BV dalla parte p e presso BC<br />

dalla parte<br />

!<br />

n. All’equilibrio<br />

!<br />

µ deve essere uguale dalle due parti, come in tutti i sistemi<br />

termo<strong>di</strong>namici che permettono lo scambio <strong>di</strong> particelle; quin<strong>di</strong> si spostano “trascinando con sé” le<br />

bande, e creando tra le due BC e tra le due BV dei <strong>semiconduttori</strong> la barriera <strong>di</strong> altezza eV<br />

!<br />

c<br />

. Quella<br />

mostrata in fig. 8 è<br />

!<br />

la situazione vista dagli elettroni; per ottenere quella vista dalle lacune è<br />

sufficiente effettuare una riflessione rispetto alla linea orizzontale <strong>di</strong> µ.<br />

La zona occupata dalla barriera, cioè dalle impurezze nude, si chiama zona <strong>di</strong><br />

!<br />

svuotamento perché<br />

all’equilibrio è priva <strong>di</strong> portatori. Le sue larghezze, dalla parte p e dalla parte n, sono<br />

rispettivamente d p e d n .<br />

!<br />

IL CALCOLO DI V C<br />

Prima <strong>di</strong> arrivare all’equilibrio, la corrente che attraversa la barriera è la somma <strong>di</strong> due correnti.<br />

Prendendo ad es. gli elettroni, quella dovuta alla <strong>di</strong>ffusione spontanea delle cariche è<br />

j <strong>di</strong>ff<br />

= eD dn<br />

dx<br />

!<br />

dove D = µ e<br />

k B<br />

T /e (legge <strong>di</strong> Nernst-Einstein) è la costante <strong>di</strong> <strong>di</strong>ffusione, x la <strong>di</strong>rezione in cui avviene<br />

dn<br />

la migrazione e il gra<strong>di</strong>ente <strong>di</strong> ! concentrazione. Quella dovuta al campo elettrico che si va creando<br />

dx<br />

alla barriera è<br />

!<br />

j deriva<br />

= neµ e<br />

E<br />

All’equilibrio la corrente totale è nulla. Dunque<br />

!<br />

"<br />

j <strong>di</strong>ff<br />

+ j deriva<br />

= µ e<br />

neE + k B<br />

T dn %<br />

$<br />

' = 0 ( E = ) k T B<br />

# dx &<br />

e<br />

1 dn<br />

n dx<br />

V c<br />

è il lavoro – cambiato <strong>di</strong> segno - fatto da E per portare una carica unitaria che si trovava a<br />

<strong>di</strong>stanza infinita ! dalla barriera a <strong>di</strong>stanza infinita dalla parte opposta, quin<strong>di</strong><br />

!<br />

Poiché<br />

!<br />

V c<br />

= "<br />

+#<br />

$<br />

"#<br />

Edx = k B T<br />

e<br />

n(+#)<br />

dn<br />

$ = k T B<br />

n e<br />

n("#)<br />

ln<br />

n(+#)<br />

n("#)<br />

n(+") = n n<br />

# N d<br />

; n($") = n p<br />

# n i<br />

2<br />

N a<br />

!

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