corso di fisica della materia condensata 2 - i semiconduttori
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11<br />
Lo schizzo in fig. 8 mostra come, mettendo a contatto i due <strong>semiconduttori</strong>, i portatori <strong>di</strong><br />
maggioranza <strong>di</strong> una zona (ad es. le lacune del semic. p, aventi densità p p ) migrino nell’altro, dove<br />
<strong>di</strong>ventano portatori <strong>di</strong> minoranza (<strong>di</strong> densità p n ). Qui in parte si ricombinano con i portatori <strong>di</strong><br />
segno opposto, lasciando donori nu<strong>di</strong> nella zona n e accettori nu<strong>di</strong> nella zona p.<br />
Questo doppio strato crea alla giunzione una barriera <strong>di</strong> potenziale che cresce finché non è<br />
abbastanza alta da impe<strong>di</strong>re la migrazione <strong>di</strong> altri portatori in entrambi i sensi. All’equilibrio, la sua<br />
altezza in energia è eV c<br />
, dove V c<br />
si chiama potenziale <strong>di</strong> contatto.<br />
L’evoluzione del <strong>di</strong>agramma dell’energia è mostrato nella stessa fig. 8. In basso a sinistra c’è la<br />
situazione prima del contatto: il potenziale chimico µ si trova presso BV dalla parte p e presso BC<br />
dalla parte<br />
!<br />
n. All’equilibrio<br />
!<br />
µ deve essere uguale dalle due parti, come in tutti i sistemi<br />
termo<strong>di</strong>namici che permettono lo scambio <strong>di</strong> particelle; quin<strong>di</strong> si spostano “trascinando con sé” le<br />
bande, e creando tra le due BC e tra le due BV dei <strong>semiconduttori</strong> la barriera <strong>di</strong> altezza eV<br />
!<br />
c<br />
. Quella<br />
mostrata in fig. 8 è<br />
!<br />
la situazione vista dagli elettroni; per ottenere quella vista dalle lacune è<br />
sufficiente effettuare una riflessione rispetto alla linea orizzontale <strong>di</strong> µ.<br />
La zona occupata dalla barriera, cioè dalle impurezze nude, si chiama zona <strong>di</strong><br />
!<br />
svuotamento perché<br />
all’equilibrio è priva <strong>di</strong> portatori. Le sue larghezze, dalla parte p e dalla parte n, sono<br />
rispettivamente d p e d n .<br />
!<br />
IL CALCOLO DI V C<br />
Prima <strong>di</strong> arrivare all’equilibrio, la corrente che attraversa la barriera è la somma <strong>di</strong> due correnti.<br />
Prendendo ad es. gli elettroni, quella dovuta alla <strong>di</strong>ffusione spontanea delle cariche è<br />
j <strong>di</strong>ff<br />
= eD dn<br />
dx<br />
!<br />
dove D = µ e<br />
k B<br />
T /e (legge <strong>di</strong> Nernst-Einstein) è la costante <strong>di</strong> <strong>di</strong>ffusione, x la <strong>di</strong>rezione in cui avviene<br />
dn<br />
la migrazione e il gra<strong>di</strong>ente <strong>di</strong> ! concentrazione. Quella dovuta al campo elettrico che si va creando<br />
dx<br />
alla barriera è<br />
!<br />
j deriva<br />
= neµ e<br />
E<br />
All’equilibrio la corrente totale è nulla. Dunque<br />
!<br />
"<br />
j <strong>di</strong>ff<br />
+ j deriva<br />
= µ e<br />
neE + k B<br />
T dn %<br />
$<br />
' = 0 ( E = ) k T B<br />
# dx &<br />
e<br />
1 dn<br />
n dx<br />
V c<br />
è il lavoro – cambiato <strong>di</strong> segno - fatto da E per portare una carica unitaria che si trovava a<br />
<strong>di</strong>stanza infinita ! dalla barriera a <strong>di</strong>stanza infinita dalla parte opposta, quin<strong>di</strong><br />
!<br />
Poiché<br />
!<br />
V c<br />
= "<br />
+#<br />
$<br />
"#<br />
Edx = k B T<br />
e<br />
n(+#)<br />
dn<br />
$ = k T B<br />
n e<br />
n("#)<br />
ln<br />
n(+#)<br />
n("#)<br />
n(+") = n n<br />
# N d<br />
; n($") = n p<br />
# n i<br />
2<br />
N a<br />
!