Teoria - LSI - USP

More documents

Recommendations

Info

Metodologias de Projetos de Circuitos Integrados Digitais de Aplicação Específica ASIC - Application Specific Integrated Circuit Circuitos Integrados de Aplicação Específica (Dedicados) Totalmente personalizados (Full Custom) Circuitos Dedicados Semi personalizados Células Padrão (Standard Cell) Matriz de Portas (Gate Array)
Projeto de C. I. Dedicados Totalmente Personalizados (FULL CUSTOM) Técnica “Top-Down” Hierarquicamente estruturado V DD Fabricação: Todos os passos (Completa) Vantagens: Comportamento estático e dinâmico muito bom Mínima área Desvantagens: Custo Elevado Tempo de projeto elevado
Page 1 and 2: PCI - Projeto de Circuitos Integrad
Page 3 and 4: MÉDIA FINAL : M=(0,4P1 + 0,6P2) .
Page 5 and 6: MOTIVAÇÃO •Explosão no uso da
Page 7 and 8: O que é um Circuito Integrado UNI
Page 9 and 10: Primeiro Circuito Integrado - 1959
Page 11 and 12: Tradicionalmente, o número de comp
Page 13 and 14: Menores dimensões Tecnológicas [m
Page 15: Evolução dos Parâmetros de Fabri
Page 19 and 20: Metodologia Usando Células Padrão
Page 21 and 22: Níveis de Projeto • Nível Funci
Page 23 and 24: Resistores (USP) Resistores projeta
Page 25 and 26: Capacitância (C) Variável com a t
Page 27 and 28: Capacitores (USP) Capacitor projeta
Page 29 and 30: • Transistor Bipolar C B E N B E
Page 31 and 32: • Transistor MOS - Canal P (pMOS)
Page 33 and 34: Desenhe o perfil do Circuito Integr
Page 35 and 36: Densidade de Integração: Número
Page 37 and 38: TRANSISTORES MOS • MOS canal N TI
Page 39 and 40: • Normalmente o substrato é ater
Page 41 and 42: • Normalmente o substrato é liga
Page 43 and 44: PORTAS LÓGICAS BÁSICAS V DD V DD
Page 45 and 46: Exercícios: Preencha o Mapa de Kar
Page 47 and 48: Transistor NMOSFET (Metal-Oxide-Sem
Page 49 and 50: Equações de I DS =f(V GS , V DS )
Page 51 and 52: • Transistor pMOS Porta Fonte Dre
Page 53 and 54: p p ox x ox W L Fator de ganh
Page 55 and 56: V S Inversor CMOS Metal Si-poli V D
Page 57 and 58: Curva Característica de Transferê
Page 59 and 60: Influência da Relação n / p na
Page 61 and 62: MR H V Margem de ruído em nível
Page 63 and 64: 2.Capacitâncias G C GD D Capacitâ
Page 65 and 66: • tp LH ..tempo entre o sinal na
Page 67 and 68:
Exercício 2 Projete um circuito in
Page 70 and 71:
Processo de Fabricação de Circuit
Page 72:
Oxidação Térmica: Objetivo: Obte
Page 76 and 77:
Abertura de Janelas : Fotogravaçã
Page 78:
2 - Aplicação de Fotorresiste na
Page 81:
Implantação Iônica: SiO 2 Objeti
Page 84 and 85:
4 - Remoção total do SiO 2 5 - De
Page 86 and 87:
10 - Fotogravação do Fotorresiste
Page 88 and 89:
17 - Fotogravação e Corrosão do
show all

Teoria - LSI - USP

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?