Teoria - LSI - USP

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Transistor - NMOSFET Porta (G) Alumínio Fonte (S) Dreno (D) Transistor projetado e fabricado na Escola Politécnica da <strong>USP</strong> Dissertação de Mestrado – João Antonio Martino (1984)
Equações de I DS =f(V GS , V DS ) de 1 a Ordem • Região de Corte: I DS =0 • Região Triodo: I DS n V GS V Tn ou V GS -V Tn 0 0< V DS V GS -V Tn V V V V DS GS Tn DS 2 • Região de Saturação: I DS 2 2 0< V GS -V Tn V DS V V GS Tn nox W n onde n 2 x ox L Fator de Ganho
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