Teoria - LSI - USP
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BIBLIOGRAFIA:<br />
Básica<br />
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2. PIERRE, T.F. Robert. Field Effect Devices: Modular series on<br />
Solid State Devices. 2. ed. Califórnia: Addison - Wesley Publishing<br />
Company, 1990. 4 v.<br />
3. MARTINO, João Antonio; PAVANELLO, Marcelo A. e VERDONCK,<br />
Patrick B. Caracterização Elétrica de Tecnologia e Dispositivos<br />
MOS. São Paulo: Ed. Pioneira Thomson Learning, 2003. 193 p.<br />
Complementar<br />
1. MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de Cavidade<br />
Dupla para Comprimento de Porta de 2µm São Paulo, 1988. 147 f.<br />
Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Escola Politécnica da<br />
Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988.<br />
2. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 4. ed. São Paulo:<br />
Makron Books, 1998. 1270 p.<br />
3. STREETMAN, B. G. Solid State Electronic Devices. 4. ed. New<br />
Jersey : Prentice-Hall, 1995, 462 p.<br />
4. TSIVIDIS, Y.P. Operation and Modeling of the MOS Transistor.<br />
Mc Graw Hill, 1987.