20.07.2013 Views

Фундаментальное материаловедение

Фундаментальное материаловедение

Фундаментальное материаловедение

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Химическая модификация как метод улучшения электрохимических<br />

характеристик туннельных оксидов марганца.<br />

Филиппов Я.Ю, Померанцева Е.А, Гудилин Е.А.<br />

студент<br />

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия<br />

E-mail: filippovya@mail.ru<br />

В настоящее время при разработке литиевых аккумуляторов с улучшенными<br />

характеристиками одной из проблем является поиск новых матриц для<br />

интеркалирования лития. В последнее время активно обсуждается перспективность<br />

создания катодных материалов на основе оксидов марганца с туннельными<br />

кристаллическими структурами, стабилизированными катионами щелочноземельных<br />

металлов. Целью данной работы является исследование процессов<br />

внедрения/экстракции лития в кристаллические структуры туннельных оксидов<br />

марганца: Ba6Mn24O48 (I4/m, a=18.2963 Å, с=2.8509 Å) и СaMn3O6 (I21/a, a=10.6940 Å,<br />

b=11.3258 Å, c=8.4881 Å, β=122.358 o )<br />

Керамические образцы Ba6Mn24O48 получали из стехиометрической смеси Mn2O3<br />

и BaCO3, запрессованной в таблетки, отжигом при 950 o C в течение 50 ч. на воздухе.<br />

Аналогичным образом получали фазу СaMn3O6 (из Mn2O3 и CaCO3), отжиг проводили<br />

при 900 о С в течение 70 ч. при рО2=1 атм.С помощью рентгенофазового анализа нами<br />

была установлена однофазность полученных образцов Ba6Mn24O48 и СaMn3O6.<br />

Электрохимическое тестирование показало, что емкость фазы Ba6Mn24O48 на первом<br />

разрядном цикле составила 20 мАч/г, а фазы СaMn3O6 – 8 мАч/г. Такие низкие значения<br />

емкостей могут быть связаны как с относительно низкими степенями окисления<br />

марганца в исследуемых соединениях ( +3.5 в Ba6Mn24O48 и +3.3 в CaMn3O6), так и со<br />

стерическими и электростатическими затруднениями, возникающими из-за наличия в<br />

туннелях марганец-кислородного каркаса обеих фаз положительно заряженных ионов<br />

Ba 2+ и Ca 2+ . В нашей группе мы впервые предложили способ улучшения<br />

электрохимических характеристик туннельных оксидов марганца, стабилизированных<br />

щелочноземельными катионами, заключающийся в получении протонированных форм<br />

(H-форм) исходных фаз. H-формы фаз Ba6Mn24O48 и СaMn3O6 получали из исходных фаз<br />

в процессе обработки конц. HNO3 при комнатной температуре в течение 7-8 дней. Для<br />

фазы Ba6Mn24O48 было установлено, что при таком способе модификации в ее<br />

кристаллическую структуру внедряются протоны с образованием связи Mn-O-H. В то же<br />

время происходит частичное вымывание ионов Ba 2+ и Mn 2+<br />

вследствие<br />

диспропорционирования Mn (ΙΙΙ) на Mn (ΙΙ) и Mn (ΙV), что подтверждалось данными<br />

АЭC. H-форма фазы Ba6Mn24O48 характеризуется уменьшением параметра a<br />

элементарной ячейки и соотношением Ba:Mn ~ 1:6. Согласно электрохимическому<br />

тестированию, емкость протонированной фазы Ba6Mn24O48 на первом разрядном цикле<br />

составила ~ 135 мАч/г и сохраняется на уровне ~ 95 мАч/г после 10 циклов внедрения/<br />

экстракции лития. Та же тенденция наблюдается и для фазы СaMn3O6, для H-формы<br />

которой емкость на первом разрядном цикле составляет ~ 65 мАч/г и сохраняется на<br />

уровне ~ 25 мАч/г после 10 циклов. Было показано, что образование протонированной<br />

формы СaMn3O6 также сопровождается частичным вымыванием ионов Ca 2+ и Mn 2+ . В<br />

настоящее время мы проводим детальный физико-химический анализ образцов фазы<br />

СaMn3O6 до и после протонирования, а также до и после электрохимического внедрения<br />

лития.<br />

Таким образом, в данной работе предложен эффективный метод улучшения<br />

электрохимических характеристик оксидов марганца с туннельными кристаллическими<br />

структурами, стабилизированными катионами щелочноземельных металлов,<br />

заключающийся в получении H-формы таких материалов.<br />

Благодарности: Скундин А.М., Кулова Т.Л., Гаршев А.В., Елисеев А.А., Колесник И.В.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!