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3A225 除 0B001.b.13. 所 規 範 以 外 之 變 頻 器 或 頻 率 產 生 器 1863A226 除 0B001.j.6. 所 指 定 以 外 之 高 功 率 直 流 電 源 供 應 器 1863A227 除 0B001.j.5. 所 指 定 以 外 之 高 電 壓 直 流 電 源 供 應 器 1873A228 開 關 裝 置 1873A229 觸 發 器 及 等 效 高 電 流 脈 衝 產 生 器 1883A230 高 速 脈 衝 產 生 器 1883A231 含 中 子 產 生 管 之 中 子 產 生 器 系 統 1893A232 雷 管 與 多 點 引 爆 系 統 1893A233 除 0B002.g. 所 述 以 外 之 質 譜 儀 , 能 夠 量 測 230 原 子 質 量 單 位或 以 上 之 離 子 , 且 其 解 析 度 優 於 2/230, 及 其 離 子 源 1903B 測 試 、 檢 驗 及 生 產 設 備 1903B001 用 於 製 造 半 導 體 元 件 或 材 料 之 設 備 , 及 其 特 別 設 計 之 零 件與 配 件 1903B002 特 別 設 計 為 測 試 已 完 成 或 未 完 成 之 半 導 體 元 件 之 測 試 設 備 ,及 其 特 別 設 計 之 零 件 及 配 件 1933C 材 料 1933C001 堆 疊 磊 晶 生 長 多 層 膜 之 “ 基 板 ” 所 構 成 之 異 質 磊 晶 材 料 1933C002 光 阻 材 料 , 及 塗 佈 管 制 光 阻 之 “ 基 板 ” 1943C003 有 機 - 無 機 化 合 物 1943C004 純 度 優 於 99.999% 之 磷 、 砷 、 或 銻 之 氫 化 物 , 包 括 被 惰 性氣 體 或 氫 氣 稀 釋 者 1953C005 電 阻 率 大 於 10,000 Ω-cm 之 碳 化 矽 (SiC) 晶 圓 1953D 軟 體 1953D001 為 “ 開 發 ” 或 “ 生 產 ”3A001.b. 至 3A002.g. 或 3B 所 述 之 設 備而 特 別 設 計 之 “ 軟 體 ” 1953D002 為 “ 使 用 ” 設 備 而 特 別 設 計 之 “ 軟 體 ” 1953D003 為 微 影 、 蝕 刻 或 沈 積 製 程 之 “ 開 發 ” 而 特 別 設 計 , 並 以‘ 物 理 為 基 準 ’ 之 模 擬 “ 軟 體 ”, 可 將 光 罩 圖 案 轉 換 為 導 體 、介 電 質 或 半 導 體 材 料 之 特 定 表 面 起 伏 圖 案 。 1953D004 為 “ 開 發 ” 3A003 所 述 之 設 備 而 特 別 設 計 之 “ 軟 體 ” 1953D101 為 “ 使 用 ”3A101.b. 所 述 之 設 備 而 特 別 設 計 或 修 改 之 “ 軟 體 ” 1953E 技 術 1963E001 依 照 一 般 技 術 註 解 ,“ 技 術 ” 係 指 “ 開 發 ” 或 “ 生 產 ”3A、3B 或 3C 所 述 之 設 備 或 材 料 之 技 術 1963E002 依 照 一 般 技 術 註 解 , 但 不 包 括 3E001 所 管 制 者 , 為 “ 開 發 ”或 “ 生 產 ” 具 有 存 取 寬 度 32 位 元 或 以 上 之 運 算 邏 輯 單 元 之 “ 微 處理 器 微 電 路 ”, 或 “ 微 電 腦 微 電 路 ” 及 微 控 制 器 微 電 路 核 心 之“ 技 術 ” 19614