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e. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 37. 5GHz 至 43.5 GHz, 且 在 “ 分 頻 寬 ” 大 於10% 時 , 其 平 均 輸 出 功 率 大 於 0.25 W(24 dBm); 或f. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 43.5 GHz;註 解 1:3A001.b.2. 不 管 制 被 設 計 或 被 評 定 在 40.5 GHz 至 42.5 GHz頻 率 範 圍 內 操 作 之 廣 播 衛 星 設 備 。註 解 2: 額 定 操 作 頻 率 範 圍 橫 跨 一 個 以 上 3A001.b.2.a. 至 3A001.b.2. f.所 定 義 頻 率 範 圍 之 微 波 單 晶 積 體 電 路 (MMIC), 其 管 制 狀 況是 根 據 其 最 低 平 均 輸 出 功 率 之 管 制 標 準 所 決 定 。註 解 3: 根 據 第 三 類 起 始 之 註 解 1 與 註 解 2,3A001.b.2. 不 管 制 專 為其 它 用 途 ( 如 電 信 、 雷 達 、 汽 車 ) 所 設 計 之 微 波 單 晶 積 體 電 路 。3. 具 下 列 任 一 特 性 之 離 散 型 微 波 電 晶 體 :a. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 3.2 GHz 至 6 GHz, 且 平 均 輸 出 功 率 大 於60 W(47.8 dBm);b. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 6 GHz 至 31.8 GHz, 且 平 均 輸 出 功 率 大 於20 W(43 dBm);c. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 31.8 GHz 至 37.5 GHz, 且 平 均 輸 出 功 率 大於 0.5 W(27 dBm);d. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 37.5 GHz 至 43.5 GHz, 且 平 均 輸 出 功 率 大於 1 W(30 dBm); 或e. 被 評 定 為 操 作 頻 率 超 過 43.5 GHz;註 解 : 額 定 操 作 頻 率 範 圍 橫 跨 一 個 以 上 3A001.b.3.a. 至 3A001.b.3.e.所 定 義 頻 率 範 圍 之 電 晶 體 , 其 管 制 狀 況 是 根 據 其 最 低 平 均 輸出 功 率 之 管 制 標 準 所 決 定 。4. 具 下 列 任 一 特 性 之 微 波 固 態 放 大 器 及 內 含 微 波 放 大 器 之 微 波 組 件 / 模組 :173