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a. 總 劑 量 5 × 10 3 Gy ( 矽 ) 或 以 上 ;b. 劑 量 率 5 × 10 6 Gy ( 矽 )/s 或 以 上 ; 或c. 在 矽 材 之 中 子 通 量 ( 累 積 通 量 ) ( 相 當 於 1 MeV )5 × 10 13 n/cm 2 或以 上 , 或 在 其 他 材 料 上 等 效 的 當 量 ;註 解 :3A001.a.1.c. 不 適 用 於 金 屬 絕 緣 體 半 導 體 (MIS)。2. 具 下 列 任 一 特 性 之 “ 微 處 理 器 微 電 路 ”、“ 微 電 腦 微 電 路 ”、 微 控 制 器微 電 路 、 由 化 合 物 半 導 體 所 製 造 之 儲 存 積 體 電 路 、 類 比 - 數 位 轉 換器 、 數 位 - 類 比 轉 換 器 、 為 “ 訊 號 處 理 ” 所 設 計 之 光 電 或 “ 光 學 積 體電 路 ”、 現 場 可 程 式 邏 輯 元 件 、 類 神 經 網 路 積 體 電 路 、 客 戶 訂 製 之功 能 未 知 或 該 設 備 適 用 之 管 制 狀 況 不 明 之 積 體 電 路 、 快 速 傅 立 葉 轉換 (FFT) 處 理 器 、 電 抹 除 式 可 編 程 唯 讀 記 憶 體 (EEPROMs)、 快 閃 記憶 體 或 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (SRAMs):a. 被 評 定 為 可 於 398 K(125℃) 以 上 之 環 境 溫 度 下 操 作 ;b. 被 評 定 為 可 於 218 K(-55℃) 以 下 之 環 境 溫 度 下 操 作 ; 或c. 評 定 為 可 於 218 K(-55℃) 至 398 K(125℃) 整 個 環 境 溫 度 範 圍 內 操作 者 ;註 解 :3A.001.a.2. 不 適 用 於 民 用 汽 車 或 火 車 應 用 之 積 體 電 路 。3. 以 化 合 物 半 導 體 製 造 且 操 作 時 之 時 鐘 頻 率 超 過 40MHz 之 “ 微 處 理 器微 電 路 ”、“ 微 電 腦 微 電 路 ” 及 微 控 制 器 微 電 路 ;說 明 :3A001.a.3. 包 括 數 位 訊 號 處 理 器 、 數 位 陣 列 處 理 器 及 數 位 共處 理 器 。4. 以 化 合 物 半 導 體 製 造 之 儲 存 積 體 電 路 ;5. 如 下 之 類 比 - 數 位 轉 換 器 及 數 位 - 類 比 轉 換 器 積 體 電 路 :a. 具 下 列 任 一 特 性 之 類 比 - 數 位 轉 換 器 :168