Rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen Werkstoffkunde ...
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Fachbereich KMUB <strong>Werkstoffkunde</strong> Praktikum Rasterelektronenmikroskop<br />
je höher die Ordnungszahl des Probenmaterials, umso geringer die<br />
Eindringtiefe der PE, umso geringer die Austrittstiefe der RE.<br />
D. h. je höher die Ordnungszahl, umso größer der Rückstreukoeffizient, umso größer<br />
das detektierte Signal (Bildhelligkeit nimmt zu)<br />
2.2.2 Unelastische Streuung (SE)<br />
Es finden Wechselwirkungen zwischen PE und den Elektronen der Atomhülle statt.<br />
Folgende Prozesse können ablaufen:<br />
• Ionisation des Atoms durch herausschlagen von Elektronen der inneren Schalen<br />
(PE verliert Ionisationsenergie und kin. Energie) = char. Röntgenstrahlung, Licht<br />
• PE schlagen Elektronen der äußeren Schalen heraus unter Übertragung von<br />
Energien von 0 bis 50 eV = Sekundärelektronen<br />
• Anregung zu Gitterschwingungen = Wärme<br />
Der Ablenkungswinkel der unelastisch gestreuten Elektronen ist wesentlich kleiner,<br />
als der der elastisch gestreuten.<br />
(Bild 3) unelastische Streuung<br />
a) Sekundärelektronen 1.Ordnung b) Sekundärelektronen 2. Ordnung c) Röntgenstrahlung<br />
Die Größe der Elektronendiffusionswolke<br />
ist abhängig von der<br />
Anregungsspannung (Energie der PE)<br />
und vom angeregten Element.<br />
Für Aluminium ergeben sich bei 20 keV<br />
Anregung folgende Austrittstiefen:<br />
• SE 0,005 µm<br />
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