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Rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen Werkstoffkunde ...

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Fachbereich KMUB <strong>Werkstoffkunde</strong> Praktikum Rasterelektronenmikroskop<br />

je höher die Ordnungszahl des Probenmaterials, umso geringer die<br />

Eindringtiefe der PE, umso geringer die Austrittstiefe der RE.<br />

D. h. je höher die Ordnungszahl, umso größer der Rückstreukoeffizient, umso größer<br />

das detektierte Signal (Bildhelligkeit nimmt zu)<br />

2.2.2 Unelastische Streuung (SE)<br />

Es finden Wechselwirkungen zwischen PE und den Elektronen der Atomhülle statt.<br />

Folgende Prozesse können ablaufen:<br />

• Ionisation des Atoms durch herausschlagen von Elektronen der inneren Schalen<br />

(PE verliert Ionisationsenergie und kin. Energie) = char. Röntgenstrahlung, Licht<br />

• PE schlagen Elektronen der äußeren Schalen heraus unter Übertragung von<br />

Energien von 0 bis 50 eV = Sekundärelektronen<br />

• Anregung zu Gitterschwingungen = Wärme<br />

Der Ablenkungswinkel der unelastisch gestreuten Elektronen ist wesentlich kleiner,<br />

als der der elastisch gestreuten.<br />

(Bild 3) unelastische Streuung<br />

a) Sekundärelektronen 1.Ordnung b) Sekundärelektronen 2. Ordnung c) Röntgenstrahlung<br />

Die Größe der Elektronendiffusionswolke<br />

ist abhängig von der<br />

Anregungsspannung (Energie der PE)<br />

und vom angeregten Element.<br />

Für Aluminium ergeben sich bei 20 keV<br />

Anregung folgende Austrittstiefen:<br />

• SE 0,005 µm<br />

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