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Titel des Textes - Institut für Experimentelle Kernphysik

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3. Aufbau und Messung<br />

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(a) IV-Kurven.<br />

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(b) CV-Kurven.<br />

Abbildung 3.4.: IV- und CV-Kennlinien <strong>des</strong> CMS-Sensors. Die Kurven wurden bei Raumtemperatur<br />

aufgenommen.<br />

Aus Abbildung 3.4b lässt sich die Depletionsspannung zu 154V bestimmen. Auch hier<br />

zeigt der Sensor kein auffälliges Verhalten.<br />

Die Magnetic-Czochralski-Sensoren wurden vom Helsinki <strong>Institut</strong>e for Physics (HIP)<br />

zur Verfügung gestellt. Die Sensoren haben 128 Streifen bei einem Pitch von 50µm und<br />

einer Dicke von≈300µm. Da der Pitch fast mit dem <strong>des</strong> Premux übereinstimmt, konnte<br />

auf einen Pitchadapter verzichtet und der Sensor direkt mit dem Auslesechip verbunden<br />

werden.<br />

Abbildung 3.5a zeigt die Leckströme der Sensoren über der Biasspannung. Alle Kurven<br />

wurden bei≈ 253K aufgenommen. Die Sensoren zeigen alle einen recht hohen, aber<br />

vertretbaren Leckstrom, zumal die meisten Messungen im Magneten bei niedrigeren Temperaturen<br />

durchgeführt werden.<br />

Aus Abbildung 3.5b gehen die einzelnen Depletionsspannungen nach der in Abschnitt<br />

3.2.2 beschriebenen Methode hervor. Man erkennt, dass die Depletionsspannungen der<br />

beiden mit 7.1·10 14 neq<br />

cm 2 bestrahlten Sensoren unter der <strong>des</strong> unbestrahlten Sensors liegen.<br />

Daraus kann man schließen, dass eine Typinversion stattgefunden, die Bestrahlungsdosis<br />

aber noch nicht ausreicht, umNeff auf den vorherigen Wert anzuheben (vergleiche Abschnitt<br />

2.4.4).<br />

Die Depletionsspannung bei dem mit 7.2·10 14 neq<br />

cm 2 bestrahlten Sensor lässt sich aus dem<br />

Kurvenverlauf nicht mehr bestimmen. Da keine Absättigung der Kapazität eintritt, ist<br />

davon auszugehen, dass die Depletionsspannung auf über 1000V angestiegen ist.<br />

Die Spitzen in dem Kurvenverlauf stammen von der Temperaturregelung, welche die<br />

Temperatur nicht konstant auf 253K hielt, sondern um diesen Wert herumpendelte. Die<br />

Spitzen koinzidieren dabei mit den Spitzen im Temperaturverlauf.<br />

Die Floatzone-Sensoren wurden im Rahmen einer RD50-Bestellung von Liverpool entwickelt<br />

und von Micron 4 hergestellt. Die Sensoren verfügen über 131 Streifen mit einem<br />

Pitch von 80µm bei einer Dicke von≈300µm. Da der Pitchadapter auf diese Sensoren<br />

zugeschnitten wurde, war das Bonden problemlos möglich. Drei äußere Streifen blieben<br />

unverbunden.<br />

Abbildung 3.6a zeigt die IV-Kennlinien der drei verwendeten Sensoren. Der Anstieg <strong>des</strong><br />

Leckstroms mit der Bestrahlungsdosis ist gut zu erkennen. Der unbestrahlte Sensor ist<br />

4 http://www.micron.com/<br />

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