Titel des Textes - Institut für Experimentelle Kernphysik
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3. Aufbau und Messung<br />
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(a) IV-Kurven.<br />
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(b) CV-Kurven.<br />
Abbildung 3.4.: IV- und CV-Kennlinien <strong>des</strong> CMS-Sensors. Die Kurven wurden bei Raumtemperatur<br />
aufgenommen.<br />
Aus Abbildung 3.4b lässt sich die Depletionsspannung zu 154V bestimmen. Auch hier<br />
zeigt der Sensor kein auffälliges Verhalten.<br />
Die Magnetic-Czochralski-Sensoren wurden vom Helsinki <strong>Institut</strong>e for Physics (HIP)<br />
zur Verfügung gestellt. Die Sensoren haben 128 Streifen bei einem Pitch von 50µm und<br />
einer Dicke von≈300µm. Da der Pitch fast mit dem <strong>des</strong> Premux übereinstimmt, konnte<br />
auf einen Pitchadapter verzichtet und der Sensor direkt mit dem Auslesechip verbunden<br />
werden.<br />
Abbildung 3.5a zeigt die Leckströme der Sensoren über der Biasspannung. Alle Kurven<br />
wurden bei≈ 253K aufgenommen. Die Sensoren zeigen alle einen recht hohen, aber<br />
vertretbaren Leckstrom, zumal die meisten Messungen im Magneten bei niedrigeren Temperaturen<br />
durchgeführt werden.<br />
Aus Abbildung 3.5b gehen die einzelnen Depletionsspannungen nach der in Abschnitt<br />
3.2.2 beschriebenen Methode hervor. Man erkennt, dass die Depletionsspannungen der<br />
beiden mit 7.1·10 14 neq<br />
cm 2 bestrahlten Sensoren unter der <strong>des</strong> unbestrahlten Sensors liegen.<br />
Daraus kann man schließen, dass eine Typinversion stattgefunden, die Bestrahlungsdosis<br />
aber noch nicht ausreicht, umNeff auf den vorherigen Wert anzuheben (vergleiche Abschnitt<br />
2.4.4).<br />
Die Depletionsspannung bei dem mit 7.2·10 14 neq<br />
cm 2 bestrahlten Sensor lässt sich aus dem<br />
Kurvenverlauf nicht mehr bestimmen. Da keine Absättigung der Kapazität eintritt, ist<br />
davon auszugehen, dass die Depletionsspannung auf über 1000V angestiegen ist.<br />
Die Spitzen in dem Kurvenverlauf stammen von der Temperaturregelung, welche die<br />
Temperatur nicht konstant auf 253K hielt, sondern um diesen Wert herumpendelte. Die<br />
Spitzen koinzidieren dabei mit den Spitzen im Temperaturverlauf.<br />
Die Floatzone-Sensoren wurden im Rahmen einer RD50-Bestellung von Liverpool entwickelt<br />
und von Micron 4 hergestellt. Die Sensoren verfügen über 131 Streifen mit einem<br />
Pitch von 80µm bei einer Dicke von≈300µm. Da der Pitchadapter auf diese Sensoren<br />
zugeschnitten wurde, war das Bonden problemlos möglich. Drei äußere Streifen blieben<br />
unverbunden.<br />
Abbildung 3.6a zeigt die IV-Kennlinien der drei verwendeten Sensoren. Der Anstieg <strong>des</strong><br />
Leckstroms mit der Bestrahlungsdosis ist gut zu erkennen. Der unbestrahlte Sensor ist<br />
4 http://www.micron.com/<br />
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