5 Herstellung und Charakterisierung der Matrix
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<strong>Herstellung</strong> <strong>und</strong> <strong>Charakterisierung</strong> <strong>der</strong> <strong>Matrix</strong> Seite 50<br />
p - auf Quecksilber wirken<strong>der</strong> Druck (max. 4000 bar)<br />
θ - Kontaktwinkel (meist 141 °)<br />
Zunächst wurden Messungen an <strong>und</strong>otierten SiO2-Materialien durchgeführt. Abbildung<br />
6 zeigt die Adsorptions- <strong>und</strong> Desorptionsprofile für reines SiO2 nach Vorbehandlung bei<br />
120 °C, 600 °C <strong>und</strong> 800 °C. Die Hysterese verläuft in allen drei Fällen ähnlich <strong>und</strong><br />
weist ein Profil des Typs III nach Brunauer auf, was typisch für SiO2 ist [51]. Die Größe<br />
<strong>der</strong> aus einem linearisierten Kurvenabschnitt berechneten spezifischen Oberfläche ver-<br />
än<strong>der</strong>t sich im untersuchten Temperaturbereich kontinuierlich. Sie sinkt von 30 m 2 /g<br />
(120 °C) über 23 m 2 /g (600 °C) auf 17 m 2 /g (800 °C). Die theoretische Oberfläche des<br />
SiO2-Materials bei einer Kugelgröße von 170 nm <strong>und</strong> einer Dichte von 2,2 g/cm 3 ohne<br />
Berücksichtigung eventueller Poren berechnete sich zu 16 m 2 /g <strong>und</strong> entspricht damit in<br />
etwa <strong>der</strong> experimentell bestimmten Oberfläche bei 800 °C. Die größeren Oberflächen-<br />
werte bei Trocknungstemperaturen unter 800 °C zeugen von <strong>der</strong> Existenz von Mikropo-<br />
ren.<br />
Volumen [cm3/g]<br />
80<br />
60<br />
40<br />
20<br />
Adsorption/Desorption 120 °C<br />
Adsorption/Desorption 600 °C<br />
Adsorption/Desorption 800 °C<br />
0<br />
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0<br />
p/p0<br />
Abbildung 6: Adsorptions-/Desorptionsprofile reiner SiO2-Materialien nach unterschiedlichen<br />
Vorbehandlungstemperaturen