Datasheet / Datenblatt DD800S17H4_B2 - Infineon
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TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>DD800S17H4</strong>_<strong>B2</strong><br />
VorläufigeDaten<br />
PreliminaryData<br />
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)<br />
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)<br />
IF=f(VF)<br />
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)<br />
switchinglossesDiode,Inverter(typical)<br />
Erec=f(IF)<br />
RGon=Ω,VCE=900V<br />
1600<br />
1400<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
Tvj = 150°C<br />
350<br />
300<br />
Erec, Tvj = 125°C<br />
Erec, Tvj = 150°C<br />
1200<br />
250<br />
1000<br />
200<br />
IF [A]<br />
800<br />
600<br />
E [mJ]<br />
150<br />
400<br />
100<br />
200<br />
50<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
VF [V]<br />
0<br />
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600<br />
IF [A]<br />
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)<br />
switchinglossesDiode,Inverter(typical)<br />
Erec=f(RG)<br />
IF=800A,VCE=900V<br />
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter<br />
transientthermalimpedanceDiode,Inverter<br />
ZthJC=f(t)<br />
300<br />
Erec, Tvj = 125°C<br />
Erec, Tvj = 150°C<br />
100<br />
ZthJC : Diode<br />
250<br />
200<br />
E [mJ]<br />
150<br />
ZthJC [K/kW]<br />
10<br />
100<br />
50<br />
0<br />
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9<br />
RG [Ω]<br />
i:<br />
ri[K/kW]:<br />
τi[s]:<br />
1<br />
8,35<br />
0,0015<br />
2<br />
27,7<br />
0,03<br />
3<br />
7,9<br />
0,21<br />
4<br />
4,05<br />
3,12<br />
1<br />
0,001 0,01 0,1 1 10<br />
t [s]<br />
preparedby:WB<br />
approvedby:PL<br />
dateofpublication:2013-11-05<br />
revision:2.2<br />
4
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