Datasheet / Datenblatt DD800S17H4_B2 - Infineon

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TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DD800S17H4_B2 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=900V 1600 1400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 350 300 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1200 250 1000 200 IF [A] 800 600 E [mJ] 150 400 100 200 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 300 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 100 ZthJC : Diode 250 200 E [mJ] 150 ZthJC [K/kW] 10 100 50 0 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9 RG [Ω] i: ri[K/kW]: τi[s]: 1 8,35 0,0015 2 27,7 0,03 3 7,9 0,21 4 4,05 3,12 1 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] preparedby:WB approvedby:PL dateofpublication:2013-11-05 revision:2.2 4
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DD800S17H4_B2 VorläufigeDaten PreliminaryData SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 2000 1800 IR, Modul 1600 1400 1200 IR [A] 1000 800 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] preparedby:WB approvedby:PL dateofpublication:2013-11-05 revision:2.2 5
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