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3 REM-KL Untersuchungen an Halbleitern

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<strong>REM</strong>-<strong>KL</strong> <strong>Untersuchungen</strong> <strong>an</strong> <strong>Halbleitern</strong> 19<br />

St<strong>an</strong>dardmessungen durchgeführt werden, m<strong>an</strong> k<strong>an</strong>n beliebig zwischen p<strong>an</strong>chromatischer und<br />

spektral aufgelöster Messung umschalten. Durch den Einsatz eines SEV für den spektralen<br />

Bereich von 300nm bis 950nm und eines Ge-Detektors im Bereich von 900nm bis 1700nm<br />

k<strong>an</strong>n eine große Palette von Materialien untersucht werden. Es stehen zwei Gitter für<br />

monochromatische <strong>Untersuchungen</strong> zur Verfügung (600Linien/mm - IR-Bereich, 1200Linien/mm<br />

- sichtbarer Bereich). Das Eigenbausystem gestattet aufgrund seines einfachen<br />

Aufbaus mit nur einem sphärischen Spiegel zur optischen Abbildung eine hohe Sammlungseffizienz.<br />

Das Licht gel<strong>an</strong>gt direkt zum Detektor oder wird auf den Eing<strong>an</strong>gsspalt eines<br />

Spektrometers abgebildet. Hier findet ein System der Fa. ISA Anwendung, das aus einem<br />

„Triax 190“ Monochromator (Gitter mit 100/600/1200 Linien/mm) und einem CCD-Array<br />

(MTECCD1024x128-5) besteht. Im Bereich von 400nm-950nm können somit komplette<br />

Spektren in sehr kurzer Zeit aufgenommen werden. Dies ermöglicht prinzipiell die<br />

Anwendung der <strong>KL</strong> Wavelength-Imaging Technik (→ CLWI [chr90]).<br />

4<br />

2<br />

1<br />

e -<br />

CCDcontroller<br />

Monochromator<br />

3 5<br />

Spektrum<br />

8<br />

10<br />

e -<br />

9<br />

7<br />

z<br />

p<strong>an</strong>- bzw. monochromatisches<br />

<strong>KL</strong>-Signal<br />

WinDISS<br />

6<br />

Analogverstärker<br />

Lock-In<br />

Verstärker<br />

Photon-<br />

Counter<br />

a) b)<br />

11<br />

Abb. 3.1<br />

<strong>REM</strong>-<strong>KL</strong> Messplatz (a, schematisch). Aus der Kathode (1) emittierte Elektronen werden von der<br />

Elektronenoptik (2) auf die Probe (3) fokussiert. Die Probe wird mittels Cryo-System (4) auf Temperaturen<br />

im Bereich von 4,5-300K abgekühlt. Die Lumineszenz wird von einem optischen Detektionssystem<br />

(5), bestehend aus Monochromator und verschiedenen Detektoren, p<strong>an</strong>- oder monochromatisch<br />

gemessen. Das Bildaufnahmesystem WinDISS (6) steuert die Position des Elektronenstrahls während<br />

der Messung und erfasst die <strong>KL</strong>-Daten qu<strong>an</strong>titativ. In b) ist die Konstruktion zur in-situ Deformation<br />

dargestellt. M<strong>an</strong> erkennt das optische Sammelsystem aus shärischem und 45°-Spiegel (7, 8). Oberhalb<br />

der Probe befindet sich eine Indenterspitze (9), die durch vertikale Verschiebung des Probenhalters mit<br />

der Probe (10) in mech<strong>an</strong>ischen Kontakt gebracht werden k<strong>an</strong>n. Die thermische Anbindung <strong>an</strong> das<br />

Cryo-System erfolgt über einen „Schwalbenschw<strong>an</strong>z“-Probenhalter (11) der Fa. Oxford Instr./UK.<br />

Aufgrund der geringen Signalintensitäten wurde neben der <strong>an</strong>alogen Signalverstärkertechnik<br />

in den letzten Jahren zunehmend die Lock-in Technik und in jüngster Zeit ebenfalls<br />

das Photon-Counting eingesetzt. Beide Verfahren sind notwendig, um Versetzungskontraste<br />

qu<strong>an</strong>titativ den Bildinformationen entnehmen zu können (siehe Kapitel 7). Sie sind für die<br />

Bestimmung der elektronischen Eigenschaften von Versetzungen unverzichtbar.<br />

Eine entscheidende Neuentwicklung im Rahmen dieser Arbeit ist die Einführung der<br />

dynamischen <strong>REM</strong>-<strong>KL</strong>. Mit Hilfe eines neuen Bildaufnahmesystems (WinDISS, Fa. Point

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