Vortragsfolien - KIT
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Rastertunnelmikroskpopie als<br />
Krokodilklemme für einzelne Moleküle<br />
Prof. Dr. Wulf Wulfhekel<br />
Physikalisches Institut, Wolfgang Gaede Str.1,<br />
76131 Karlsruhe
0. Überblick<br />
Überblick – von der Mikroskopie zur molekularen Elektronik<br />
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
2. Miniaturisierung und ihre Grenzen<br />
3. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
4. Ein magnetischer molekularer Speicher
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Einfaches Bild der Rastertunnelmikroskopie
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Erfindung der Rastertunnelmikroskopie<br />
Nobel Preis für Physik 1986<br />
atomare Stufen auf Au(110)<br />
Heinrich Rohrer und Gerd Binnig<br />
• atomare Auflösung in z-Richtung<br />
• laterale atomare Auflösung<br />
Binnig, Rohrer, Gerber, Weibel, APL 40, 178 (1982), ibid. PRL 49, 57 (1982)
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Der “Topografiner”: Ein Instrument zur Messung der Mikrotopographie einer Oberfläche<br />
Russell Young, John Ward, und Fredric Scire<br />
Review of Scientific Instruments 43, 999 (1972)
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Quantenmechanik des Tunnelns<br />
Schrödinger Gleichung eines Teilchens der Masse m im Potential U(z) :<br />
−ħ 2<br />
2m<br />
d 2 Ψ z<br />
U z Ψ z=EΨ z <br />
dz 2<br />
Lösung:<br />
Ψ z = Ae ikz Be −ikz , k= 2m E−U <br />
ħ<br />
• E>U : ebene Welle<br />
• E
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
RTM in Operation beobachtet mit einem REM<br />
Prof. Bonzel, Forschungszentrum Jülich
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
RTM in Operation beobachtet mit einem TEM<br />
Prof. Takayanagi, Tokyo Institute of Technology
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
W Spitzen<br />
Scharfe und regelmäßige Spitzen durch Ätzen eines W Drahts
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Cu(100) bei 300K<br />
Atomare Auflösung auf Metallen<br />
Cu(111) bei 4K<br />
5x5nm<br />
kubischflächenzentriert<br />
5x5nm
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Tiefe Temperaturen: Reifungsprozesse einer Cu(111) Oberfläche
1. Das Rastertunnelmikroskop<br />
Der Oberflächenzustand von Cu(111)<br />
Topographie<br />
dI/dV bei 50mV<br />
Das RTM „sieht“ die Aufenthlatswahrscheinlichkeit der Elektronen.<br />
Streuung an einzelnen Defekten (hier CO) führt zu stehenden Wellen.
2. Miniaturisierung und ihre Grenzen<br />
MOSFET<br />
Kleine und reproduzierare Strukturen<br />
Vision: Molekulare Elektronik<br />
Intel 22nm Trigate
2. Miniaturisierung und ihre Grenzen<br />
Riesenmagnetowiderstand (GMR)<br />
GMR und spinabhängige Streuung<br />
Tunnelmagnetowiderstand<br />
Grünberg & Fert Nobel Preis 2007
2. Miniaturisierung und ihre Grenzen<br />
Magnetischer Speicher (MRAM)<br />
MRAM Zelle<br />
Memristor = „Memory Resistor“<br />
D. Strkov et al. Nature 2008
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
Metallorganische Moleküle<br />
H 2<br />
Pc<br />
CoPc<br />
Phthalocyanin (Pc) Moleküle mit zentralem Metallion
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
MPc deposition on Cu(111) and Co/Cu(111)<br />
Co/Cu(111) H 2<br />
Pc/Cu(111) H 2<br />
Pc/Co/Cu(111)<br />
CoPc/Cu(111) CoPc/Co/Cu(111) MnPc/Cu(111)<br />
• Thermal deposition from a Knutsen cell<br />
• Molecules adsorb flat on the surface
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
Kontaktieren eines Moleküls<br />
● Exponentieller Anstieg des Stromes bei Annäherung des Moleküls<br />
● Molekül springt in Kontakt wie ein Schalter<br />
● Molekularer Kontakt bleibet bestehen
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
Leitwert eines Moleküls<br />
•Auf Cu(111) finden wir:<br />
auf Co/Cu(111):<br />
H 2<br />
Pc: 0.176±0.012 0.296±0.003<br />
CoPc: 0.123±0.006 0.239±0.006<br />
MnPc: 0.063±0.004 G 0
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
• Messung der Magnetisierungsrichtung der Co Inseln mittels TMR<br />
• Nur 5% TMR bei kleinen Spannungen
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
• Unterschiedlicher Leitwert durch Moleküle je nach Magngetisierungsausrichtung
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
• GMR von 60+9% (10mal größer als TMR ohne Molekül)<br />
S. Schmaus et al., Nature Nano. (2011)
2. Ein GMR-Sensor aus einem Molekül<br />
• Quantenmechanische Berechnung des Stroms durch das<br />
Molekül<br />
• Strom fließt durch das HOMO<br />
• Berechneter GMR von 65%
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Schwaches Ligandenfeld<br />
d 6<br />
Fe 2+<br />
Voller Spin: S=2
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Starkes Ligandenfeld<br />
d 6<br />
Fe 2+<br />
S=0
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Spin-Übergangsverbindungen: Fe-(phen) 2<br />
(NCS) 2<br />
• Die phen-Liganden haben zwei stabile Konfigurationen<br />
mit unterschiedlich starkem Ligandenfeld<br />
• Magnetischer (S=2) und unmagnetischer (S=0)<br />
Zustand existiert<br />
Spinübergang kann angeregt werden über:<br />
Temperatur, Licht, magnetische und elektrische Felder<br />
König et al., Chem. Commun. 1966
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Fe-phen auf Cu(100)<br />
HS<br />
LS<br />
HS<br />
LS<br />
3 nm<br />
• Fe-phen kann auf Cu Oberfläche durch Sublimation aufgebracht werden<br />
• RTM zeigt zwei unterschiedliche Konfigurationen<br />
• Moleküle mit großem phen-phen Abstand (schwachen Ligandenfeld) sind magnetisch<br />
• Moleküle mit kleinem phen-phen Abstand sind unmagnetisch
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Fe-phen on Cu(100)<br />
2 nm<br />
dI/dV @ 1meV<br />
• Magnetisches Signal kann genau<br />
an der Position des Fe 2+ Ions<br />
Beobachtet werden<br />
• Kein Schalten zwischen beiden<br />
Konformationen möglich<br />
HS<br />
LS<br />
• Zu starke S-Cu Bindung
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Fe-phen auf CuN/Cu(100)<br />
LS<br />
HS<br />
LS<br />
HS<br />
LS<br />
HS<br />
1 nm<br />
• Zwei Konfigurationen beobachtet<br />
• Magnetische und unmagnetische<br />
• Wenig unterschiedliche Form
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
After<br />
Fe-phen auf CuN/Cu(100)<br />
• Fe-phen kann zwischen den beiden<br />
Konfigurationen mittels einer Sppanung<br />
umgeschlatet werden<br />
Before<br />
1 nm<br />
– 1.0 V to + 1.4 V<br />
+ 1.4 V to – 1.0 V
3. Ein magnetischer molekularer Schalter<br />
Deterministisches Schalten<br />
HS<br />
HS<br />
LS<br />
LS<br />
• Deterministisches Schalten<br />
• Endzustand hängt nur von dem Vorzeichen der Spannung ab<br />
• Ein Bit pro Molekül: magnetischer Memristor<br />
T. Miyamachi et al., Nature Communication 2012
Danksagung<br />
Die Arbeitsgruppe Wulfhekel<br />
PI – <strong>KIT</strong><br />
IPCMS<br />
S. Schamus, Y. Nahas, A. Takacs, T.K. Yamada, M. Gruber, V. Davesne, M Bowen,<br />
T. Miyamachi, T. Balashov S. Boukari, L. Joly, F. Scheurer,<br />
G. Rogez, E. Beaurepaire<br />
INT – <strong>KIT</strong><br />
A. Bagrets, F. Evers