Das RAM

Beim Schreiben auf eine solche SRAM-Zelle wird zunächst das zu schreibende Bit auf
die Leitung „bit“ und sein Inverses auf die Leitung des invertierten „bit“ gelegt. Sodann
wird (meist über einen Takteingang am Dekoder) die word-Leitung aktiviert. Sie steuert
die beiden n-Kanal Transistoren an, die hier als sogenannte „pass-Transistoren“ eine
Verbindung zur RAM-Zelle öffnen. Da die innere Kapazizät der RAM-Zelle sehr klein
ist im Vergleich zur Kapazität der „bit“-Leitung, setzt sich sehr schnell das Potential der
„bit“-Leitung auch innerhalb der RAM-Zelle durch. Dieser Effekt wird verstärkt, weil
auf der anderen Seite auch die invertierte „bit“-Leitung ihr Potential auf den anderen
Inverter aufzwingt und der Inverter durch seine Funktion die neuen Werte sofort
stabilisiert.
Dieser Effekt, der das Schreiben auf eine RAM-Zelle erleichtert, wirkt sich beim Lesen
negativ aus: Würde man ebenfalls nur die „word“-Leitung aktivieren und damit die pass-
Transistoren öffnen, so würde es den (kleinen) Invertern in der RAM-Zelle nicht
gelingen, die große Kapazität der „bit“-Leitung hinreichend schnell umzuladen. Im
Gegenteil: Wenn die „bit“-Leitung ein anderes Potential hat als das gespiecherte Bit_R
im RAM, so würde bei Aktivierung der word-Leitung ein nicht gewollter
Schreibvorgang stattfinden, weil sich das stärkere Signal auf der „bit“-Leitung
durchsetzen würde.