Das RAM

Um diesen Effekt zu unterdrücken, lädt man vor dem eigentlichen Lesevorgang die
„bit“-Leitung und die invertierte „bit“-Leitung auf das Potential der logischen 1 auf.
Wenn jetzt die pass-Transistoren geöffnet werden, wird diese logische 1 auf einer Seite
der RAM-Zelle bestätigt, auf der anderen Seite muss sie sich gegen die in der RAM-
Zelle befindliche logische 0 durchsetzen. Die 0 verringert das Potential auf der
jeweiligen „bit“-Leitung geringfügig.
Diese Potentialdifferenz wird nun in einer gesonderten Schaltung erkannt und
interpretiert. Diese Schaltung nennt man einen Differenzverstärker oder einen Differntial
Sense Amplifier. Es muss also nicht die gesamte „bit“-Leitung (mit ihrer hohen
Kapazität) umgeladen werden, sondern das Potential muss nur geringfügig verringert
werden, um die Zelle auszulesen. Dieser gesamte Prozess ist auch für große RAM-
Bausteine sehr schnell, da der Sense Amplifier eine vorhandene Potentialdifferenz in der
Größenordnung von einer Nanosekunde detektieren kann.
Der Sense Amplifier besteht aus zwei rückgekoppelten Inverterschaltungen, deren GND-
Verbindung über einen Transistor abgekoppelt werden kann. Solange das „amplify“-
Signal auf low ist, bilden sich auf den Eingängen die (sich geringfügig unterscheidenden)
Potentiale der „bit“-Leitungen aus. Sobald dann das „amplify“-Signal auf high geht,
werden die Inverter aktiv und eine 0 setzt sich dort durch, wo das Potential niedriger war
und eine 1 dort, wo es höher war.