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Wiederholung: Spannungen<br />

Arten von Spannungen:<br />

σ = σ + σ + σ<br />

MECH T I<br />

Mechanische Spannung:<br />

σ MECH<br />

Thermische Spannung:<br />

σ<br />

T<br />

=<br />

E<br />

S<br />

( α<br />

S<br />

− α<br />

U<br />

)(T<br />

B<br />

−<br />

T<br />

E S<br />

... E-Modul Schicht<br />

α S<br />

... Ausdehnungskoeff. Schicht<br />

α U<br />

... Ausdehnungskoef. Substrat<br />

T B<br />

... Beschichtungstemperatur<br />

T M<br />

... Messtemperatur<br />

M<br />

)<br />

Erzeugt durch Einspannung des<br />

Substrates und nachfolgendes<br />

Entspannen<br />

Erzeugt durch verschiedene<br />

thermische Ausdehnungskoeffizienten<br />

von Substrat und<br />

Schicht


Wiederholung: Spannungen/Schichtstruktur<br />

Intrinsische Spannung:<br />

σ I<br />

Intrinsische Spannungen sind eine direkte Folge der<br />

Schichtstruktur und der Depositionsbedingeungen.<br />

Zugspannug<br />

Druckspannug<br />

Variabel<br />

Druckspannug<br />

Zugspannug


Wiederholung: Messung-Grundlagen<br />

Gekrümmtes Substrat:<br />

Zugspannug<br />

Druckspannug<br />

Gesamtspannung σ einer dünnen Schicht:<br />

σ =<br />

Esd<br />

6(1 − ν<br />

2<br />

s<br />

s<br />

)d<br />

F<br />

⎛<br />

⎜<br />

⎝<br />

1<br />

R<br />

s1<br />

−<br />

1<br />

R<br />

s2<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

a) Substrat<br />

b) Schicht<br />

c) Referenzplättchen<br />

E S<br />

... E-Modul Substrat<br />

ν S<br />

... Poisson-Konstante Substrat<br />

d S<br />

... Dicke des Substrates<br />

d F<br />

... Schichtdicke<br />

R S1<br />

, R S2<br />

... Krümmungsradius vor bzw. nach der Beschichtung


Wiederholung: Biegearm (Cantilever)<br />

Geometrie:<br />

Prinzip:<br />

α<br />

tan(2α)<br />

≅<br />

∆<br />

H<br />

Substrat<br />

Schicht<br />

Druckspannung<br />

Zugspannung<br />

l<br />

l<br />

R S<br />

δ<br />

α ≅<br />

1<br />

2<br />

⎛ ∆<br />

a tan⎜<br />

⎝ H<br />

l<br />

sin α ≅ α =<br />

R S<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

R S<br />

≅<br />

l<br />

2<br />

⎛ ∆<br />

a tan⎜<br />

⎝ H<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

≅<br />

2lH<br />

∆<br />

H<br />

2α<br />

∆<br />

Vernachlässigungen und Voraussetzungen:<br />

a) laterale Versetzung des Biegebalkens<br />

b) vertikale Versetzung des Biegebalkens (δ)<br />

c) geringe Verhältnisse ∆/H


Spannungen und Schichtwachstum I<br />

In-Situ-Messungen mittels Biegearmmethode:<br />

Durchbiegung<br />

Zugspannung<br />

t BESCHICHTUNG<br />

Type I:<br />

T gross, Mobilität klein<br />

M<br />

Druckspannung<br />

0<br />

Koaleszenz<br />

Type II:<br />

T klein, Mobilität gross<br />

M<br />

t<br />

Volumsverringerung durch<br />

Rekristallisation nach der<br />

Beschichtung führt zu<br />

Zugspannungen<br />

Einfluss der Schichtdicke auf σ I


Wiederholung: röntgenograph. Messung<br />

Prinzip:<br />

Messung der globalen Verzerrung der<br />

Elementarzelle durch:<br />

+ Zwischengitteratome<br />

+ Fehlstellen<br />

Vorteile:<br />

+ Zerstöringsfrei<br />

+ In Situ möglich<br />

Nachteile:<br />

Zahlreiche Einflussgrössen:<br />

+ Gitterdefekte<br />

+ Versetzungen<br />

+ Verunreinigungen<br />

+ Fremdphasen


Wiederholung: Spannungen und Wachstum<br />

Stranski-Krastanov-Wachstum:<br />

+ Gitterfehlanpassung (Misfit)<br />

+ Fehlanpassungsversetzungen (Misfit-Dislocations)<br />

+ Inseln<br />

Inseln<br />

Benetzungsschicht<br />

Substrat


Wiederholung: Gitterfehlanpassung<br />

Detaillierter Mechanismus:<br />

Gitterfehlanpassung (Lattice Mismatch) ∆:<br />

∆ =<br />

a<br />

−<br />

a<br />

b<br />

⋅100[%]<br />

b<br />

Schicht, Gitterkonstante b<br />

Pseudomorphe Übergangszone<br />

Substrat, Gitterkonstante a<br />

a


Schichtvorbehandlung und Haftung<br />

Wesentliche Voraussetzungen für eine optimalen<br />

Verbund zwischen Schicht und Substrat:<br />

Anforderungen an das Substrat:<br />

+ partikelfrei, staubfrei<br />

+ fettfrei<br />

+ trocken<br />

+ frei von stark adsorbierten Verunreinigungen<br />

Anforderungen an die Schicht:<br />

+ mittlere Teilchenenergien beim Aufprall<br />

+ weitgehende Spannungsfreiheit<br />

+ Abschirmung schädlicher Umwelteinflüsse


Schichtvorbehandlung: Partikelfreiheit<br />

Partikel entstehen durch:<br />

+ Sägen<br />

+ Brechen<br />

+ Schleifen/Polieren<br />

+ andere Bearbeitungsmethoden<br />

Partikelentfernung und Vermeidung durch:<br />

+ Abspülen<br />

+ Wischen<br />

+ Abblasen mit Pressluft oder Kaltgas<br />

+ bearbeiten im Reinraum<br />

Zu achten ist auf:<br />

+ sorgfältiges Handling (Handschuhe)<br />

+ Partikel von Spülmittel/Wischtüchern<br />

+ Verunreinigungen in Pressluft/Kaltgas


Schichtvorbehandlung: Entfettung<br />

Ultraschallreinigung<br />

Ultraschalbad mit<br />

organischem Lösungsmittel<br />

befüllt<br />

Reinigungsprinzip<br />

Kavitation<br />

Achtung:<br />

Ultraschallreinigung<br />

kann zur Bildung von<br />

Partikelklumpen führen<br />

(stehende Wellen!)


Schichtvorbehandlung: Entfettung, Trocknung<br />

Dampf- oder Gasphasenreinigung<br />

kaltes Reinigungsgut<br />

Dampfsäule<br />

Lösungsmittel<br />

T R<br />

T LM<br />

kondensiertes<br />

Lösungsmittel<br />

warmes, trockenes<br />

Reinigungsgut<br />

Dampfsäule<br />

Lösungsmittel<br />

T R < TLM T R = T<br />

= Temperatur Reinigungsgut<br />

= Temperatur Lösungsmitteldampf<br />

LM<br />

Lösungsmittel:<br />

Aceton<br />

Chem. Formel:<br />

CH 3<br />

(CO) CH 3<br />

Siedepunkt:<br />

56,5°C<br />

Ethanol<br />

Chem. Formel:<br />

C 2<br />

H 5<br />

OH<br />

Siedepunkt:<br />

78,5°C<br />

Methanol<br />

Chem. Formel:<br />

CH 3<br />

OH<br />

Siedepunkt:<br />

64,7°C


Schichtvorbehandlung: Trocknung<br />

Lagerung im Trockenschrank<br />

Bei der Lagerung im<br />

Trockenschrank ist zu<br />

beachten, dass es bei<br />

oxidationsanfälligen Proben<br />

nicht zur Bildung von<br />

Oxidschichten kommt.<br />

Optimal ist eine Lagerung in<br />

der Umgebung des<br />

Kochpunktes von Wasser.<br />

Das verhindert die<br />

Kondensation von Wasser.


Schichtvorbehandlung im Vakuum<br />

Im Vakuum kann das Substrat endgültig<br />

gereinigt werden:<br />

+ Ausheizen<br />

+ Sputterreinigen mit Inertgas<br />

+ Chemische Aktivierung mit Reaktivplasmen<br />

Sputterreinigung:<br />

Ionenätzen einer<br />

Röntgenanode<br />

+<br />

Substratoberfläche<br />

+ Loslösung locker gebundener Verunreinigungen<br />

+ Endgültiges Abtragen adsorbierter Wasserfilme


Schichthaftungsmechanismen<br />

a) Mechanische Verzahnung<br />

b) Monoschicht/Monoschicht<br />

c) Chemische Bindung<br />

d) Diffusion<br />

e) Pseudodiffusion durch erhöhten Energieeintrag


Haftungsmessung: Klebeband<br />

Beim Klebebandtest sind<br />

die Abzugskraft F sowie er<br />

Klebebandtyp genormt.


Haftungsmessung: Gitterschnitt


Haftungsmessung: Abziehtest<br />

a) Substrat<br />

b) Schicht<br />

c) Aufgeklebter Stempel<br />

Achtung: folgende Unwägbarkeiten<br />

können auftreten:<br />

+ Reaktion Kleber/Schicht<br />

+ Eindiffusion des Klebers in die Schicht<br />

+ Nach Eindiffusion: Reaktion Kleber/<br />

Substrat<br />

+ Mangelnde Haftung Kleber/Schicht


Haftungsmessung: Ultrazentrifuge<br />

Rotor<br />

Schicht<br />

Abzugskraft A:<br />

A =<br />

4π<br />

2<br />

N<br />

2<br />

Rρd<br />

Vorteile:<br />

+ Quantitative Abzugskräfte<br />

+ Keine Klebungen<br />

R = Rotorradius<br />

d = Schichtdicke<br />

N = Umdrehungen pro s<br />

ρ = Dichte der Schicht<br />

Nachteile:<br />

+ Nur rotationsymmetrische Substrate<br />

+ Übertragbarkeit auf andere Geometrien fraglich<br />

+ Schichtdickengleichmässigkeit fraglich<br />

+ Mechanische Eigenschaften des Grundkörpers<br />

nicht frei wählbar


Haftungsmessung: Scratch Test<br />

Akustisches Signal<br />

L C<br />

L<br />

Vorteile:<br />

+ Hoher Informationsgehalt<br />

+ Quantitative Werte für L C<br />

Nachteile:<br />

+ Nicht zerstörungsfrei<br />

+ Schicht muss spröde sein, um Brüche zu ermöglichen


Reibung und Verschleiss<br />

Reibung:<br />

Kein Oberflächenabtrag<br />

F=µFg<br />

r<br />

F=mg<br />

g<br />

F g<br />

F g<br />

F g<br />

µ = Reibungskoeffizient<br />

0 < µ < 4 - 5(!); µ ist nicht auf<br />

Werte kleiner 1 beschränkt<br />

F = µ F<br />

r<br />

Keine Abhängigkeit<br />

von der Auflagefläche!<br />

=>mikroskopische WW<br />

ist nicht klar!<br />

n<br />

Verschleiss:<br />

Oberflächenabtrag und damit Gewichtsverlust


Reibung und Verschleiss: Messung<br />

Reibung:<br />

+ Lineare Belastung (Scratch-Test)<br />

+ Pin on Disc<br />

+ Disc on Disc<br />

+ Speziell gefertigte Tribometer<br />

Verschleiss:<br />

+ Alle obigen Methoden mit Analyse von Transferund<br />

Abrasivschichten<br />

+ Abrasivmessung mit Schichtdickenkontrolle<br />

+ Slurry-Abrasion<br />

+ Speziell gefertigte Prüfstände

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