Скачать материалы семинара

Расширение номенклатуры высоковолтных ИС драйверов 5 поколения. Новые
семейства ИС для привода, источников питания и автоэлектроники. Новые
функциональные особенности и особенности устройства повышающие
надежность.
- Интегральные Superback POL конверторы. Номенклатура, особенности,
преимущества перед аналогами.
- Новые технологии TrenchFET. Рост показателей качества кристалла
- Новая платформа корпусовдля поверхностного монтажа. Преимущества
MOSFET в DirectFET 2 и PQFN корпусах. Номенклатура новых приборов.
- Новые поколения TrenchFET с эталонными характеристиками в стандартных
корпусах для источников питания и низковольтного привода.
- Расширение номенклатуры Trench IGBT Gen6 для UPS , DC/AC. Планируемое
поколение Gen7 600-1200B Trench IGBT для промышленных приложений и
бытовой техники (привод, сварка, индукционный нагрев). Преимущества перед
аналогами и предыдущим поколением.
- Революционная технологическая платформа "GaN на кремнии". Преимущества
по отношению к другим технологиям, перспективные показатели качества.