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esearch Institute (EPRI) han resultado en nuevas formulaciones y procesos de
manufactura para los MOV. Los nuevos son capaces de absorber 4 a 5 veces más la
energía por volumen que la indicada anteriormente.
Los primeros diseños de supresores MOV tuvieron problemas. Los más
comunes eran desacoplamiento térmico y fallas debidas a ingreso de humedad que da
lugar a fallas de aislamiento. El desacoplamiento técnico puede ocurrir porque un
MOV se aplica típicamente al conductor energizado sin un descargador (descarga
disruptiva) en serie, y pasa siempre una pequeña corriente eléctrica y deje pasar más
corriente, con lo que ocurra una elevación adicional de la temperatura hasta que se
produzca una falla. Sin embargo las mejoras logradas en los materiales del óxido
metálico y en lo de empaque, han dado lugar a supresores MOV robustos.
Los últimos adelantos y las propiedades superiores de los MOV los convierten
en el dispositivo de protección por excelencia.
2.6.1.2.2 Diodo Zener
Es un dispositivo formado por una unión de cristales semiconductores de silicio
que tiene dos terminales denominados Ánodo A o terminal positivo (+), y Cátodo C o
terminal negativo (-). Deja que la corriente circule a su través en el sentido Ánodo a
Cátodo (A→C). Este sentido aparece indicado con una flecha sobre el propio
semiconductor.
Si se aplica la tensión en el sentido opuesto (A←C), el diodo bloquea el paso de
la corriente. Su empleo principal se da en los rectificadores no controlados, además se
usa para funciones auxiliares en los circuitos de potencia. En el sentido de bloqueo
(interruptor abierto), el diodo tiene unos valores máximos que puede tolerar, y éstos
son tensiones e intensidades tales como:
• URRM Tensión de pico inversa repetitiva.
• URMS Tensión de pico inversa no repetitiva (transitoria).
• IRRM Valor pico para la intensidad de fugas con URRM.
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