11.08.2013 Views

to get the file

to get the file

to get the file

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

ELECTRÒNICA FÍSICA. Problemes Tema 5<br />

5.6 Una unió PN de secció A i de zones neutres curtes, les amplades de les quals són, respectivament,<br />

xp i xn, s'il⋅lumina homogèniament a <strong>to</strong>t el seu volum amb una llum que produeix gl parells electróforat<br />

per cm 3 i segon. Suposeu a més que només hi ha recombinació als contactes òhmics. Si el<br />

diode es troba en curtcircuit, calculeu:<br />

a) Els perfils de portadors minoritaris, prenent l’excès de portadors deguts a la il·luminació com a<br />

Sol : a<br />

b ) G =<br />

∆p=0 i ∆n=0 a les fronteres de la zona de càrrega espacial. Es pot justificar aquesta condició de<br />

con<strong>to</strong>rn?<br />

b) La generació lluminosa <strong>to</strong>tal.<br />

c) La recombinació <strong>to</strong>tal.<br />

d) El corrent <strong>to</strong>tal.<br />

Si ara s'aplica una tensió V al diode mantenint la il⋅luminació, calculeu:<br />

e) Els nous perfils de portadors minoritaris.<br />

f) La corba característica I = I (V, gl).<br />

g) La tensió en circuit obert.<br />

gl<br />

) ∆ n p ( x′<br />

) = -<br />

2 D<br />

g A(<br />

x p + xn<br />

) ;<br />

l<br />

n<br />

g 2 l<br />

x′<br />

+ x<br />

2 Dn<br />

p<br />

x′<br />

; ∆ p<br />

n<br />

(<br />

x ) = -<br />

g<br />

l<br />

2 D<br />

q A gl<br />

c ) R=<br />

gl<br />

A(<br />

x p + xn<br />

) ; d ) I = - ( x p + xn<br />

2<br />

)<br />

qV<br />

x gl<br />

e ) ∆ n p ( x′<br />

) = n p o <br />

<br />

e k T - 1 <br />

1 <br />

<br />

+ -<br />

x<br />

<br />

p 2 Dn<br />

2 gl<br />

x -<br />

2 Dn<br />

x p x<br />

qV<br />

x<br />

∆ pn<br />

( x ) = pno<br />

<br />

<br />

e k T - 1 <br />

<br />

1 −<br />

xn<br />

gl<br />

-<br />

2 D p<br />

2 gl<br />

x +<br />

2 D p<br />

xn<br />

x ; f<br />

k T q<br />

gl<br />

A<br />

<br />

g ) V oc= ln ( x p + xn<br />

) + 1<br />

q<br />

<br />

2 I s<br />

<br />

p<br />

x<br />

2<br />

gl<br />

+<br />

2 D<br />

) I = -<br />

p<br />

x<br />

n<br />

x<br />

q gl<br />

A<br />

(<br />

2<br />

5.7 Una cèl⋅lula solar està constituïda per un diode PN de zones neutres xp i xn. S'il⋅lumina amb llum<br />

de longitud d'ona apropiada, de forma que es creen homogèniament a <strong>to</strong>ta la cèl⋅lula G parells per<br />

cm 3 i segon. Suposem que es coneixen les longituds de difusió, els temps de vida mitja i els<br />

coeficients de difusió de minoritaris.<br />

a) Trobeu l'expressió de minoritaris a cada regió del diode si aquest es curtcircuita i la<br />

recombinació a les superfícies és infinita.<br />

b) Calculeu el corrent que travessa el circuit exterior si l'àrea de la mostra és A.<br />

c) Calculeu el nombre de recombinacions per segon a cadascuna de les dues superfícies del diode.<br />

d) Calculeu el nombre de recombinacions per segon a les zones P i N.<br />

x<br />

p<br />

+ x<br />

n<br />

) + I<br />

s<br />

<br />

<br />

e<br />

<br />

qV<br />

k T<br />

3<br />

- 1<br />

<br />

;

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!