Lectura Transistores..
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220 Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica y fotónica<br />
8 10 1214<br />
Figura 9.10. Curvas características /-Vde salida de un transistortípico de tipo p-n-p, polarizado<br />
en la configuración de emisor común.<br />
decir, en la tensión de base/colector, VBC. Según hemos visto para la configuración de base<br />
común, la tensión Vrr-no influye en el valor de la corriente /.. cuando el transistor opera en la<br />
región activa.<br />
Hay que notar que, en esta región de operación, la corriente de colector es relativamente<br />
alta y en general mucho mayor que 1u, ya que el factor de ganancia F,,,. suele tener un valor elevado.<br />
Además, de acuerdo con la ecuación [9.17], para Iu = 0 (base en circuito abierto) la<br />
corriente de colector, /., toma un valor relativamente pequeño, dado por Irro jéase Figura<br />
9.10). Esta corriente corresponde fundamentalmente a la corriente de huecos en el colector<br />
inyectados desde el emisor a través de la base, ya que para un valor dado de Vu, la unión de<br />
emisor se encuentra siempre con una ligera polartzaciín en directo. Para llevar completamente<br />
a cero la corriente de colector sería necesario polarizar la unión de emisor en inverso con<br />
una tensión pequeña, tal y como se ha señalado anteriormente (Vor