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Transistores bipolares 211
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Y
a)
base
Reg. carga
espac¡al
vBC
Figura 9.5. a) Esquema de la estructura de bandas de un transistor p-n-p polarizado en la región
activa, mostrando las curvas de distribución en energía de electrones y huecos
en cada región. b) Esquema del movimiento de huecos (en color claro) y de
electrones (en color oscuro) a través del transistor cuando está polar¡zado
en la reoión activa.
colriente relativamente pequeña y dominada por los portadores minoritarios en la unión de colector.
Sin embargo, la proximidad de las uniones de emisor y de colector hace que la situación en el
transistor sea muy diferente.
Si el emisor está mucho más dopado que la base (unión p+-n)la corriente a través de la unión
de emisor está formada fundamentalmente por los huecos del emisor que se difunden hacia la base.
A esta corriente de huecos la denominaremos 1u,,. Un aspecto notable del comportamiento del
transistor está relacionado con esta corriente, ya que si la anchura de la base es suficientemente
estrecha, tal y como se ha señalado anteriormente, (de hecho. la anchura ha de ser menor que la
longitud de difusión de los huecos en la base) la mayor parte de estos huecos alcanza la unión
de colector antes de recombinarse con los electrones de la base. Hay que hacer notar que la
fracción de huecos que cruza la base sin llegar a recombinarse con los electrones de esta legión
está sometida al potencial negativo que existe entre base y colector, por lo que esta fracción de
huecos termina finalmente en el colector l.
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