Lectura Transistores..

2O8 Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica v fotónica
tes sobre la superficie de una pieza única del material serniconductor cortado en fornra de oblea.
Sobre cada una de las re-eiones se deposita despr"rés el contacto metálico, de tipo óhmico, para
conectar los terminales de salida. La disposición resultante para cada Llna de estas regiones, así
como los contactos metálicos hacia el exterior. viene indicada en la Figura 9.l. La figura r.nuestra
la sección transversal de una oblea cle silicio la cual lleva sobre su superficie una capa del
mismo material (capa epitaxial )depositada por procedirnientos quírnicos. Es en esta capa donde
se distribuyen las dif-erentes re-eiones del transistor. Los contactos metálicos para hacer conexión
con los hilos de salida se depositan en fbnna de película delgada sobre la superficie del
semiconductor. En la fielrra se muestra también la zona activa del transistor en la cu¿rl ocurre la
acción del transistor.
conlacto (Al)
Emisor (p+) Baso (n) Colector (p)
capa a¡slanle
(s¡or)
capa ep¡taxial
(si ripo p)
substrato
(S¡ t¡po n)
Figura.9.1. Estructura de un transistor bipolar tipo p-n-p de silicio, mostrando la disposición
de cada una de las regiones y de los contactos hacia el exterior. Se indica
también la zona dondetiene lugar la acción del transistor (área sombreada).
La Figura 9.2 ilustra la disposición de los semiconductores en los dos tipos posibles de transistc'rres,
p-tt-p y n-p-n, así como el sírnbolo correspondiente utilizado en los esquemas de circuitos. Se
incluye también las polaridades de las tensiones y las direcciones de las corrientes en cada tern'unal
cuando ef transistor está operando en su modo normal o, dicho de otra forma. enla región ut'tir,¿¿.
En este modo de operación la unión entre emisor y base (Lrnión de emisor) está polarizada en
directo, mientras que la unión entre base y colector (unión de colector) se polariza en inverso. Erl
un transistor p-tl-p, esto quiere decir que el emisor debe estar polarizado positivamente respecto de
la base. y a su vez la base debe ser más positiva qr.re el colector. Para determinar el signo de lar
corrientes en el esquema de la Figura 9.2 conviene seguir la convención rnás sir-nple que consiclera
que todas las corrientes son positivas cuando el transistor está polarizado en la región activa. .\
este respecto conviene señalar que, en lo que se refiere a las tensiones aplicadas. la segunda letra de.
subíndice se refiere al terminal de referencia. Así por ejemplo, V,.,0, 0 es equivalente a V
B- 7o > 0 r
quiere decir que el emisor es positivo respecto a la base. Nótese que los signos de las corrientes ¡
de las tensiones de un transistor /)-r¡-l, son opuestos a los correspondientes en un transistot' upr'
cnando ambos operan en la región activa. Por este motivo en este capítulo nos centraremos sobr.'
todo en los primeros, aunque todas las conclusiones serán válidas para ambos tipos, con la salr e-
dad de hacer el consiguiente cambio de signo, tanto en las corientes y tensiones como en el de k -
portadores.
Según sea el signo de las tensiones aplicadas en las uniones de emisor y colector. se dice c¡uel
transistor tiene cuatro regiones de funcionamiento, indicadas en el esquema de la Figura 9.3 par'.,