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Transistoresbipolares 221
R. activa
R. saturación
Figura 9.11. Ejemplos de polarización de un transistor p-n-p en la región activa (a), y en la región
de saturación (b).
Cuando el transistor se utiliza en circuitos amplificadores de tipo analógico para señales alternas
normalmente funciona con polarización en un punto de las curvas características situado en la
región activa. Por contra, en los circuitos digitales el transistor se polariza de forma que trabaje
bien sea en la región de corte (estado bajo) o bien en la región de saturación (estado alto). El paso
de un estado a otro se realiza normalmente cambiando la corriente a través de la base. A este respecto,
es curioso observar que la corriente de base puede variar con pequeños cambios en la tensión
de polarización de la base, V uu, lo cual a su vez puede dar lugar a cambios importantes en el
estado de funcionamiento del transistor. EI fundamento de los circuitos amplificadores, tanto
analógicos como digitales, está basado en estos efectos.
9.4. EFECTO DE MODULACIÓN DE LA ANCHURA DE LA BASE
Hasta ahora nos hemos limitado a describir las características del transistor en la región activa a
pa|tir cle un comportamiento ideal que prevé, entre otras cosas, una con'iente de colector prácticamente
inclependiente de la tensión base/colector. Existen, sin embargo, desviaciones importantes
de este cornportanrielrto que se reflejan sobre todo en Lrn aumento de la corriente de colector con
la tensión base/colector (FigLrra 9.8) y tarnbién con la tensión emisor/colector (Figura 9.10), así
corro en la existencia de una tensión crítica a partir de la cual la corriente inicia un aulnento muy
elcvacio.
Estas desviaciones del comportamiento ideal están ocasionadas por numerosos ef-ectos,
cluizíis ei nr;ís impoltante de ellos es el llamado e.fecfo de ntoduluc'iótt cle la ár¡se. también denonrinrrcio
t'.lcctrt Eall'.r'en ironor a su descubridor. Este ef'ecto se debe a que la anchura efectiva de
ll i'rrsc. r! '. cs lirenol que la anchura real. rr'. cuando el transistor se polariza en la región activu.
L¿r reciucclón de ia anchura de la lrase estí originada por la forrnación de una zona de carga
r-strac'ial a ¿unbos laclos de la Lrnión de emisor ¡,de la unión de colector (zonas sombreadas en
la lirgura 9.lla). En condicir-rnes nornrales de operación. estas zonas no contribuyen de maneni
siguit'ic'ltiva a los procesos cle recombinación que tienen lugar en la base, ya que en ellas la
corrce ntlacitin de carga libre es muv reducicia. Por este motivo. la existencia en ambos lados de
i¿r base cle'un¿i zona de carga especiai reduce el espesor efectivo para la recombinación. Esto, a
su vcz. cla lr-r-lar a un aumellto del factor de transporte oT.para los huecos que provienen desde
el ernisoi (ecuación 9.3;. Lógicamente el ef'ecto de reducción será tanto más notable cuanto
menor se¿i la anchura de la base.