TEMA 15 - Materials Science Institute of Madrid
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Parte 4.<br />
Instrumentación t de alta<br />
resolución<br />
?<br />
Análisis i con alta<br />
resolución espacial:<br />
lateral y en pr<strong>of</strong>undidad<br />
rgago@icmm.csic.es Instituto de Ciencia de Materiales de <strong>Madrid</strong> (CSIC) 53/62<br />
Análisis composicional de multicapas<br />
Análisis de espesores individuales por debajo<br />
de la decena de nm’s (limitado por la<br />
resolución de los detectores a 5-10 nm)<br />
Reducción del espesor<br />
RBS Yield (counts)<br />
3.5 MeV He 2+<br />
=10°<br />
Si<br />
N<br />
Cr interlayer<br />
2x (500 nmCrN / 350 nmAlN)<br />
Al<br />
Cr<br />
Exp<br />
Sim<br />
Cr<br />
RBS Yie eld (counts)<br />
RBS 3.5 MeV He 2+ @ =10°<br />
10x (40nm AlN / 90nm CrN)<br />
N<br />
Si<br />
Cr interlayer<br />
Al<br />
Exp<br />
Sim<br />
Cr<br />
500 1000 <strong>15</strong>00 2000 2500<br />
Energy (keV)<br />
500 1000 <strong>15</strong>00 2000 2500<br />
Energy (keV)<br />
rgago@icmm.csic.es Instituto de Ciencia de Materiales de <strong>Madrid</strong> (CSIC) 54/62<br />
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