Descarregar extracte - e-BUC

146 Dispositius electrònics i fotònics- Tècniques per metal·litzar les superfícies de contacte. Més endavant presentarem lestècniques d'evaporació tèrmica i de polvorització catòdica (sputtering) per realitzaraquesta operació. No ens ocuparem de la soldadura de fils de contacte.Fil de connexióMetallSi N +Si NSi P +MetallFil de connexióSi PFigura 3.1 a)Tall esquemàtic d'un díode de junció PN discret. Per simplicitat no s'hanrepresentat els recobriments de protecció ni l'encapsulament. b) Superfície de l’oblia. Cadaquadrat (dau) serà un díode una vegada tallat i muntatTotes aquestes operacions no es realitzen per a cada unitat que s'ha de fabricar, sinó per aun nombre gran a la vegada, les quals seran separades tallant el bloc de material, anomenatoblia. La figura 3.1.b representa la superfície de l’oblia on s’han fabricat un gran nombre dedíodes. Els plans de les figures 3.1.a i 3.1.b són perpendiculars entre ells.EXEMPLE 3.1Una cèl·lula solar de silici monocristal·lí és un díode PN + , on podem trobar la regió Pconstituïda per l’oblia de silici, de gruix entre 300 i 500 µm i dopatge moderat (10 16 cm -3 perexemple). La regió N + , molt dopada, pot tenir una profunditat de l’ordre de 0.5 µm.EXEMPLE 3.2Un díode rectificador de potència tindrà les dues regions poc dopades per tal de fer petit elcamp elèctric màxim de la junció per a una tensió donada, i a la vegada les dues regionshan de tenir un gruix considerable (fins a desenes de micres) per tal que puguin conteniruna ZCE molt extensa.Exercici 3.1En el cas d’un díode rectificador de potència on els dopatges de les regions P i N sónrespectivament 10 15 acceptors/cm 3 i 10 16 donadors/cm 3 , determineu quin gruix ocupa la ZCEquan el dispositiu suporta una tensió inversa de 200 V.© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006