Descarregar extracte - e-BUC

248 Dispositius electrònics i fotònicsN +NPQuina de les condicions següents s’ha de complir perquè es tracti d’un transistor?a) La separació entre les regions N + i N és molt més petita que la longitud dedifusió dels forats en la regió N + .b) La separació entre les regions N + i N és molt més petita que la longitud dedifusió dels electrons en la regió P.c) La separació entre les regions N + i N és molt més petita que la longitud dedifusió dels forats en la regió N.d) La separació entre el contacte metàl·lic de la regió P i les regions de tipus Nés molt més petita que la longitud de difusió dels electrons en la regió N + .2. La figura adjunta representa la planta d’un transistor bipolar integrat i una secciódel mateix dispositiu. Les dimensions indicades s’expressen en micres (noteu que noes respecta cap escala).20104 46 8 12pn + pn +nn +1 1.546pVolem aproximar l’estructura del transistor de la figura per un model unidimensional.Determineu els gruixos d E , d B i d C de les regions d’emissor, de base i de col·lectorrespectivament i la secció del dispositiu, A.a) d E = 1 µm, d B = 1.5 µm, d C = 6 µm, A= 24 µm 2b) d E = 1 µm, d B = 1.5 µm, d C = 10 µm, A= 240 µm 2c) d E = 1 µm, d B = 0.5 µm, d C = 4.5 µm, A= 240 µm 2d) d E = 1 µm, d B = 0.5 µm, d C = 4.5 µm, A= 24 µm 2© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006