Descarregar extracte - e-BUC

150 Dispositius electrònics i fotònicsUn circuit integrat constituït per dispositius com el de la figura 3.2 tindria un sol nivell deconnectivitat, és a dir, totes les pistes metàl·liques es trobarien en el mateix pla i no espodrien, per tant, encreuar entre elles. Evidentment aquesta és una limitació massa severaper al dissenyador d'un circuit complex.En la pràctica el que hi ha és diversos pisos o nivells de pistes de conductors separats entreelles per capes de dielèctrics. Cada capa d’aïllament té obertures en els punts on calgui fercontactes entre pistes allotjades en diferents nivells. En el nombre de capes necessàriesper connexions és més gran que el de les que hi ha a l'interior del cristall semiconductor.Atès que el funcionament dels dispositius depèn essencialment dels elements dins elsemiconductor, dedicarem la major part del nostre estudi a les operacions necessàries percrear-los i deixarem de costat els problemes de la interconnectivitat.QÜESTIONARI 3.1.a1. Considerem dos dispositius, que per simplicitat seran dues resistències, queformen part d'un circuit integrat realitzat sobre una oblia tipus P, tal com indica lafigura. Quin serà el corrent paràsit entre els dos dispositius?N + N +a) Zerob) Proporcional a la diferencia de tensió entre les regions N +c) El corrent invers de saturació del díode N + Pd) La que circula pel diode N + P polaritzat directament amb la diferencia detensions aplicades a les dues regions N + .2. Considerem els dos díodes discrets de la figura, on D, que és el gruix de l'oblia, val500 µm en el nostre cas. Per simplicitat no s'han representat les metal·litzacions.Quina de les següents afirmaciones no és correcta?2 µm N + N +P2 µm10 µm10 µmPDP + P +(a)(b)a) El disseny a) tindrà una resistència sèrie molt granb) La resistència paràsita de la regió P de b) serà unes 50 vegades inferior a la de a)© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006