Descarregar extracte - e-BUC

246 Dispositius electrònics i fotònicsFigura 5.4 Estructura física d’un transistor bipolar NPNLa figura 5.5 representa el procés de fabricació d’un transistor bipolar NPN. A partir d’unaoblia P es crea una capa molt dopada N + en la superfície, la qual se convertirà al final en lacapa enterrada. Para crear aquesta regió N + s'utilitza una primera màscara. El pas següentconsisteix a fer créixer una capa epitaxial d'uns 10 a 20 micròmetres de gruix en lasuperfície de tota l'oblia. Aquesta capa es creix amb el dopatge N que tindrà el col·lector deltransistor. Amb aquesta actuació la capa N + feta a l'etapa anterior quedarà "enterrada" alfons de la capa epitaxial N. A continuació es procedeix a dividir aquesta capa en regionsaïllades entre sí, dins cadascuna de les quals es farà un dispositiu. Per fer-ho es realitzauna difusió P d'aïllament des de la superfície fent servir una segona màscara. La difusió esfa de manera que la nova regió P travessi completament la capa epitaxial i arribi al substratP.Després de construïdes les illes N es procedeix a fer els transistor bipolars pròpiament dits.La quarta etapa consisteix a fer la base mitjançant una difusió P, que empra una terceramàscara. Després de tornar a oxidar tota l'oblia s'obren noves finestres amb la màscaracorresponent i es fan les difusions N + de l'emissor i el col·lector. S'elimina l'òxid i, després detornar a oxidar s'obren les finestres per permetre que el metall que es dipositarà acontinuació faci contacte amb les regions d'emissor, base i col·lector del transistor.Finalment, s'elimina part del metall dipositat sobre tota l'oblia de forma que només quedinles pistes que interconnecten els terminals entre si.El procés que s'acaba de descriure requereix sis màscares. Mentre en unes illes es creentransistors bipolars, en altres es poden utilitzar els processos descrits per fer altres tipus dedispositius (resistències, díodes ...) i crear així un circuit integrat. Aquest procés tecnològicbasat en la fabricació d'un transistor bipolar s'anomena tecnologia bipolar.© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006