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Etude de matériaux ferromagnétiques doux à forte aimantation et à ...

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C<br />

Contexte<br />

En technologie BEOL (CMOS ou BICMOS), on a recourt traditionnellement <strong>à</strong> trois<br />

types d’inductances.<br />

1) Gyrateurs : dans certains circuits CMOS, la fonction d’inductance peut être<br />

réalisée sans recours <strong>à</strong> un comportement passif. Pour cela, les gyrateurs ou inductances<br />

actives utilisent les composants actifs (c'est-<strong>à</strong>-dire les transistors) pour transformer<br />

l’impédance d’une capacité en inductance [2]. La figure 11 (a) montre un circuit gyrateur<br />

classique. Le composant actif <strong>et</strong> la capacité du gyrateur peuvent être facilement fabriqués <strong>et</strong><br />

occupés une place minimale mais ils consomment une relative importante puissance <strong>et</strong><br />

introduisent du bruit additionnel.<br />

2) Inductances « filaires » (fil <strong>de</strong> soudure ou « bonding ») : toujours pour éviter la<br />

fabrication spécifique d’un composant passif, on utilise parfois les fils <strong>de</strong> connexion externes<br />

pour réaliser une fonction d’inductance [3]. Comme montré sur la figure 11 (b), c<strong>et</strong>te<br />

inductance peut offrir un très haut facteur <strong>de</strong> qualité (30 – 80 typiquement) <strong>de</strong> part la <strong>forte</strong><br />

section <strong>de</strong> conducteur <strong>et</strong> l’éloignement conséquent du substrat. Mais une telle approche est<br />

souvent la cause <strong>de</strong> couplage parasite avec les autres dispositifs <strong>et</strong> pourrait ne pas être<br />

suffisamment robuste pour certaines applications.<br />

3) Composant passif : cependant, dans la plupart <strong>de</strong>s circuits RF mo<strong>de</strong>rnes, il est<br />

indispensable <strong>de</strong> passer par une étape propre <strong>de</strong> fabrication d’inductance au sens d’un<br />

véritable composant passif. Pour se faire, les inductances <strong>de</strong> type spirale (carrée, ron<strong>de</strong> ou<br />

octogonale) sont réalisées aux niveaux <strong>de</strong>s métaux supérieurs d’interconnections (M4 – M5)<br />

en utilisant les niveaux <strong>de</strong> métaux disponibles [4] (figure 11 (c)). Notons que la distance entre<br />

ces niveaux <strong>de</strong> métaux n’est pas suffisante pour perm<strong>et</strong>tre <strong>de</strong> réaliser d’autres géométries que<br />

2D c'est-<strong>à</strong>-dire la spirale planaire. Un solénoï<strong>de</strong> ou un tore présenterait une section trop faible<br />

pour réaliser le niveau d’inductance requise.<br />

R1<br />

R2<br />

R3<br />

NPN<br />

(a) (b) (c)<br />

Figure 11 : Circuit équivalent d’un gyrateur classique (a) <strong>et</strong> photographie d’une inductance réalisée avec <strong>de</strong>s<br />

fils <strong>de</strong> liaison (bonding) (b) [3] <strong>et</strong> topologie d’une inductance planaire carrée intégrée [4] (c).<br />

Les inductances spirales planaires sont sous la forme d’un enroulement concentrique<br />

d’un ruban conducteur (figure 12). Il impose une self <strong>de</strong> surface assez importante. De façon<br />

plus générale, nous rappelons qu’une bobine est caractérisée par son inductance L (liée au<br />

nombre <strong>de</strong> tours), par sa résistance R <strong>et</strong> par ses capacités parasites C. Pour la réalisation<br />

technologique <strong>de</strong> c<strong>et</strong>te inductance, <strong>de</strong>ux niveaux <strong>de</strong> métallisation (spires <strong>et</strong> un<strong>de</strong>rpass) ainsi<br />

que <strong>de</strong>ux vias sont requis. L’intérêt d’une forme spirale est <strong>de</strong> bénéficier d’eff<strong>et</strong>s <strong>de</strong> mutuelles<br />

positives entre les spires voisines.<br />

13

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