Etude de matériaux ferromagnétiques doux à forte aimantation et à ...

Contexte
symétrique (ou 2 ports) comme montré dans la figure 27 (a). Les structures à deux ports se
prêtent en particulier à l’étude complète des phénomènes relevant à la fois de la transmission
et de la réflexion de l’énergie mise en jeu. Le défaut de cette configuration est qu’elle ne
possède pas de centre de symétrie. Dans le cas d’applications réelles, l’implantation des
inductances nécessite plutôt une géométrie à un seul port (signal), le second ne servant qu’au
retour du courant dans la ligne de masse du circuit CMOS. Ceci amène à développer des
géométries spécifiques car il est alors possible de réaliser un véritable centre de symétrie pour
l’inductance. Une structure améliorée avec enroulement symétrique appelée inductance
symétrique (figure 27 (b)), permettra de meilleures performances [32]. Ceci est dû au fait que
dans une inductance symétrique, le centre géométrique de l’inductance correspond
exactement au centre électrique et magnétique ce qui augmente l’inductance mutuelle et donc
l’inductance totale. Alors que le facteur de qualité et la résistance série de l’inductance sont
améliorés (figure 27 (c)), la fréquence de résonance est réduite. En effet, la différence de
potentiel AC est augmentée entre les spires voisines ce qui augmente la capacité de couplage
et dégrade donc la fréquence de résonance [33].
Figure 27 : Inductances spirales symétrique (a) et symétrique (b) et facteurs de qualité correspondant (c) [32].
L’inductance symétrique peut encore être améliorée en utilisant une structure double
couche (figure 28 (a)) [34]. Les résultats suggèrent que ce type de structure présente un facteur
de qualité bien plus élevée que son homologue simple couche (figure 28 (b)).
Figure 28 : Structure d’une inductance double couche symétrique (a) et facteurs de qualité d’inductances
symétriques simple et double couche [34].
(c)
27