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Etude de matériaux ferromagnétiques doux à forte aimantation et à ...

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Contexte<br />

R P<br />

Figure 15 : Circuit équivalent d’une inductance reliée <strong>à</strong> la masse pour le modèle du facteur <strong>de</strong> qualité.<br />

A partir d’un tel modèle, le facteur <strong>de</strong> qualité <strong>de</strong> l’inductance peut s’exprimer par [13] :<br />

CR<br />

C P<br />

R S<br />

L S<br />

( C + C )<br />

2<br />

ωL<br />

⎡<br />

⎤<br />

S RP<br />

RS<br />

S P 2<br />

Q = ⋅<br />

⋅ ⎢1<br />

−<br />

− ω LS<br />

( CS<br />

+ CP<br />

)<br />

2<br />

⎥<br />

RS<br />

⎡⎛<br />

ωL<br />

⎞ ⎤ ⎣ LS<br />

⎦<br />

S<br />

R + ⎢<br />

⎜<br />

⎟<br />

P<br />

+ 1⎥R<br />

S<br />

⎢⎣<br />

⎝ RS<br />

⎠ ⎥⎦<br />

On reconnaît, dans l’équation précé<strong>de</strong>nte, un premier terme qui correspond au facteur<br />

<strong>de</strong> qualité simplifié, un second qui traduit les pertes substrat <strong>et</strong> un troisième exprime le facteur<br />

d’auto-résonance. Dans c<strong>et</strong>te expression ω est la pulsation, LS est l’inductance série, RS la<br />

résistance série, Rp la résistance <strong>de</strong> couplage <strong>et</strong> Cp la capacité <strong>de</strong> couplage. RP <strong>et</strong> CP sont reliés<br />

<strong>à</strong> RSi, CSi <strong>et</strong> Cox par la relation :<br />

R<br />

C<br />

P<br />

P<br />

1<br />

= 2<br />

ω C R<br />

= C<br />

ox<br />

2<br />

ox<br />

Si<br />

2<br />

1+<br />

ω<br />

1+<br />

ω<br />

R<br />

+<br />

Si<br />

( C + C )<br />

ox<br />

2<br />

Cox<br />

P<br />

( Cox<br />

+ CSi<br />

) CSi<br />

R<br />

2<br />

2 2<br />

( C + C ) R<br />

ox<br />

Si<br />

2<br />

2<br />

Si<br />

Si<br />

En ne tenant compte que <strong>de</strong> LS <strong>et</strong> RS, Q <strong>de</strong>vrait croître <strong>de</strong> façon monotone avec la<br />

fréquence. Cependant ce n’est pas le cas car les pertes substrat <strong>de</strong>viennent dominantes dans<br />

l’expression <strong>de</strong> Q <strong>à</strong> haute fréquence jusqu’au caractère auto-résonant <strong>de</strong> l’inductance. Les<br />

inductances intégrées sont habituellement élaborées sur un substrat Si conducteur (CMO <strong>et</strong><br />

BICMOS), <strong>et</strong> les pertes substrat sont principalement dues aux couplages capacitifs <strong>et</strong> inductifs<br />

[14]. Le couplage capacitif représenté par Cp dans le modèle précé<strong>de</strong>nt (figure 15) entre la<br />

couche <strong>de</strong> métal <strong>et</strong> le substrat change le potentiel du substrat <strong>et</strong> induit un courant <strong>de</strong><br />

déplacement. Le couplage inductif est dû au champ magnétique variant dans le temps qui<br />

pénètre le substrat. Un tel couplage induit un flux <strong>de</strong> courants induits dans le substrat. Le<br />

courant <strong>de</strong> déplacement <strong>et</strong> les courants induits donnent naissance aux pertes du substrat <strong>et</strong> <strong>de</strong><br />

ce fait, dégra<strong>de</strong>nt les performances <strong>de</strong> l’inductance (figure 16).<br />

Une conclusion importante peut être déduite <strong>de</strong> l’équation (18) : quand RP tend vers<br />

l’infini, les pertes substrat ten<strong>de</strong>nt alors vers 1. Etant donné que RP tend vers l’infini quand RSi<br />

(18)<br />

(19)<br />

(20)<br />

19

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