Etude du transfert de masse réactif Gaz-Liquide le long de plans ...

Yacine HAROUN
Chapitre 1 : Introduction Générale
Le flux de matière prend alors la forme suivante :
ϕ (1. 32)
i
= k
L
EiC
A,
L
Régime instantané de surface, Ha infiniment grand
Dans ce régime particulier, le plan de réaction est situé au niveau de l’interface où le composé A
réagit instantanément. A l‘interface, la concentration de l’espèce chimique absorbée est alors égale
à zéro. Dans ce cas la résistance au transfert est localisée dans la phase gazeuse. (voir Roustan
(2003)).
Expression du facteur d’accélération
Selon la théorie et le régime de réaction, on distingue différentes expressions pour le facteur
d’accélération. On synthétise dans le tableau 1.1 les expressions analytiques établies dans le cadre
des théories du double film de Lewis & Whitman (1924), de la théorie de pénétration de Higbie
(1935) et de la théorie du renouvellement d’interface de Danckwerts (1970). Pour les cinétiques du
deuxième ordre, on utilise généralement une solution approchée proposée par Brian et al. (1961),
présentée soit sous forme d’une équation implicite équation (1.33) soit sous forme d’abaque
(Diagramme de Van Krevelen et Hoftijzer (1948)), voir figure 1.9.
E =
Ha
Ei
− E
E −1
⎡ E − E ⎤
i
tanh⎢Ha
⎥
⎢ E −1
⎣
i ⎥
⎦
i
(1. 33)
D’autres expressions du facteur d’accélération existent. Cependant, il est important de noter que le
champ d'étude traitant ce type de problème est trop vaste et ne peut par conséquent faire l'objet ici
d'une revue exhaustive. Pour plus de détail sur l’absorption réactive nous renvoyons le lecteur à
consulter Danckwerts ( 1970).
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