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COURS .pdf - IM2NP

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Bref historique de l’épitaxie<br />

1928 : introduction du concept par Louis Royer<br />

L’épitaxie est un « phénomène d'orientation mutuelle de cristaux de substances différentes<br />

dû à des analogies étroites dans l'arrangement des atomes des faces communes »<br />

Jusqu’en 1960-70 :<br />

Formalisation du concept, thermodynamique (Matthews, van der Merwe, Stranski,<br />

Krastanov), cinétique (Venables)<br />

Etudes expérimentales de divers systèmes (métaux)<br />

Années 60 : avènement de la microélectronique silicium<br />

Focalisation sur un nombre restreint de systèmes (III-V, Si-Ge, II-VI)<br />

Développement des techniques d’épitaxie<br />

invention de l’EJM en 1968 à Bell Labs (A.Y. Cho et J. Arthur)<br />

invention des techniques CVD dans les années 70 et 80<br />

Récemment : vers une rediversification toujours drainée par la microélectronique<br />

Intégration sur silicium (III-V, oxydes,…)<br />

G.Saint-Girons<br />

Ecole « mécanique des<br />

nano-objets »<br />

Autrans 14-19 mars 2010

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