COURS .pdf - IM2NP
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Bref historique de l’épitaxie<br />
1928 : introduction du concept par Louis Royer<br />
L’épitaxie est un « phénomène d'orientation mutuelle de cristaux de substances différentes<br />
dû à des analogies étroites dans l'arrangement des atomes des faces communes »<br />
Jusqu’en 1960-70 :<br />
Formalisation du concept, thermodynamique (Matthews, van der Merwe, Stranski,<br />
Krastanov), cinétique (Venables)<br />
Etudes expérimentales de divers systèmes (métaux)<br />
Années 60 : avènement de la microélectronique silicium<br />
Focalisation sur un nombre restreint de systèmes (III-V, Si-Ge, II-VI)<br />
Développement des techniques d’épitaxie<br />
invention de l’EJM en 1968 à Bell Labs (A.Y. Cho et J. Arthur)<br />
invention des techniques CVD dans les années 70 et 80<br />
Récemment : vers une rediversification toujours drainée par la microélectronique<br />
Intégration sur silicium (III-V, oxydes,…)<br />
G.Saint-Girons<br />
Ecole « mécanique des<br />
nano-objets »<br />
Autrans 14-19 mars 2010