COURS .pdf - IM2NP
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Le système InP/STO<br />
Hétérogénéité cristallochimique forte<br />
InP<br />
STO<br />
m = 50%<br />
m eff = 6.34%<br />
d(STO) = 1.3x10 15 cm -2<br />
d(InP) = 5.8x10 14 cm -2<br />
(STO) = 0.8 J.m -2<br />
<br />
(InP) = 0.8 J.m -2 AB<br />
élevée (LP d’interface)<br />
C élevé<br />
B > -1 voire >0<br />
<br />
B<br />
<br />
<br />
AB<br />
(oxyde)<br />
(InP)<br />
-1 1<br />
B<br />
Croissance 3D - Relaxation par dislocations d’interface - Fort V C<br />
G.Saint-Girons<br />
Ecole « mécanique des<br />
nano-objets »<br />
Autrans 14-19 mars 2010
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